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전자회로실험 실험112024.09.151. 공통 소오스 증폭기 1.1. 실험 절차 실험 절차는 다음과 같다. 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 결정해야 한다. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인해야 한다. 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 그려야 한다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, ...2024.09.15
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전자공학응용 mosfet 기본2024.09.221. 실험 개요 1.1. 실험 목적 실험 9의 목적은 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하는 것이다. MOSFET은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 소자로, 게이트 전압을 변화시키면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 달라지면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해하고자 한다.실험 10의 목적은 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해 필요한 적절한 DC 바이어스를 알아보는 것이다. MOSFET 증폭기의 동작점은 DC ...2024.09.22
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전자공학실험 mosfet2024.10.151. 실험 목적 1.1. MOSFET의 기본 동작 특성 확인 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전계효과를 이용하여 전류가 흐르는 반도체 소자이다. MOSFET은 전하를 공급하는 소스 단자(Source), 전하를 받아들이는 드레인 단자(Drain), 전류의 양을 조절하는 게이트 단자(Gate), 기판의 역할을 하는 바디 단자(Body)로 구성되어 있다. 게이트 전압을 변화시키면 드레인과 소스 사이의 전류가 변화하면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 ...2024.10.15