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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 9. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기2025.01.121. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 이론값과 측정값 사이에서 가장 큰 오차가 발생한 원인은 트랜지스터의 β값 차이 때문이다. 이론값을 작성할 때는 트랜지스터의 β값을 180으로 가정했지만, 실제 측정값을 통해 구한 β값은 200이었다. 따라서 트랜지스터의 β값 차이로 인해 이론값과 측정값 사이에 오차가 발생했다는 것을 알 수 있다. 1. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 이를 통해 ...2025.01.12
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중첩의 원리 & 테브낭, 노튼 정리 결과보고서2025.01.121. 중첩의 원리 실험을 통해 중첩의 원리가 적용되는지 확인하였다. 전압원의 위치가 다른 두 가지 회로에서 각각의 전압원을 하나씩 제거하여 구한 값과 모든 전압원을 연결한 값을 비교한 결과, 1% 정도의 오차율만 발생하여 중첩의 원리가 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다. 오차가 발생한 이유로는 실험에 사용된 전선 내 작은 저항, 회로 구성 및 연결 문제, 저항값의 변동 등이 고려되었다. 2. 테브낭 정리 책에 제시된 복잡한 저항회로를 실험을 통해 구현하고, 양단의 전압을 측정하여 테브낭 등가회로와 비교하였다. 실험값과 이론값...2025.01.12
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부산대 기초전기전자실험 예비보고서 1주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. 직류 회로 전압 측정 전압분배 법칙에 따르면 V0=3000/(1000+3000)*5= 3.75V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.677V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 4k옴으로 바꾼 후, V0는 전압분배 법칙에 따르면 4V 이다. 실험 결과 오실로스코프로 측정한 결과 3.923V로 이론값과 유사하게 측정되었다. 2. 교류 회로 전압 측정 이론 결과 주파수 1kHz, 진폭 5Vp-p, 오프셋 전압은 0V로 입력파형을 주었다. 실험 결과는 보고서에 자세히 기술되어 있다. 3. 직류 회로 전류 측정 옴의 법칙에 ...2025.05.16
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중앙대학교 A+ 펄스 회로 결과 보고서2025.01.291. 펄스 회로 펄스 회로는 지속 시간이 짧고 주기가 일정하게 반복되는 전류나 전압을 발생시키는 회로이다. 멀티바이브레이터는 펄스를 발생시키는 회로로, 비안정 멀티바이브레이터는 안정 상태 없이 주기적으로 펄스를 만들어내고, 단안정 멀티바이브레이터는 안정 상태와 불안정 상태를 가지며 일정 시간 후 안정 상태가 된다. 타이머 555는 가장 많이 사용되는 펄스 발생 장치로 비안정 및 단안정 멀티바이브레이터 회로에 사용된다. 쌍안정 멀티바이브레이터는 플립플롭이라고 하며, 신호가 들어오기 전까지의 상태를 기억하고 유지시켜준다. 클리퍼는 입력...2025.01.29
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[전기전자실험] 기르히호프 법칙 실험 보고서2025.04.281. 키르히호프의 전압법칙 키르히호프의 첫 번째 전압법칙은 '회로에서 임의의 폐 경로를 한 바퀴 돌았을 때, 각 소자에서 걸리는 전압의 대수적인 총합은 0'이라는 법칙이다. 실험에서는 이 법칙을 이용하여 회로의 전압을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과 전압의 총합이 0에 가까운 값을 얻을 수 있었으며, 약간의 오차는 소수점 자리를 임의로 끊었기 때문에 발생한 것으로 분석되었다. 2. 키르히호프의 전류법칙 키르히호프의 두 번째 전류법칙은 '회로 내의 임의의 마디에서 흘러나가거나 흘러들어오는 전류의 대수적인 총합은 0'이라는 법...2025.04.28
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[부산대 응용전기전자실험2] MOSFET 예비보고서2025.01.121. MOSFET buck chopper MOSFET buck chopper는 DC/DC 컨버터의 한 종류로, 입력 전압에 비해 출력 전압을 낮추는 회로입니다. 스위칭 소자가 ON 상태일 때는 전류가 흐르게 되며, LC 회로에 의해 고주파 부분은 GND로 빠져나가고 저주파 부분만 통과하게 됩니다. 스위칭 소자가 OFF 상태일 때는 LC 회로에 의해 전류가 더디게 감소하여, 결과적으로 전류의 리플은 약간 존재하지만 구형파를 DC 전압으로 출력할 수 있게 합니다. 2. MOSFET boost chopper MOSFET boost cho...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 11. LC 회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직병렬 회로의 임피던스 측정2025.01.121. RC 회로의 리액턴스 측정 및 전압 위상 변화 RC 회로에 5Vpp 1kHZ의 정현파를 인가했을 때 리액턴스 측정과 전압의 위상 변화를 확인하는 것이 목적이다. 리액턴스는 Xc = 1/(2πfC)를 통해 구했을 때 1591.55Ω의 값을 구할 수 있었고 1434의 측정값을 얻을 수 있었다. 전압의 위상을 관찰하기 위해 θ = tan^-1((Xc)/R)를 통해 구했을 때 -35.88의 값을 구할 수 있었고, 측정값을 통해 구했을 때는 -33.10의 값을 구했다. 리액턴스값이 약 10% 차이가 나는 것은 커패시터 용량 측정값 또한...2025.01.12
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서92025.05.141. RL 회로 설계 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실습에 필요한 기본 장비 및 부품이 제시되어 있으며, 구체적인 설계 실습 계획으로 C = 10nF인 커패시터와 R을 직렬 연결하여 Cutoff frequency가 15.92kHz인 LPF를 설계하는 것이 포함되어 있습니다. 1. RL 회로 설계 RL 회로 설계는 전자 회로 설계 분야에서 매우 중요한 부분입니다. RL 회로는 저항(R)과 인덕터(L)로 구성되며, 전류와 전압의 관계를 나타내는 미분 방정식을 통해 ...2025.05.14
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부산대 기초전기전자실험 결과보고서 7주차 A+보고서 1등보고서2025.05.161. Rc 회로 Rc 회로에서 R=2k옴, C=0.001F, 0.1uF일 때 입력전압이 2, 10kHz인 정현파일 때 회로 특성을 분석하였습니다. 실험값과 이론값이 유사하게 측정되는 것을 확인하였습니다. 2. RL 회로 RL 회로에서 저항 R은 300옴, 인덕터 L은 1mH, 0.15mH일 때 입력전압이 100[kHz], 2의 정현파일 때 회로 특성을 분석하였습니다. 실험값과 이론값이 유사하게 측정되는 것을 확인하였습니다. 1. Rc 회로 RC 회로는 저항(R)과 커패시터(C)로 구성된 전기 회로입니다. RC 회로는 전압 및 전류의...2025.05.16
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