1. MRAM MRAM은 magnetic random access memory의 약자로, 강자성체 간의 자기 저항 효과를 이용하였다. 또한 양자역학적 효과를 이용한 기억 소자로 소자로 전원이 꺼져도 정보가 지워지지 않는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 소자로서, 소비 전력이 적고 높은 온도 범위에서 동작이 가능하며 Flash가 갖는 비휘발성 이외에, 기존의 DRAM 급의 빠른 응답속도 등의 특성을 갖는다. MRAM은 자성층의 자화 방향에 따라서, 정보를 저장한다. 0과 1의 정보는 자기 저항값의 차이를 이용해 구분한다. 정보...

1. 기존 메모리 반도체 DRAM과 NAND FLASH 메모리 반도체의 구조와 동작 원리, 그리고 한계에 대해 설명하고 있습니다. 2. 차세대 메모리 반도체 MRAM, PRAM, RRAM 등 기존 메모리 반도체의 단점을 보완한 다양한 차세대 메모리 반도체에 대해 소개하고 있습니다. 3. MRAM MRAM의 구조와 동작 원리, 그리고 기존 MRAM의 문제점과 이를 해결하기 위한 STT-MRAM과 SOT-MRAM 기술에 대해 설명하고 있습니다. 4. PRAM PRAM의 구조와 동작 원리, 그리고 핵심 물질인 칼코게나이드계 물질의 특성에...