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전자재료 보고서2025.05.101. 반도체 구성 물질의 물성 이해 및 반도체 성능저하 요인 개선 방안 반도체 구성 물질의 물성을 이해하고 high k 물질 및 low k 물질, graphene 등의 물질을 이용하여 반도체 성능향상을 도모하는 것이 주요 내용입니다. SiO2의 Scaling 한계로 인한 Gate Leakage와 Dram Capacitor의 Leakage 증가 문제를 해결하기 위해 High-K 유전체가 대두되었지만, 대부분의 High-K 유전체가 Crystallization-Induced 누설전류와 낮은 신뢰성을 가지고 있어 실리콘과의 계면상태가 우...2025.05.10
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금오공대 신소재 전자재료1 퀴즈2025.01.271. Electrochemical potential 전기화학 전위는 전기화학 시스템에서 전자의 이동을 나타내는 중요한 개념입니다. 전기화학 전위는 전극 표면에서 전자의 활동도를 나타내며, 이는 전극 반응의 구동력이 됩니다. 전기화학 전위는 전극 물질, 전해질 조성, 온도 등 다양한 요인에 의해 결정됩니다. 2. Photon 광자는 전자기파의 기본 단위로, 빛을 구성하는 기본 입자입니다. 광자는 에너지와 운동량을 가지며, 이를 통해 다양한 물리적 현상을 설명할 수 있습니다. 광자는 물질과 상호작용하며 전자의 전이, 발광 등의 현상을 ...2025.01.27
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금오공대 신소재 전자재료2 11장 과제2025.01.271. Hagen-Rubens Eq 저주파 영역에서 금속의 전기 전도도와 반사도 사이의 관계를 나타내는 Hagen-Rubens 방정식에 대해 설명하고 있습니다. 금속의 순도가 증가할수록 전기 전도도가 감소하며, 적외선 영역에서 전도도가 큰 금속일수록 반사도가 크다고 설명하고 있습니다. 또한 온도가 증가할수록 전기 전도도와 반사도가 감소한다고 설명하고 있습니다. 2. plasma frequency 금속의 플라즈마 진동수에 대해 설명하고 있습니다. 플라즈마 진동수는 실질적으로 측정하기 어려우므로 굴절률 n과 소광계수 k로부터 구할 수 있...2025.01.27
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Flexible display 관련 자료 조사 및 발표자료2025.01.171. Flexible Display Flexible Display는 얇고 유연한 재료를 사용해 접거나 구부릴 수 있는 디스플레이 장치를 말한다. 현재 OLED는 높은 화질, 얇은 두께 등으로 사랑을 받고 있으며, 여기에 플렉서블한 구현까지 가능해져 주목받고 있다. 최근 삼성전자의 Z 플립이 인기를 끌면서 플렉서블 디스플레이 출하량이 내년 급증할 것으로 예측된다. 2. Flexible Display 변천사 디스플레이를 완만하게 구부릴 수 있는 Curved Display에서 시작하여, 양쪽 끝만 구부릴 수 있는 엣지 형태의 스마트폰 디...2025.01.17
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PLED 소자 제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학2025.05.091. PLED 소자 제작 PLED 소자 제작 방법을 알아보고 PLED의 봉지공정을 통해 제작된 소자를 수분과 산소로부터 보호한다. 고분자 발광물질을 이용하여 PLED를 제작하는 실험을 수행하였다. 실험에서는 PEDOT:PSS, 발광층 고분자, 전자주입층 및 전극 증착, 봉지공정 등의 내용을 다루었다. 1. PLED 소자 제작 PLED(Polymer Light-Emitting Diode) 소자 제작은 유기 전자 소자 분야에서 매우 중요한 기술입니다. PLED 소자는 유기 반도체 물질을 이용하여 전기적 신호를 광학적 신호로 변환할 수 ...2025.05.09
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[경영분석]DART에서 KOSPI 대상 기업의 재무상태표, 손익계산서를 내려받은 후 수익성 분석을 수행하시오(삼성SDI를 대상으로)2025.05.101. 수익성 분석 기업의 수익성은 기업의 여러 가지 정책과 의사결정의 종합적 결과로 나타나게 된다. 다른 비율들은 기업이 어떻게 운영되고 있는가를 부분적으로 반영하지만, 수익성비율은 기업의 모든 활동을 종합적으로 반영하는 경영성과 지표이다. 수익성 분석에는 매출액이익률, 총자산이익률, 자기자본이익률 등이 있다. 2. 삼성SDI의 수익성 분석 삼성 SDI는 중ㆍ대형전지, 소형전지 등의 리튬이온 2차 전지를 생산/판매하는 에너지솔루션 사업부문과 반도체 및 디스플레이 소재 등을 생산/판매하는 전자재료 사업부문을 영위하고 있다. 에너지솔루...2025.05.10
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비금속 질화물 h-BN, g-C3N4, Si3N4, SiON, P3N5의 합성 및 특성 분석2025.01.021. hexagonal boron nitride (h-BN) h-BN은 고온, 고압에서 borazine, boron oxide, boric acid 등의 precursor를 사용하여 합성할 수 있다. 합성된 h-BN은 graphite와 유사한 층상 구조를 가지며, XRD, SSNMR 등의 분석을 통해 결정성과 구조를 확인할 수 있다. 2. graphitic carbon nitride (g-C3N4) g-C3N4는 cyanamide, 2-cyanoguanidine, melamine 등의 precursor를 열처리하여 합성할 수 있다....2025.01.02
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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고상합성법에 의한 BaTiO3 제조와 평가 (XRD 유전율 SEM)2025.05.101. BaTiO3 합성 및 평가 BaTiO3는 Perovskite 구조의 세라믹 물질로 압전성, 강유전성을 나타내며 커패시터, 전자통신 기기의 변환기 등에 사용된다. 본 실험에서는 고체 상태에서 입자의 확산을 통해 화학 반응을 일으키는 고상합성법(Solid State Reaction Method, SSRM)을 이용하여 TiO2와 BaCO3를 반응시켜 BaTiO3를 합성하였다. 실험 중간 과정 및 결과물에 대하여 XRD, SEM, 임피던스 측정기로 분석하였다. 2. 고상반응법을 이용한 BaTiO3 합성 고상반응법은 BaCO3와 TiO...2025.05.10
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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