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2N70002024.09.271. MOSFET 소자 특성 측정 1.1. 목적 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것이 이 실습의 목적이다. 1.2. 실습준비물 실습준비물은 DC Power Supply(2 channel) 1대, Digital Multimeter (이하 DMM) 1대, 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) 4개, 40cm 잭-집게 연결선 (검정) 4개, Br...2024.09.27
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jfet 바이어스 회로2024.11.201. JFET 및 MOSFET의 기본 원리 1.1. JFET의 구조와 동작 JFET의 구조와 동작은 다음과 같다. JFET은 전계효과를 이용한 트랜지스터 중 가장 단순한 형태를 갖는다. JFET은 게이트-소스 전압에 의해 드레인-소스 전류의 흐름을 제어하는 소자이다. N-Channel JFET은 N형 반도체(소스, 드레인) 양쪽으로 P형 반도체(게이트)를 확산시켜 구성되며, 드레인-소스 사이의 채널에 흐르는 전류는 전자이다. P-Channel JFET은 P형 반도체(소스, 드레인) 양쪽으로 N형 반도체(게이트)를 확산시킨 형태로,...2024.11.20
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전자회로 실험4 MOS2024.11.121. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 목적 MOSFET의 특성 실험의 목적은 MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것이다. MOSFET은 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터로, 게이트가 산화 실리콘(SiO2) 층에 채널과 격리되어 있어 JFET와 다르다. MOSFET에는 공핍형(D-MOSFET)과 증가형(E-MOSFET) 두 종류가 있다. 이 실험을 통해 MOSFET의 구조와 특성, 공핍형과 증가형의 동작 원리, 그리고 이에 따른 전달특성곡...2024.11.12
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MOSFET 증가형2024.11.121. 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.1. 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호는 다음과 같다. 증가형 MOSFET는 p형 기판 위에 제조되는데, 여기서 p형 기판은 소자(집적 회로인 경우에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다. 고농도로 도핑된 두 개의 n영역이 기판에 만들어져 있는데, 이 영역이 소스(source)와 드레인(drain) 영역이다. 기판의 표면 위에는 전기적인 절연 특성이 양호한 얇은 이산화 실리콘(SiO2) 층이 ...2024.11.12
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전자회로 jfet2024.10.201. JFET의 구조 및 종류 1.1. n채널 JFET n채널 JFET은 n형 반도체 물질로 제작된 채널 영역의 양쪽에 p형 반도체 물질을 확산시켜 만든 접합 전계효과 트랜지스터이다. n채널 JFET에서는 소스와 드레인 사이에 n형 채널이 형성되며, 게이트와 채널 사이에는 역방향으로 바이어스된 p-n 접합이 존재한다. 게이트에 음의 전압을 인가하면 채널과 게이트 사이에 공핍층이 형성되고, 이에 따라 채널 폭이 좁아지게 된다. 채널 폭이 좁아짐에 따라 채널의 저항이 증가하여 소스에서 드레인으로 흐르는 전류가 감소하게 된다. 이처...2024.10.20
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전자회로2 jfet2024.10.201. JFET 바이어스 회로 1.1. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로는 JFET의 게이트-소스 전압 VGS가 독립된 직류 전원 VGG에 의해 결정되는 회로 구조이다. 이 회로에서 VGS는 고정된 크기를 가지게 되므로 "고정 바이어스 회로"라고 불린다. 고정 바이어스 회로의 구조를 살펴보면, VGG의 음극이 JFET의 게이트 단자에 직접 연결되어 있고 양극은 접지되어 있다. 또한 JFET의 소스 단자는 접지되어 있으므로, VGS는 VGG와 같은 크기의 음의 전압이 된다. 즉, VGS = -VGG가 된다. 이러한 고정 바이...2024.10.20
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Jfet 10vdd2024.10.201. JFET 바이어스 회로 1.1. JFET 고정 바이어스 회로 JFET 고정 바이어스 회로는 게이트 전압 VGG를 직접 JFET의 게이트에 연결하여 게이트-소스 전압 VGS를 고정시키는 방식이다. 이 회로에서는 게이트 전류 IG가 0이기 때문에 게이트 저항 RG에 걸리는 전압 강하가 발생하지 않는다. 따라서 VG는 -VGG가 되어 VGS와 같아진다. 이러한 JFET 고정 바이어스 회로는 BJT의 고정 바이어스 회로와 달리 게이트 전류가 흐르지 않기 때문에 게이트 저항에 걸리는 전압 강하가 0V가 된다. 이에 따라 게이트 전압...2024.10.20