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변압기 예비보고서2025.01.051. 변압기의 권선비와 전압/전류 관계 변압기의 권선비에 따라 1차 코일과 2차 코일 사이의 전압과 전류가 어떻게 변화하는지 실험을 통해 확인하였습니다. 권선비가 1:2인 경우 2차 코일의 유도 기전력이 1차 코일 공급 전압의 2배가 되는 것을 확인하였고, 1차 코일 전류와 2차 코일 전류의 비율이 권선비와 유사한 것을 확인하였습니다. 2. 변압기 극성 파악 변압기의 권선 연결 방식에 따라 극성이 달라지는 것을 실험을 통해 확인하였습니다. 권선 1-2, 5-6, 2-6 사이의 전압을 측정하여 권선이 직렬 - 보조 연결인지 직렬 - ...2025.01.05
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[부산대 응용전기전자실험2] MOSFET 예비보고서2025.01.121. MOSFET buck chopper MOSFET buck chopper는 DC/DC 컨버터의 한 종류로, 입력 전압에 비해 출력 전압을 낮추는 회로입니다. 스위칭 소자가 ON 상태일 때는 전류가 흐르게 되며, LC 회로에 의해 고주파 부분은 GND로 빠져나가고 저주파 부분만 통과하게 됩니다. 스위칭 소자가 OFF 상태일 때는 LC 회로에 의해 전류가 더디게 감소하여, 결과적으로 전류의 리플은 약간 존재하지만 구형파를 DC 전압으로 출력할 수 있게 합니다. 2. MOSFET boost chopper MOSFET boost cho...2025.01.12
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 11. LC 회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직병렬 회로의 임피던스 측정2025.01.121. RC 회로의 리액턴스 측정 및 전압 위상 변화 RC 회로에 5Vpp 1kHZ의 정현파를 인가했을 때 리액턴스 측정과 전압의 위상 변화를 확인하는 것이 목적이다. 리액턴스는 Xc = 1/(2πfC)를 통해 구했을 때 1591.55Ω의 값을 구할 수 있었고 1434의 측정값을 얻을 수 있었다. 전압의 위상을 관찰하기 위해 θ = tan^-1((Xc)/R)를 통해 구했을 때 -35.88의 값을 구할 수 있었고, 측정값을 통해 구했을 때는 -33.10의 값을 구했다. 리액턴스값이 약 10% 차이가 나는 것은 커패시터 용량 측정값 또한...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 12. RLC 회로의 주파수 응답 및 공진 회로2025.01.121. 직렬공진 실험 결과 및 계산 과정을 통해 직렬공진 회로의 특성을 확인하였다. 부품들의 측정값을 확인하고, 공진 주파수의 이론값과 측정값을 비교하였다. 공진 주파수에서 입력 전압과 측정된 저항의 전압이 다른 이유를 설명하였고, 공진 주파수의 이론값과 측정값의 차이가 발생하는 이유를 설명하였다. 또한 공진 회로가 유용한 경우에 대해 설명하였다. 2. 직렬공진 주파수 응답 0.0033μF와 0.01μF 커패시터를 사용하여 직렬공진 주파수 응답을 측정하고 분석하였다. 주파수 변화에 따른 전압과 위상차의 변화를 관찰하였고, 공진 주파수...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 13. 저역통과 및 고역통과 필터 회로2025.01.121. 저역통과 필터 실험에서 저역통과 필터 회로를 구성하고 주파수에 따른 출력전압과 위상을 측정하였다. 이론으로 구한 차단 주파수 15.92kHz와 실험으로 측정한 차단 주파수 15.84kHz가 74Hz 차이가 났는데, 이는 저항과 커패시터의 오차로 인해 발생한 것으로 보인다. 주파수가 증가할수록 출력전압이 감소하고 위상이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 2. 고역통과 필터 실험에서 고역통과 필터 회로를 구성하고 주파수에 따른 출력전압과 위상을 측정하였다. 이론으로 구한 차단 주파수 7.96kHz와 실험으로 측정한 차단 주파수 7...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 9. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기2025.01.121. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 이론값과 측정값 사이에서 가장 큰 오차가 발생한 원인은 트랜지스터의 β값 차이 때문이다. 이론값을 작성할 때는 트랜지스터의 β값을 180으로 가정했지만, 실제 측정값을 통해 구한 β값은 200이었다. 따라서 트랜지스터의 β값 차이로 인해 이론값과 측정값 사이에 오차가 발생했다는 것을 알 수 있다. 1. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 이를 통해 ...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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