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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로(실험회로 1)는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자...2025.01.29
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실험 10_MOSFET 바이어스 회로 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다. 2. 전압분배 MOSFET 바이어스 회로 그림 [10-1]은 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소오스 단자에...2025.04.27
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기3 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 영전위 검출 회로 그림 1-1의 영전위 검출 회로에서 (-) 반주기 전압이 출력되려면 회로를 수정하여 +5V에 연결된 50k옴 저항을 -5V에 연결하거나, +와 -단자를 반대로 연결하면 된다. 2. 윈도우 비교기 회로 그림 2의 윈도우 비교기 회로에서 입력 전압이 -0.1~0.1V일 때 출력 전압이 High가 되도록 하려면 위쪽 비교기와 아래쪽 비교기에 모두 전압분배로 0.1V가 걸리도록 저항을 바꿔주면 된다. 또는 저항을 49k, 1k옴으로 설정하여 비교기에 걸리는 전압을 조절할 수 있다. 3. 슈미트 트리거 회로 그림 3의...2025.01.29
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(예비레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 테브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로에서 직렬회로인 테브닌 등가전압과 테브닌의 등가 저항으로 대체 가능하다는 정리입니다. 테브닌 등가전압은 부하 저항을 제거했을 때 양단에 걸리는 전압이고, 테브닌의 등가 저항은 전압원을 단락 시킨 상태에서 개방된 부하의 양 단자의 합성 저항값입니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 표현할 수 있습니다. 2. 테브닌 정리를 이용한 비평형 브리지 회로 해석 비평형 브리지 회로에서 테브닌 정리를 이용하면 등가회로를 보다 쉽게 구할 수 있습니다. 부하 저항을 제거한 상태에서의...2025.01.17
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전기회로설계실습 3장 결과보고서2025.01.201. 분압기 설계 분압기는 어떤 장비의 전원으로서 건전지나 고정 전압안정 직류전원(Voltage Regulator)을 사용할 때 그 출력전압보다 낮은 전압이 필요한 경우가 현실적으로 많이 발생한다. 이러한 상황에서 저항이나 커패시터를 이용하여 원래의 전압을 그에 비례하는 낮은 전압으로 분압하여 주는 장치를 분압기라고 한다. 따라 분압기는 단순 측정을 비롯해 전기제품까지 다양한 곳에서 쓰이기 때문에 분압기에 대해서 이해하는 것이 매우 중요하다. 2. 부하효과 고려 분압기를 설계할 때 단자에 연결되는 부하 저항을 고려하지 못하면 부하 ...2025.01.20
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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전기회로설계실습 3. 분압기(Voltage Divider) 설계2025.01.211. 분압기(Voltage Divider) 설계 이 실습의 목적은 부하효과(Loading Effect)를 고려한 분압기(Voltage Divider)를 설계, 제작하고 설계와 실험값을 비교, 분석하는 것입니다. 분압기 회로를 설계하고 부하 저항을 고려하여 전압과 전류를 계산하였습니다. 또한 부하가 연결되었을 때와 연결되지 않았을 때의 전압과 전류 변화를 분석하였습니다. 2. 부하효과(Loading Effect) 부하효과는 회로에 부하가 연결되면 회로의 전압과 전류가 변화하는 현상을 말합니다. 이 실습에서는 부하로 IC 칩을 연결하였...2025.01.21
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기초회로실험 KCL 실험 결과보고서2025.04.291. 직렬 회로 실험 직렬 회로 실험은 온라인으로 진행되었기 때문에 실제 실험실에서 전기 기기를 이용해 진행하지 않고 웹 시뮬레이션(falstad web simulation)을 이용하여 진행되었다. 전압과 전류 분배에 대해 알아보기 위해 서로 다른 저항 값을 가진 저항을 직렬로 연결하여 전압 값과 전류 값을 측정하고 이를 통해 저항 값을 계산해보았다. 여기서 우리는 측정기기의 한계로 인해, 즉 웹 시뮬레이션의 특성 상 소수점 3자리까지 측정값을 나타낼 수 있었고 이로 인해 계산 값 역시 소수점 3자리까지만 나타냈다. 약 0.1~0....2025.04.29
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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[고려대학교 전기회로] 3~4단원 정리본2025.05.031. 직렬 연결 회로 직렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전류를 흐르게 한다. 직렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 저항값을 합한 것과 같다. 2. 병렬 연결 회로 병렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전압이 걸린다. 병렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 역수를 합한 것의 역수와 같다. 3. 전압 분배와 전류 분배 전압 분배 공식: Ui = (Ri/Req)U, 전류 분배 공식: Ii = (Req/Ri)I 4. 전압계와 전류계 측정 전압계는 측정하고자 하는 전압 요소와 병렬로 연결되고, 전류계는 측정하고자 ...2025.05.03
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