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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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[한양대] 일반물리학및실험2 실험11 결과레포트2025.05.042025.05.04
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전도성 고분자 필름제조 및 특성분석2025.05.151. 저항과 전기 전도도의 관계 전류 I가 흐르고 있는 단면적 A, 길이 L인 도선에서 전기장은 전위가 낮아지는 방향으로 향하고 있으므로 점 a에서의 전위는 점 b에서의 전위보다 높다. 전류를 양전하의 흐름으로 생각할 경우 양전하는 전윅 krkath하는 방향으로 이동한다. 이 도선에서 전기장이 일정할 경우 두 점 a와 b사이의 전합강하는 V(전압)이다. 전류의 방향으로 생기는 전압강하의 전류에 대한 비를 도선의 저항이라 부른다. V=IR은 보통 Ohm's law라고 한다. 물질이나 용액이 전하를 운반할 수 있는 정도. 비저항의 역수...2025.05.15
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휘트스톤 브릿지 실험 레포트2025.05.011. 전도도 및 비저항 측정 전도도(또는 비저항)은 물질의 전기적 성질을 나타내는 중요한 정보를 제공합니다. 이를 실험적으로 결정하기 위해서는 먼저 저항을 정확하게 측정해야 하며, 이를 위해 휘트스톤 브릿지가 종종 사용됩니다. 본 실험에서는 휘트스톤 브릿지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하는 것이 목적입니다. 2. 휘트스톤 브릿지 구조 및 사용법 휘트스톤 브릿지는 저항을 정확하게 측정하기 위해 사용되는 장치입니다. 본 실험에서는 휘트스톤 브릿지의 구조와 사용법을 익히는 것이 중요한 목표 중 하나입니다. 실...2025.05.01
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Four-point probe resistivity measurement 예비보고서2025.05.051. 저항 전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 물리량을 저항이라고 하며 전압과 전류의 비로 표현할 수 있다. 또한 전도도의 역수를 비저항이라고 하고 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량을 표면저항이라고 한다. 2. 비저항 비저항은 물질의 고유한 값으로, 전자와 양공이 모두 전기전도에 참여하는 물질의 경우 전자 밀도, 양공 밀도, 전자 이동도, 양공 이동도 등으로 표현할 수 있다. 도체와 반도체의 온도에 따른 비저항 변화를 확인할 수 있다. 3. 표면저항 얇은 막의 저항을 나타내는 물리량으로 단위는 ohm/sq이며, 4-point p...2025.05.05
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금속의 전기저항 실험 보고서2025.11.161. 전기저항의 정의 및 오옴의 법칙 전기저항은 전기회로에서 전류가 흐르는 것을 방해하는 값으로, 단위는 옴(ohm)이다. 1옴은 1V의 전압으로 1A의 전류가 흐를 때 생기는 저항을 의미한다. 전류, 전압, 저항 사이의 관계는 오옴의 법칙 R=V/I로 표현되며, 이는 전기회로 분석의 기본이 된다. 금속은 상온에서 초전도체가 아니므로 저항을 가지며, 이로 인해 전선이 가열되는 현상이 발생한다. 2. 도선의 저항에 영향을 미치는 요소 도선의 저항은 도선의 종류, 길이(l), 단면적(A), 온도에 의존한다. 저항률(비저항) ρ를 이용하...2025.11.16
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중앙대 일반물리실험2 Wheatstone Bridge를 이용한 미지저항 측정 (조교님께 피드백 받은 보고서입니다.)2025.01.111. Wheatstone Bridge를 이용한 미지저항 측정 실험을 통해 Wheatstone Bridge의 원리를 이해할 수 있었다. Wheatstone Bridge 회로에서 검류계에 전류가 흐르지 않는다면 P,Q 지점에서 등전위를 이루며, Ohm의 법칙과 저항의 정의를 이용하여 미지저항의 저항값을 구할 수 있다. 실제 실험 결과 이 식을 이용하여 구한 값과 멀티미터로 측정한 값을 비교했을 때 대체로 0~1% 정도의 근소한 오차율을 나타냈다. 2. 색띠 저항값과 멀티미터 측정값 비교 실험(1)에서 기지저항과 미지저항의 색띠 저항값과...2025.01.11
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Hall Effect를 이용한 반도체 특성 평가 실험2025.11.161. Hall Effect (홀 효과) 전기 전도체를 횡단하여 전류와 수직인 방향으로 인가된 자기장에 따라 전위차(홀 전압)가 생성되는 현상입니다. 전하가 축적되어 발생한 전기장에 의해 전하가 받는 힘과 로렌츠 힘이 균형을 이룰 때 평형상태에 도달하며, 이때의 전압이 홀 전압입니다. 홀 효과는 반도체의 전하 운반자 특성을 파악하는 데 중요한 역할을 합니다. 2. 반도체 유형 판별 (n-type vs p-type) n-type 반도체는 전자가 주요 전하 운반자이며 홀 계수가 음수값을 나타내고, p-type 반도체는 양공(정공)이 주요...2025.11.16
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일반물리실험2 < 비저항 측정실험, 전기 회로 실험 > A+ 레포트2025.05.011. 비저항 측정실험 비저항은 지름을 알고 있는 철사의 저항값을 철사의 길이에 대한 함수로 나타내어 계산한다. 길이가 고정된 철사의 저항값은 철사의 단면적에 반비례함을 파악한다. 실험 결과 분석을 통해 비저항은 철사의 길이 및 단면적에 무관한 물리량이며, 물질에 따라 고유한 값을 가지는 물질의 특성임을 확인할 수 있었다. 2. 전기 회로 실험 휘트스톤 브리지의 구조 및 사용법을 익히고, 이를 활용해 미지 저항의 값을 측정한다. 실험 결과 분석을 통해 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항값을 정확하게 측정할 수 있음을 확인하였다. 1...2025.05.01
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숭실대학교 신소재공학실험2 반도체 소자 전기적 특성 분석 결과보고서2025.01.211. 반도체 소자 전기적 특성 분석 이 보고서는 반도체 소자의 전기적 특성을 분석하기 위해 SEM, AFM, TEM, OM, Alpha step, Four-point probe 등의 분석 기법을 사용한 실험 결과를 다루고 있습니다. 실험을 통해 표면 morphology, 단면 두께, 소자 면적, 상부 전극 두께, 금속 막의 비저항 등을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과 분석에 따르면 불순물, 온도, 금속 막의 구조 등의 요인으로 인해 실험값과 이론값의 차이가 발생하였으며, 금속 막의 두께 감소에 따라 비저항이 증가하는 것을 확인하...2025.01.21
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