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재료과학2024.09.241. 금속 미세조직 관찰 1.1. 실험 목적 금속 시편을 채취하여 관찰면을 균일하게 연마하고 미세한 조직을 관찰함으로써 그 곳에나타나는 상,결정립의 형상 및 분포상태, 크기 또는 결함 등을 측정하여 조직과 기체적 성질, 열처리 등과의 관계를 연구하는 것이 본 실험의 목적이다." 1.2. 실험 이론 및 원리 1.2.1. 미세조직 관찰 원리 금속의 내부조직을 연구하는 데에 가장 많이 쓰이는 것은 현미경이며, 이것으로 금속입자의 크기, 모양, 배열을 볼 수 있고, 또 금속중의 여러 가지 상과 조직을 확인할 수 있다. 또한 금속의 조직...2024.09.24
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반도체 소자, 반도체 공정, ALD2024.10.021. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 공정의 주요 단계 반도체 공정의 주요 단계는 다음과 같다. 웨이퍼 공정은 실리콘 잉곳을 가공하여 웨이퍼를 만드는 단계이다. 실리콘 잉곳을 자르고 연마하여 표면을 평탄하게 만들고, 열처리를 통해 웨이퍼의 결정구조를 개선한다. 이후 웨이퍼에 산화막을 증착하여 기본적인 절연체를 형성한다. 다음으로는 노광 공정이다. 웨이퍼 표면에 감광 물질인 포토레지스트를 코팅하고, 마스크를 통해 빛을 쬐어 원하는 패턴을 형성한다. 이를 통해 웨이퍼 표면에 회로의 모양을 새길 수 있다. 그 다음 단계는 증착...2024.10.02
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반도체 공정 장비2024.10.191. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 제조 공정의 이해 반도체 제조 공정의 이해는 복잡한 반도체 소자 생산 과정을 이해하는 데 필수적이다. 반도체 제조 공정은 크게 전공정과 후공정으로 나누어지며, 전공정에는 웨이퍼 준비, 산화, 노광, 식각, 증착 및 이온주입, 배선 공정 등이 포함된다. 먼저, 웨이퍼 준비 공정에서는 실리콘 잉곳을 얇게 슬라이싱하여 원형의 웨이퍼 기판을 만든다. 이후 세척 및 화학적 처리를 통해 웨이퍼의 표면을 깨끗하고 균일하게 준비한다. 다음으로 산화 공정에서는 웨이퍼 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을...2024.10.19