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비금속 질화물 h-BN, g-C3N4, Si3N4, SiON, P3N5의 합성 및 특성 분석2025.01.021. hexagonal boron nitride (h-BN) h-BN은 고온, 고압에서 borazine, boron oxide, boric acid 등의 precursor를 사용하여 합성할 수 있다. 합성된 h-BN은 graphite와 유사한 층상 구조를 가지며, XRD, SSNMR 등의 분석을 통해 결정성과 구조를 확인할 수 있다. 2. graphitic carbon nitride (g-C3N4) g-C3N4는 cyanamide, 2-cyanoguanidine, melamine 등의 precursor를 열처리하여 합성할 수 있다....2025.01.02
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금오공대 신소재 전자재료1 퀴즈2025.01.271. Electrochemical potential 전기화학 전위는 전기화학 시스템에서 전자의 이동을 나타내는 중요한 개념입니다. 전기화학 전위는 전극 표면에서 전자의 활동도를 나타내며, 이는 전극 반응의 구동력이 됩니다. 전기화학 전위는 전극 물질, 전해질 조성, 온도 등 다양한 요인에 의해 결정됩니다. 2. Photon 광자는 전자기파의 기본 단위로, 빛을 구성하는 기본 입자입니다. 광자는 에너지와 운동량을 가지며, 이를 통해 다양한 물리적 현상을 설명할 수 있습니다. 광자는 물질과 상호작용하며 전자의 전이, 발광 등의 현상을 ...2025.01.27
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금오공대 신소재 전자재료2 13장 과제2025.01.271. 비대칭 구조 비대칭 구조를 갖는 경우 입사각과 반사각이 같지 않다. 이 때 입사각과 반사각의 차이가 발생하게 된다. 2. 굴절률 차이 굴절률 A가 굴절률 B에 비해 0.1% 증가했으므로 두 굴절률의 차이는 3.6 × 0.001 = 0.0036이다. 3. Snell의 법칙 Snell의 법칙에 따르면 입사각의 sine와 굴절각의 sine의 비는 두 매질의 굴절률 비와 같다. 즉, sin(θ1)/sin(θ2) = n1/n2. 4. 간섭 경로 차이가 λ일 때 간섭이 발생한다. 입사각이 θ이고 굴절률이 n=1.55일 때, 경로 차이가 ...2025.01.27
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금오공대 신소재 전자재료2 11장 과제2025.01.271. Hagen-Rubens Eq 저주파 영역에서 금속의 전기 전도도와 반사도 사이의 관계를 나타내는 Hagen-Rubens 방정식에 대해 설명하고 있습니다. 금속의 순도가 증가할수록 전기 전도도가 감소하며, 적외선 영역에서 전도도가 큰 금속일수록 반사도가 크다고 설명하고 있습니다. 또한 온도가 증가할수록 전기 전도도와 반사도가 감소한다고 설명하고 있습니다. 2. plasma frequency 금속의 플라즈마 진동수에 대해 설명하고 있습니다. 플라즈마 진동수는 실질적으로 측정하기 어려우므로 굴절률 n과 소광계수 k로부터 구할 수 있...2025.01.27
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Flexible display 관련 자료 조사 및 발표자료2025.01.171. Flexible Display Flexible Display는 얇고 유연한 재료를 사용해 접거나 구부릴 수 있는 디스플레이 장치를 말한다. 현재 OLED는 높은 화질, 얇은 두께 등으로 사랑을 받고 있으며, 여기에 플렉서블한 구현까지 가능해져 주목받고 있다. 최근 삼성전자의 Z 플립이 인기를 끌면서 플렉서블 디스플레이 출하량이 내년 급증할 것으로 예측된다. 2. Flexible Display 변천사 디스플레이를 완만하게 구부릴 수 있는 Curved Display에서 시작하여, 양쪽 끝만 구부릴 수 있는 엣지 형태의 스마트폰 디...2025.01.17