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반도체 공정 실습 및 C-V 측정2024.09.211. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)으로 나누어진다. 채널의 종류에 따라 도핑타입, 도핑농도에 따라 저항특성, 결정방향에 따라 면밀도 차이로 인한 특성이 바뀌게 된다." 1.1.2. 클리닝 공정 클리닝 공정은 Si 웨이퍼 표면에 형성된 얇은 산화층과 먼지를 제거하기 위한 중요한 공정이다. 웨이퍼 표면의 오염물질은 후속 공정에 큰 영향을 미칠 수 있기 때문에 클리닝 공정이 필수적이다. 클리닝 공정은 크게 SPM-C...2024.09.21
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반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
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반도체 후공정2024.08.271. 반도체 제조 공정 1.1. 웨이퍼 공정 웨이퍼 공정은 반도체 제조의 가장 근간이 되는 단계이다. 웨이퍼는 실리콘 잉곳(ingot)을 얇게 슬라이스하여 만든 둥근 원판 모양의 기판이다. 웨이퍼 공정에서는 이러한 웨이퍼 기판 위에 각종 공정을 거쳐 반도체 회로를 형성하게 된다. 먼저 실리콘 잉곳을 얻기 위해서는 고순도의 실리콘을 용융하여 단결정으로 성장시켜야 한다. 실리콘 잉곳의 직경은 최근 들어 점점 커지고 있는데, 현재 300mm와 450mm 웨이퍼가 주로 사용되고 있다. 이렇게 성장된 실리콘 잉곳은 와이어 쌓기 공정을 ...2024.08.27