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[A+] 건국대 전기전자기초실험1 6주차 예비보고서 및 결과보고서2025.01.151. 중첩의 원리 중첩의 원리는 여러 개의 독립 전원을 포함하고 있는 회로에서, 회로 내의 어떤 점에서의 전류 또는 전압은 각 독립 전원이 단독으로 있을 때의 성분의 대수적인 합과 같다는 것이다. 이때 해당 전원을 제외한 나머지 독립전원들은 전압원이면 단락회로, 전류원이면 개방회로 대체된다. 1개의 전원만 인가된 상태로 응답을 구하는 과정을 반복하면서 각 전원에 의한 방향을 고려하여 중첩함으로써 모든 전원에 의한 응답을 구한다. 2. 테브난 등가회로 테브난의 정리는 회로를 독립적인 전압원 하나와 저항 하나가 직렬로 연결된 등가회로로...2025.01.15
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 예비레포트2025.05.031. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 이 실험의 목적은 전압과 전류 사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 원리를 이해하는 것입니다. 실험에서는 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 측정하고, 이를 통해 다이오드의 동작 원리를 설명합니다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 이 실험의 목적은 특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결했을 때의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용 회로를 해석할 수 있는 능력을 개발하는 것입니다. 실험에서는 직렬 및 병렬로 연결...2025.05.03
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건국대학교 전기전자기초실험2 연산증폭기1 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 능동 저역 통과 필터 모의실험 1에서는 그림 1-1의 능동 저역 통과 필터 회로를 LTspice로 구현하고, 입력 전압과 출력 전압의 관계를 주파수에 따라 분석하였습니다. 실험 1에서는 실제 회로를 구성하여 동일한 분석을 수행하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하면 차단 주파수 근처에서는 유사한 결과를 보이지만, 차단 주파수에서 멀어질수록 오차가 증가하는 것을 확인할 수 있습니다. 이는 측정 시 발생하는 노이즈와 소자 연결의 오차, 유효숫자 등의 영향으로 판단됩니다. 2. 능동 고역 통과 필터 모의실험 2에서는 그림 2-1...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 펄스폭변조회로 결과레포트2025.01.291. 레벨 쉬프트 회로 실험 1에서는 레벨 쉬프트 회로를 구성하고, 입력 전압(함수발생기)과 출력 전압(오실로스코프)을 관찰하였습니다. VDC를 0.5V와 1V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 2. 펄스 폭 변조 회로 실험 2에서는 펄스 폭 변조 회로를 구성하고, 삼각파 입력 전압(Vtri)과 출력 전압(Vout)을 관찰하였습니다. VREF 전압을 0.5V, 1.0V, 1.5V, 2.0V, 2.5V로 변경하면서 출력 파형의 변화를 확인하였습니다. 3. 펄스 폭 변조 회로 2 실험 3에서는 레벨 쉬프트 회로와 펄스 폭...2025.01.29
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건국대학교 전기전자기초실험2 서미스터 결과레포트2025.01.291. 서미스터 LED 회로 실험 1에서는 서미스터와 LED로 구성된 회로를 구성하고, 출력 전압 Vout을 측정하였습니다. 측정된 전압 값을 바탕으로 서미스터의 온도를 추정하였습니다. 오차가 큰 이유는 전압 분배 회로의 분모 값이 소수점으로 차이가 나기 때문입니다. 2. 서미스터 온도 검출 회로 실험 2에서는 연산증폭기 LM358, 서미스터, LED 2개로 구성된 온도 검출 회로를 구성하였습니다. 서미스터의 온도에 따라 RED LED와 BLUE LED가 켜지는 것을 확인하였고, 오실로스코프로 Vout의 파형을 관찰하였습니다. 측정된...2025.01.29
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등가 전원 정리_결과레포트2024.12.311. 테브난의 정리 테브난의 정리 실험을 통해 복잡한 회로를 하나의 전원과 하나의 저항으로 구성된 등가회로로 표현할 수 있음을 확인하였다. 실험 결과, 테브난의 등가 전압과 등가 저항을 계산하고 이를 이용하여 부하 전류를 구할 수 있었다. 오차 발생 원인으로는 저항 자체의 내부 오차, 측정 시 단자 인지 오류, 주변 온도 변화, 접촉 불량 등이 있었다. 향후 실험의 정밀도를 높이기 위해서는 정밀한 저항 사용, 온도 유지, 접촉 개선 등이 필요할 것으로 보인다. 2. 노튼의 정리 노튼의 정리 실험을 통해 복잡한 회로를 하나의 전류원과...2024.12.31
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험9_결과보고서_common base,emitter follower2025.05.101. Common Base 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Common Base 증폭회로의 동작을 다루고 있습니다. 이론적 계산과 모의실험, 실험 결과를 비교 분석하여 Common Base 증폭회로의 특성을 설명하고 있습니다. 주요 내용으로는 이론적 계산을 통한 전압이득 및 전류 값 도출, OrCAD Capture와 PSpice를 이용한 실험 회로도 및 모의실험 결과, 실험 결과와의 비교 분석 등이 포함되어 있습니다. 2. Emitter Follower 증폭회로 전기전자기초실험2 일반실험9 결과보고서에서 Emit...2025.05.10
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