총 35개
-
캐스코드2024.09.131. 실험 개요 1.1. 실험 목적 '1.1. 실험 목적'은 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 이 실험을 통해 달링턴 BJT의 전류이득과 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 확인할 수 있다.달링턴 BJT는 하나의 BJT의 입력저항보다 더 큰 입력저항을 가지고 전류이득이 크기 때문에 많이 사용된다. 달링턴 회로의 전체 전류이득은 두 BJT의 개별 전류이득의 곱으로 나타낼 수 있다. 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 ...2024.09.13
-
그래핀 양자점2024.09.131. 그래핀 개요 1.1. 그래핀의 특성 그래핀은 탄소 원자들이 육각형 격자 모양으로 서로 연결되어 2차원 평면 구조를 이루는 고분자 탄소 동소체이다. 그래핀 하나는 2차원 구조이지만 실제로 쓰이는 그래핀은 많은 그래핀들이 차곡차곡 쌓인 형태로 존재한다. 그래핀의 밴드 구조(band structure) 때문에, 매우 높은 고유의 전자이동도(Electron Mobility)를 가진다. 이는 구리(Cu)보다 100배 이상 전기가 잘 통하고, 반도체에 주로 사용되는 단결정 실리콘(Si)보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있다...2024.09.13
-
지스트2024.09.131. 트랜지스터의 구조와 동작 1.1. NPN, PNP접합 NPN 접합은 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구조이다. 이렇게 N과 P와 N의 세 부분으로 이루어진 NPN 접합은 하나의 단결정에 제작된다. 이 세 개의 전극을 에미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하며 기호로 E, B, C로 나타낸다. PNP 접합은 NPN 접합과 반대로 P형 반도체 사이에 아주 얇은 N형 반도체가 끼워진 구조이다. 역시 이 세 부분이 하나의 단결정에 제작되어 있다. PNP 접합...2024.09.13
-
띠 이론2024.09.271. 반도체 1.1. 도체, 부도체 그리고 반도체 도체, 부도체 그리고 반도체는 전기적 성질에 따라 구분되는 재료들이다. 도체는 전기가 잘 통하는 물체로, 대부분의 금속이 이에 해당한다. 이들은 자유전자에 의해 전기가 전달되며, 온도가 올라가면 저항이 증가하게 된다. 반면 부도체는 전기가 잘 통하지 않는 물질로, 자유전자가 없거나 강하게 속박되어 있어 전기를 전달하지 못한다. 부도체에는 대표적으로 다이아몬드와 같은 물질이 포함된다. 반도체는 도체와 부도체의 중간적인 성질을 가지는데, 온도에 따라 성질이 변화한다는 특징이 있다....2024.09.27
-
교류및전자회로실험 실험1 결과보고서2024.09.201. 트랜지스터 특성실험 1.1. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터의 동작 원리는 다음과 같다. 트랜지스터는 반도체 소자의 일종으로, 전기적 신호를 증폭하거나 스위칭하는 기능을 수행한다. 트랜지스터는 크게 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor, BJT)와 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)로 분류된다. 바이폴라 접합 트랜지스터는 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector) 세 개의 단자로 구성되어 있다. 에미터와 베이스,...2024.09.20
-
기초회로실험2024.09.251. 기초회로 실험 1.1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류가 흐르는 도선에서 전압, 전류, 저항 간의 관계를 설명한 법칙이다. 옴의 법칙에 따르면 전류 I는 전압 V와 비례하고 저항 R과 반비례한다. 즉, V=IR의 관계가 성립한다. 이러한 옴의 법칙은 일반적인 도선에서 잘 성립하지만, 반도체나 초전도체와 같은 특수한 물질에서는 적용되지 않는다. 전압과 전류 사이의 관계가 복잡해지기 때문이다. 대표적인 예로 다이오드가 있는데, 다이오드는 순방향 바이어스에서는 옴의 법칙을 잘 따르지만 역방향 바이어스에서는 전류가 거의 흐르지 않는...2024.09.25
-
전자공학부 면접2024.09.141. 반도체 및 전자소자 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 전기전도도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서, 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다. 진성 반도체는 도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매우 높은 반도체를 진성 반도체라 한다. 진성 반도체는 평상시에...2024.09.14
-
예비보고서2024.09.101. 반도체의 기본 개념 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)보다는 낮고 애자, 유리 같은 부도체보다는 높은 물질이다. 반도체는 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 따라 전도도가 변화하는 특성을 가지고 있다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 첨가하여 만든다. 반도체는 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 제작하는데 사용된다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하지만, 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체와 도체와는 다른 특성을 가지고...2024.09.10
-
전자공학과 독후감2024.09.231. 소개 책 [청소년을 위한 공학이야기]은 우리나라의 경제 발전과 공학 기술의 발달이 어떠한 관계가 있었는지를 소개하고 있다. 첫째, 책은 우리나라가 가장 가난했던 시기에 시작하여 오늘날이 되기까지 새롭게 나타난 기술들을 소개하고, 그 기술이 우리나라에 정착하여 미친 영향들을 보여주고 있다. 특히 "황금알을 낳는 거위, 미래를 걷는 전자 산업"에서 소개한 사건이 우리나라에 가장 큰 역할을 했다고 설명하고 있다. 1947년 12월 23일 미국의 벨연구소에서 트랜지스터가 탄생되었고, 이를 통해 진공관보다 속도가 빠르고 에너지 소모...2024.09.23
-
전자공학실험 4장2024.10.151. BJT 기본 특성 1.1. 실험 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 ...2024.10.15