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mosfet 전류 전압 실험 결과2024.09.231. MOSFET의 특성 실험 1.1. 실험 개요 이 실험은 MOSFET이라는 새로운 반도체 소자의 동작 원리를 이해하고, 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정하는 것을 목적으로 한다. MOSFET은 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하는 소자이다. 이번 실험에서는 회로를 구성하고 게이트-소스 전압(VGS)과 드레인-소스 전압(VDS)의 값을 조정해 가면서 드레인 전류(ID)를 측정하여 드레인 특성...2024.09.23
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TCAD2024.11.301. 서론 1.1. 구성 요소 구성 요소는 목표 설정, 분석, 설계, 평가로 이루어져 있다. 목표 설정에서는 NMOS 구조를 설계하여 VD=0.1V일 때 Vth값을 5V로 도출해내고, VD=1V일 때 ID> 5X10^-5가 되도록 설계하는 것이다. 분석에서는 Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping Profile, Oxide 두께, Gate 선폭을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 분석한다. 설계에서는 T-CAD 시뮬레이션인...2024.11.30