총 40개
-
실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
-
MOSFET 실험 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. MOSFET 실험 이 보고서는 MOSFET의 전압-전류 특성을 이해하기 위해 진행된 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험 1-a에서는 NMOSFET을 사용했고, 실험 1-b에서는 PMOSFET을 사용했습니다. 실험 결과, MOSFET의 전압-전류 관계는 exponential한 특성을 가지고 있음을 확인할 수 있었습니다. 실험 1-a에서는 시뮬레이션 결과와 실험 결과가 잘 일치했지만, 실험 1-b에서는 시뮬레이션 결과와 실험 결과가 다르게 나타났습니다. 이는 MOSFET 설정값을 잘못 설정했기 때문으로 추정됩니다. 1. MOSFE...2025.01.12
-
[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
-
Diode의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험 실험을 통해 Diode의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과 Diode의 전압-전류 특성이 시뮬레이션 결과와 유사한 exponential 함수 형태로 나타났으며, Zener Diode의 경우 reverse 전압에서 일정한 전류가 유지되는 특성을 확인할 수 있었다. 실험값과 시뮬레이션 값이 정확히 일치하지 않는 이유는 시뮬레이션에서 실험 소자 내부 저항을 고려하지 않았기 때문으로 분석된다. 2. Diode의 전압-전류 특성 Diode의 전압-전류 특성 실험에서 전압과 전류의 관계가 exponent...2025.01.12
-
반도체 결과보고서2025.05.101. 반도체 다이오드의 전압-전류 특성 이번 실험은 다이오드의 순방향 및 역방향 전압에 대한 전류의 특성 곡선을 이해하고 저항의 전류-전압 특성을 확인하며 반도체 다이오드의 원리를 이해하기 위한 실험이었습니다. 범용 다이오드와 제너 다이오드에 걸어주는 전압에 대해 나타나는 전류를 관찰하며 다이오드의 문턱전압과 항복전압을 알아내고 두 다이오드의 차이점을 파악하였습니다. 실험 결과, 제너 다이오드와 범용 다이오드는 정방향 바이어스에서 동일한 특성을 보이지만 역방향 바이어스에서는 제너 다이오드의 항복전압이 범용 다이오드보다 낮게 나타났습...2025.05.10
-
건국대학교 전기전자기초실험2 다이오드1 예비레포트+결과레포트2025.01.221. 다이오드 종류 다이오드에는 정류 다이오드, 스위칭 다이오드, 정전압 다이오드, 가변 용량 다이오드, 발광 다이오드, MES(쇼트키) 다이오드, 수광 다이오드, 브릿지 다이오드 등 다양한 종류가 있다. 각 다이오드는 고유한 특성을 가지고 있어 다양한 용도로 사용된다. 2. 다이오드 극성 판별 다이오드는 양극으로부터 음극으로 전류가 흐르며 그 반대로는 전류가 흐르지 않는다. 이를 이용하여 순방향과 역방향의 저항을 측정하면 다이오드의 이상 유무나 극성을 알 수 있다. 아날로그 테스터기와 디지털 테스터기의 측정 방법이 다르므로 이를 ...2025.01.22
-
옴의 법칙 보고서2025.01.231. 옴의 법칙 이번 실험에서는 옴의 법칙을 실험적으로 확인하였다. 33Ω과 100Ω의 저항을 사용하여 전압과 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 이용하여 저항값을 계산한 결과, 실제 저항값과 매우 근접한 값이 측정되었다. 이를 통해 저항이 전압에 관계없이 일정한 저항값을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 다이오드의 경우 전압-전류 특성이 옴의 법칙을 만족하지 않는 비선형 특성을 보였다. 다이오드에 음의 전압이 가해지면 전류가 흐르지 않는 정류 작용을 관찰할 수 있었다. 또한 발광 다이오드의 경우 문턱 전압 이상에서 전류가 흐르며 ...2025.01.23
-
전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
-
전자회로설계실습 4번 예비보고서2025.01.201. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET의 문턱전압(VT), 전류계수(kn), 전압이득(gm) 등의 파라미터를 데이터시트와 시뮬레이션을 통해 구하고 비교하는 것입니다. 또한 MOSFET 회로를 구성하고 시뮬레이션을 수행하여 입출력 특성을 분석하는 내용도 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Se...2025.01.20
-
[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
1 / 4
