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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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[기초전자실험 with pspice] 19 RLC 공진회로 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RLC 직렬회로 공진 RLC 직렬회로의 공진주파수는 5.3KHz였으며, 전압은 공진 시 최소값을 가졌다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 위상이 앞서고, 높은 주파수에서는 위상이 늦춰진다. 2. RLC 병렬회로 공진 RLC 병렬회로가 공진할 때 전류 I1과 I2의 값이 비슷하다. 이는 리액턴스 성분이 상쇄되고 저항만 남기 때문이다. 공진주파수보다 낮은 주파수에서는 I1이 크고, 높은 주파수에서는 I2가 크다. 3. 공진주파수 이론값과 실험값 차이 공진주파수 이론값과 실험값의...2025.04.28