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지스트2024.09.131. 트랜지스터의 구조와 동작 1.1. NPN, PNP접합 NPN 접합은 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구조이다. 이렇게 N과 P와 N의 세 부분으로 이루어진 NPN 접합은 하나의 단결정에 제작된다. 이 세 개의 전극을 에미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하며 기호로 E, B, C로 나타낸다. PNP 접합은 NPN 접합과 반대로 P형 반도체 사이에 아주 얇은 N형 반도체가 끼워진 구조이다. 역시 이 세 부분이 하나의 단결정에 제작되어 있다. PNP 접합...2024.09.13
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캐스코드2024.09.131. 실험 개요 1.1. 실험 목적 '1.1. 실험 목적'은 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 이 실험을 통해 달링턴 BJT의 전류이득과 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 확인할 수 있다.달링턴 BJT는 하나의 BJT의 입력저항보다 더 큰 입력저항을 가지고 전류이득이 크기 때문에 많이 사용된다. 달링턴 회로의 전체 전류이득은 두 BJT의 개별 전류이득의 곱으로 나타낼 수 있다. 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 ...2024.09.13
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교류및전자회로실험 실험1 결과보고서2024.09.201. 트랜지스터 특성실험 1.1. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터의 동작 원리는 다음과 같다. 트랜지스터는 반도체 소자의 일종으로, 전기적 신호를 증폭하거나 스위칭하는 기능을 수행한다. 트랜지스터는 크게 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)와 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)로 분류된다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector) 세 개의 단자로 구성되어 있다. 에미터와 베이스,...2024.09.20
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그래핀 양자점2024.09.131. 그래핀 개요 1.1. 그래핀의 특성 그래핀은 탄소 원자들이 육각형 격자 모양으로 서로 연결되어 2차원 평면 구조를 이루는 고분자 탄소 동소체이다. 그래핀 하나는 2차원 구조이지만 실제로 쓰이는 그래핀은 많은 그래핀들이 차곡차곡 쌓인 형태로 존재한다. 그래핀의 밴드 구조(band structure) 때문에, 매우 높은 고유의 전자이동도(Electron Mobility)를 가진다. 이는 구리(Cu)보다 100배 이상 전기가 잘 통하고, 반도체에 주로 사용되는 단결정 실리콘(Si)보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있다...2024.09.13
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예비보고서2024.09.101. 반도체의 기본 개념 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)보다는 낮고 애자, 유리 같은 부도체보다는 높은 물질이다. 반도체는 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 따라 전도도가 변화하는 특성을 가지고 있다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 첨가하여 만든다. 반도체는 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 제작하는데 사용된다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하지만, 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체와 도체와는 다른 특성을 가지고...2024.09.10
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전자공학과 독후감2024.09.231. 소개 책 [청소년을 위한 공학이야기]은 우리나라의 경제 발전과 공학 기술의 발달이 어떠한 관계가 있었는지를 소개하고 있다. 첫째, 책은 우리나라가 가장 가난했던 시기에 시작하여 오늘날이 되기까지 새롭게 나타난 기술들을 소개하고, 그 기술이 우리나라에 정착하여 미친 영향들을 보여주고 있다. 특히 "황금알을 낳는 거위, 미래를 걷는 전자 산업"에서 소개한 사건이 우리나라에 가장 큰 역할을 했다고 설명하고 있다. 1947년 12월 23일 미국의 벨연구소에서 트랜지스터가 탄생되었고, 이를 통해 진공관보다 속도가 빠르고 에너지 소모...2024.09.23
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전자공학부 면접2024.09.141. 반도체 및 전자소자 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 전기전도도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다. 진성 반도체는 도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매우 높은 반도체를 진성 반도체라 한다. 진성 반도체는 평상시에...2024.09.14
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핵심이 보이는 전자회로실험 bjt2024.11.081. 트랜지스터와 반도체 소자의 발전 1.1. 진공관과 트랜지스터의 발명 진공관은 전자를 방출하고 흐르게 하는 기본적인 전자 소자였다. 1883년, 토마스 에디슨은 백열전구 내부에 전자가 이동하는 현상을 발견했는데, 이를 "에디슨 효과"라고 불렀다. 이후 1904년, 영국의 물리학자 존 앰브로스 플레밍은 에디슨 효과를 응용하여 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 2극관(다이오드)을 발명했다. 이로써 진공관 기술이 시작되었다. 1907년, 미국의 리처드 딕손 데포레스트는 플레밍의 2극관에 제3의 전극인 그리드를 추가하여 3극관(트라...2024.11.08
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RC 정현파 발진 회로 결과보고서2024.11.081. 정현파 발진회로 1.1. 실험 목적 실험 목적은 윈 브릿지 발진기 회로의 특성을 이용하여 RC 발진회로의 개념을 이해하고 발진기의 공진주파수를 알아보는 것이다. 즉 정현파 발진회로의 동작 원리와 발진 주파수를 측정하고 분석하는 것이 이번 실험의 목적이다. 정귀환 루프의 위상천이 특성과 증폭기의 이득 특성을 이용하여 정현파가 발생하는 원리를 파악하고, 실제 측정값과 이론값을 비교함으로써 실험을 통한 이해도를 높이고자 하는 것이다. 1.2. 실험 이론 1.2.1. RC 발진기의 동작 원리 RC 발진기의 동작 원리는 다음과 같다...2024.11.08
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마이크로프로세서2024.10.031. 마이크로프로세서의 역사 및 발전 1.1. 초기 마이크로프로세서의 개발 초기 마이크로프로세서의 개발은 1947년 12월 23일 벨 연구소에서 트랜지스터가 개발되면서부터 시작되었다. 1957년 설립된 페어차일드 반도체(Fairchild semiconductors)가 처음으로 마이크로프로세서를 개발하면서 마이크로프로세서의 역사가 시작되었다. 이어서 1959년 최초의 집적회로가 발명되었다. 1968년 고든 무어, 로버트 노이스, 앤드류 그로브(Gordan Moore, Robert Noyce, Andrew Grove)는 페어차일드 반...2024.10.03
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