총 5개
-
전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
-
공통 소오스 증폭기 실험 결과 보고서2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 이번 실험에서는 공통 소오스 증폭기 회로를 구현하고 실험을 진행했습니다. 실험 과정에서 이상과 현실의 차이, 장비의 한계 등으로 인해 교재의 실험 절차와 다른 방식으로 실험을 진행했습니다. 입력 전압을 변화시키면서 출력 전압을 측정하여 전압 이득을 계산했고, 입출력 임피던스도 구했습니다. 실험 결과, 약 10.6배의 전압 이득이 발생했으며, 입출력 임피던스 계산 시 약 20%의 오차가 발생했습니다. 이는 AC 전압 인가 시 전류 측정의 어려움 때문인 것으로 보입니다. 또한 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스...2025.01.02
-
울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
-
공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석에는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 포함된다. 다단 증폭기는 높은 전압 이득을 얻을 수 있지만, 주파수 응답 저하, 잡음 증폭, 왜곡 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이러한 요소들을 고려하여 설계해야 한다. 2. 공통 소스 증폭기 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 ...2025.01.29