1. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...

1. Common Emitter Amplifier 설계 Rsig=50Ω, RL=5kΩ, VCC=12V, β=100인 NPN BJT 2N3904를 사용하여 입력저항이 kΩ단위이고 증폭이득이 -100V/V인 Common Emitter Amplifier를 설계한다. Early effect를 무시하고 부하저항에 최대전력이 전달되도록 RC를 결정하며, emitter 저항을 삽입하여 회로의 안정성을 향상시킨다. 설계 과정에서 gm, IC, IB, IE, VC, VE, RE, R1, R2 등의 값을 계산하고 입력저항 Rin을 구한다. 2. PS...