1. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...