총 5개
-
MOSFET 에너지 밴드2025.05.081. MOSFET 동작 모드 MOSFET은 Gate 전압에 따라 Accumulation, Depletion, Inversion 모드로 동작한다. Accumulation 모드에서는 전류가 흐르지 않고, Depletion 모드에서는 약간의 전류만 흐르며, Inversion 모드에서는 Source에서 Drain으로 전자가 이동하여 전류가 잘 흐른다. MOSFET의 동작 모드는 Gate 전압을 조절하여 변경할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET의 동작 영역은 Gate 전압과 Drain 전압의 조합에 따라 달라진다. Gate...2025.05.08
-
PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
-
반도체는 왜 단결정이 유리한가2025.05.081. 반도체 물질의 결정 구조 반도체 물질은 비정질, 다결정, 단결정으로 나뉘며, 단결정은 원자 배열이 완벽하게 일정한 규칙을 가지고 있어 경계면이 존재하지 않는다. 이에 반해 다결정은 경계면으로 인해 결함이 발생하여 전자 이동에 방해가 되고, 비정질은 원자 배열이 무작위여서 전자 이동도가 낮다. 2. 단결정 반도체의 장점 단결정 반도체는 에너지 밴드 구조가 균일하여 일괄 공정이 가능하고, 전자 이동이 빨라 고성능 소자, 집적회로, 광소자, 이미지 센서 등에 사용된다. 3. 다결정 및 비정질 반도체의 활용 다결정 실리콘은 디스플레이...2025.05.08
-
반도체물성_건국대_chp5_문제풀이2025.05.101. 반도체 물성 이 자료는 반도체 물성에 대한 문제 풀이를 다루고 있습니다. 반도체 물질의 전자 구조, 에너지 밴드, 도핑, 캐리어 농도 등 반도체의 기본적인 물리적 특성에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 반도체 소자의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 반도체 물성 반도체 물성은 반도체 소자의 작동 원리와 성능을 결정하는 핵심적인 요소입니다. 반도체 물성은 전자와 정공의 거동, 에너지 밴드 구조, 불순물 도핑, 결정 구조 등 다양한 물리적 특성을 포함합니다. 이러한 물성은 반도체 소자의 전기적, 광학적, 열적 특성...2025.05.10
-
pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08