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mosfet 전류 전압 실험 결과2024.09.231. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 개요 이 실험은 MOSFET이라는 새로운 반도체 소자의 동작 원리를 이해하고, 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것을 목적으로 한다. MOSFET은 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하는 소자이다. 이번 실험에서는 회로를 구성하고 게이트-소스 전압(VGS)과 드레인-소스 전압(VDS)의 값을 조정해 가면서 드레인 전류(ID)를 측정하여 드레인 특성...2024.09.23
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전자공학응용 mosfet 기본2024.09.221. 실험 개요 1.1. 실험 목적 실험 9의 목적은 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하는 것이다. MOSFET은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 소자로, 게이트 전압을 변화시키면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 달라지면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해하고자 한다.실험 10의 목적은 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해 필요한 적절한 DC 바이어스를 알아보는 것이다. MOSFET 증폭기의 동작점은 DC ...2024.09.22
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Amplifer 회로설계2024.10.071. 두 STAGE AMPLIFIER 설계 1.1. 프로젝트 개요 Two stage AMPLIFIER 프로젝트의 개요는 다음과 같다. 본 프로젝트는 두 개의 증폭 단계로 구성된 증폭기를 설계하는 것이다. 입력 전압은 1mV의 정현파(주파수 1kHz)이며, 전원 공급 전압(Vcc)은 10V이다. 사용되는 MOSFET는 2N7000/FAI(NMOSFET) 모델이다. 설계된 증폭기의 최종 이득은 36이 되도록 한다. 이를 위해 첫 번째 증폭 단계에서 6mV까지 증폭하고, 두 번째 증폭 단계에서 다시 6mV를 증폭하여 총 36mV의 ...2024.10.07
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소오스 팔로워2024.10.281. 소오스 팔로워 증폭기 1.1. 실험 개요 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 하나인 소오스 팔로워 증폭기에 대해 실험하고자 한다. 소오스 팔로워 증폭기는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는데 자주 사용되는 회로이다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 특히 소오스 팔로워의 전압 이득이 1에 가깝다는 특성을 확인하고, 이를 전압 버퍼로써 활용하는 방법에 대해 알아볼 예정이다. 1.2. 실험 기자재 ...2024.10.28
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2단 공통 소스 증폭기 결과보고서2024.12.171. Common-Source Amplifier Common-Source Amplifier는 MOSFET 증폭기의 기본적인 구조로, 게이트와 소스가 공통 연결된 형태이다. 이 증폭기는 단일 단 증폭기로 사용되거나 다단 증폭기의 기본 블록으로 활용된다. Lab 1. CE Stage DC Transfer 특성 실험에서는 Tinkercad를 이용하여 CE Stage 회로를 설계하고, 입력 전압 Vgs를 0~5V 범위에서 변화시키며 Vds, Id 등의 변화를 관찰하였다. 그 결과, Vgs가 2.7V 부근에서 가장 큰 기울기를 가지는 것을...2024.12.17
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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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전자회로 실험4 MOS2024.11.121. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 목적 MOSFET의 특성 실험의 목적은 MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것이다. MOSFET은 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터로, 게이트가 산화 실리콘(SiO2) 층에 채널과 격리되어 있어 JFET와 다르다. MOSFET에는 공핍형(D-MOSFET)과 증가형(E-MOSFET) 두 종류가 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 구조와 특성, 공핍형과 증가형의 동작 원리, 그리고 이에 따른 전달특성곡...2024.11.12