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(경북대) 전자회로설계 팀프로젝트2025.01.291. 전자회로 설계 이 프레젠테이션은 전자회로 설계 프로젝트에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 전압 분배 회로 설계, OP 앰프 특성 및 한계, 전류 부스터 회로 설계 등이 포함되어 있습니다. 회로 설계 시 소자 수 최소화, 전력 소모 최소화 등의 고려사항을 바탕으로 최적의 회로를 구현하고자 하는 것으로 보입니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율성, 안전성 등을 고려해야 합니다. 이를 위해 회로 이론...2025.01.29
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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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전기회로실험및설계 4주차 결과보고서 - 중첩의 원리, Thevenin 정리, 최대 Power 전달2025.01.151. 중첩의 원리 중첩의 원리를 적용하여 전기 회로의 전압과 전류를 계산하는 방법에 대해 설명합니다. 이를 통해 복잡한 회로에서 각 전원의 영향을 개별적으로 분석할 수 있습니다. 2. Thevenin 정리 Thevenin 정리를 사용하여 복잡한 회로를 등가 회로로 변환하는 방법을 설명합니다. 이를 통해 회로 분석을 단순화할 수 있습니다. 3. 최대 Power 전달 부하 저항 값을 조정하여 최대 전력 전달이 이루어지도록 하는 방법을 설명합니다. 이를 통해 회로의 효율을 최대화할 수 있습니다. 1. 중첩의 원리 중첩의 원리는 전기 회로...2025.01.15
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[디지털공학개론] 아래의 POS형 부울 함수들에 대한 카르노 맵을 작성하세요. 단, 맵에는 '0'으로 채워지는 셀들만 표시하세요.2025.01.211. 부울 함수 간소화 이번 분석을 통해 카르노 맵을 사용하여 POS형 부울 함수를 시각화하고 간소화하는 방법을 확인했습니다. 각 함수에서 '0'으로 표시된 셀들은 함수가 0이 되는 특정 조건을 나타내며, 이를 통해 함수의 최적화를 도출할 수 있습니다. 카르노 맵은 복잡한 부울 함수를 시각적으로 이해하고 간소화하는 강력한 도구입니다. 이 방법은 특히 디지털 회로 설계에서 회로의 효율성을 높이는 데 유용합니다. 회로의 크기, 비용, 전력 소비를 줄이고, 성능을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 2. 디지털 논리 회로 설계 카르노 ...2025.01.21
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디지털공학개론_NAND와 NOR 게이트를 이용하여 AND, OR, NOT 게이트를 구현하시오2025.01.271. NAND 게이트와 NOR 게이트 NAND 게이트와 NOR 게이트는 모든 디지털 회로를 구성할 수 있는 기본 게이트로 인식된다. NAND 게이트는 입력 중 하나라도 0이면 1이 출력되고 입력이 모두 1인 경우에만 0이 출력된다. NOR 게이트는 입력 중에서 하나라도 1이면 0이 출력되고 입력이 모두 0인 경우에만 1이 출력된다. 이러한 NAND 게이트와 NOR 게이트를 이용하여 AND, OR, NOT 게이트를 구현할 수 있다. 2. AND 게이트 구현 AND 게이트는 두 입력이 모두 1일 때만 1을 출력하고 그 이외에는 모두 0...2025.01.27
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디지털집적회로설계 12주차 Full Adder 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.161. Static CMOS Full Adder 설계 Static CMOS Full Adder는 12개의 PMOS, 12개의 NMOS, 2개의 Inverter로 구성된 총 28개의 트랜지스터로 이루어진 회로이다. P/N Ratio를 고려하여 ndc와 pdc의 크기를 설정하였으며, (A+B)*Cin은 2의 크기로 ndc 16칸, pdc 32칸으로 설계하였다. SUM 출력의 경우 ((A+B+Cin)*Cin)은 ndc 16칙, pdc 32칸으로, Cin*A*B는 ndc 24칸, pdc 48칸으로 구성하였다. 2. Subcell을 이용한 F...2025.11.16
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전기공학에서의 오일러 항등식 응용2025.11.151. 오일러 항등식의 정의 및 기본 개념 오일러 항등식은 수학자 레오나르도 오일러에 의해 발견된 중요한 수학 공식으로, 지수 함수, 삼각 함수, 로그 함수 등 다양한 수학적 함수들 간의 관계를 나타낸다. 이 항등식은 수학의 여러 분야에서 널리 사용되며, 특히 전기공학 분야에서 전기회로의 해석과 설계에 매우 중요한 역할을 한다. 2. 복소수 전압과 전류 관계식 유도 오일러 항등식을 전기회로에 적용하여 복소수 전압과 전류의 관계식을 유도할 수 있다. 이 관계식을 이용하면 다양한 전기회로의 해석을 수행할 수 있으며, 복잡한 전기회로를 간...2025.11.15
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디지털집적회로설계 XOR 게이트 레이아웃 설계 및 시뮬레이션2025.11.151. Full CMOS XOR GATE 설계 트랜지스터 레벨에서 CMOS XOR 게이트를 직접 구현한 방식으로, 4개의 PMOS와 4개의 NMOS를 중앙 논리 부분에 사용하고 4개의 인버터를 포함하여 총 12개의 트랜지스터로 구현되었다. Mobility 비율 μn/μp = 2를 만족시키기 위해 wp = 2wn으로 설정하여 pull-up 네트워크의 PMOS 폭을 pull-down 네트워크의 NMOS 폭의 두 배로 디자인했다. 가로 11.46 μm, 세로 12.12 μm의 크기로 면적은 138.90 (μm)²이다. 2. Subcell ...2025.11.15
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전자회로1 HSPICE 프로젝트: MOSFET 트랜지스터 특성 분석2025.11.171. MOSFET 트랜지스터 특성 및 동작 영역 MOSFET의 Cutoff, Saturation, Linear(Triode) 영역의 특성을 분석했다. VGS-VTH=VDS 지점이 Saturation과 Linear 영역의 경계이며, VDS=VDD인 영역이 Cutoff 영역이다. HSPICE 시뮬레이션을 통해 V2 전압 변화에 따른 각 영역으로의 진입 시점을 확인했다. 트랜지스터 M1에서 V2=0.498V일 때 Saturation 영역으로, V2=0.817V일 때 Linear 영역으로 진입함을 확인했다. 2. Transconductan...2025.11.17