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중앙대 전기회로설계실습 6차 결과보고서2025.04.271. 계측장비 및 교류전원의 접지상태 설계 실험을 통해 DMM, 오실로스코프, 함수발생기의 접지상태, 내부연결상태, 입력저항 등을 유추하고 이해할 수 있었다. 특히 DMM의 주파수 특성 한계로 인한 측정 오차, 오실로스코프의 접지 연결 방식, 전압 측정 시 입력저항에 따른 영향 등을 확인하였다. 2. 교류 신호 특성 및 측정 방법 함수발생기로 발생시킨 교류 신호를 오실로스코프와 DMM으로 측정하여 DC 성분, AC 성분, 실효값 등의 의미를 이해하였다. 또한 오실로스코프의 INVERT 기능이 위상을 반전시킨다는 것을 확인하였다. 3...2025.04.27
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서울시립대_물리학및실험2_멀티미터및오실로스코프작동법_예비레포트&결과레포트_A+2025.04.271. 멀티미터 및 오실로스코프 작동법 이 실험에서는 전자기학 실험에 사용되는 측정 장비인 함수발생기, 오실로스코프, 멀티미터의 사용법과 측정 방법을 익히는 것이 목적이다. 오실로스코프를 통해 정현파와 구형파의 특성을 관찰하고, 오실로스코프와 멀티미터로 측정한 전압 값의 차이를 분석하였다. 오실로스코프는 빠른 속도로 변화하는 신호를 시각적으로 표현할 수 있어 전기회로 분석에 유용하게 사용될 수 있다. 1. 멀티미터 및 오실로스코프 작동법 멀티미터와 오실로스코프는 전자 회로 분석과 문제 해결에 필수적인 도구입니다. 멀티미터는 전압, 전...2025.04.27
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 이번 실험에서는 테브난의 정리를 확인하기 위해 기본 회로와 테브난 등가회로를 구성하고 측정한 결과를 비교하였다. 기본 회로에서 부하저항에 걸린 전압과 테브난 등가회로의 전압이 거의 비슷하였고, 부하저항에 흐르는 전류도 약간의 오차가 있지만 매우 유사하였다. 따라서 테브난의 정리를 신뢰성 있게 확인할 수 있었다. 이번 실험을 통해 브레드보드를 이용한 회로 구성과 측정 방법에 대한 자신감도 얻게 되었다. 1. 테브난의 정리 테브난의 정리는 수학 분야에서 매우 중요한 정리입니다. 이 정리는 복소수 평면에서 해석 함수의...2025.04.28
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 4. Thevenin등가회로 설계2025.04.291. 브리지 회로 브리지 회로에서 R1에 걸리는 전압과 R2에 흐르는 전류를 nodal analysis를 통해 구하였다. R1에 걸리는 전압은 약 5V이고, R2에 흐르는 전류는 약 1A이다. 2. Thevenin 등가회로 설계 부하를 제거하고 전압원을 단락시켜 Thevenin 등가저항 Rth를 구하였다. 그리고 부하를 제거한 상태에서 양단의 전압을 측정하여 Thevenin 등가전압 Vth를 구하였다. 이를 통해 Thevenin 등가회로를 설계하였다. 3. Thevenin 등가회로 실험 Thevenin 등가저항 Rth를 측정하기 위...2025.04.29
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 13. 발전기 원리 실험2025.04.291. 코일의 인덕턴스 측정 RL 직렬회로를 구성하고 Function Generator를 이용해 사각파(0 [V] to 1 [V], duty cycle= 50%)를 입력전압으로 인가한 후 오실로스코프를 이용해 time constant τ를 측정하면 코일의 인덕턴스 L을 구할 수 있다. 2. 자석 삽입에 따른 발생전압 극성 변화 자석을 넣을 때와 뺄 때, 코일을 뒤집어서 넣을 때와 뺄 때 발생전압의 극성이 반대가 될 것이다. 이는 Faraday's Law에 따라 코일(폐회로)를 통과하는 총 자속의 방향이 달라지기 때문이다. 3. 자속 ...2025.04.29
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[전기회로설계실습] 설계 실습 6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법 설계2025.05.131. 계측장비 접지상태 측정 본 실험은 측정에 의해 DMM, Oscilloscope와 Function Generator의 접지상태, 즉 내부연결 상태와 입력저항을 유추하는 방법을 설계하고 이를 이용하여 계측장비의 정확한 사용법을 익히는데 의의가 있다. 220 V전원을 공급하는 벽면 소켓에서 각 단자 사이의 전압을 측정하여 실효값을 측정하였다. 오실로스코프의 값이 function generator에서 설정한 값의 약2.2배로 관찰되었다. 그리고 DMM의 측정 주파수의 따른 특성은 약 700 kHz에서 DC 전압의 50%가 측정되었다....2025.05.13
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서42025.05.141. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서에서는 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것을 목적으로 합니다. 브리지 회로에서 부하 저항 RL에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 계산하고, Thevenin 등가회로의 Vth와 Rth를 구합니다. 또한 실험적으로 Vth와 Rth를 측정하는 방법을 설명하며, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 그리고 RL의 전압과 전류를 측정하는 회로를 제시합니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있...2025.05.14
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A+받은 오실로스코프 사용법 및 원리 결과레포트2025.05.101. RMS 측정 오실로스코프와 디지털 멀티미터를 이용하여 교류 전압의 RMS 값을 측정하는 실험을 수행했습니다. 오실로스코프를 통해 계산한 RMS 값과 디지털 멀티미터로 측정한 RMS 값에 차이가 있었으며, 이는 회로 구성 시 발생한 전압 강하 때문인 것으로 추측됩니다. 2. 리사주 도형 관찰 함수발생기를 이용해 주파수와 진폭이 같지만 위상차가 있는 두 신호, 그리고 주파수가 다른 두 신호의 리사주 도형을 관찰했습니다. 위상차에 따른 리사주 도형의 변화와 주파수 비에 따른 리사주 도형의 특성을 확인했습니다. 1. RMS 측정 RM...2025.05.10
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서7 (보고서 1등)2025.05.101. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 다음과 같다. 1) DMM을 직류전압 측정모드(DCV)로 설정한다. 2) 매우 큰 저항(20MΩ)을 DMM과 연결한다. 3) DMM에 표시된 값을 기록한다. 4) DMM의 내부저항이 10MΩ정도이므로 매우 큰 저항이 연결될 경우 DMM의 저항이 연결된 저항의 전압에 영향을 주어 Voltage Divider 현상이 발생한다. 이를 통해 DMM의 내부저항을 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 RC time constant를 측정하는 방법은 다음과 같...2025.05.10
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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