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[경영전략론 A] 휴넷_경영전략론 과제-벤치마킹 기법을 활용하여 실제 대상을 선정하고 Work Sheet 작성2025.05.071. 삼성전자 삼성전자는 가전제품, TV, 반도체, 컴퓨터, 모바일 기기 등을 주로 판매하는 글로벌 전자기업입니다. 삼성전자는 반도체 시장에서 선도적인 위치를 차지하고 있으며, 고객 만족을 위해 다양한 서비스를 제공하고 있습니다. 또한 지속적인 수익성 향상과 경쟁력 확보를 통해 시장을 리드하고 있습니다. 1. 삼성전자 삼성전자는 한국을 대표하는 글로벌 기업으로, 전자, 반도체, 디스플레이 등 다양한 분야에서 세계적인 경쟁력을 보유하고 있습니다. 특히 스마트폰 시장에서 압도적인 점유율을 차지하며 혁신적인 제품을 선보이고 있습니다. 또...2025.05.07
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화학실험기법2_exp1. Synthesis and Optical Properties of CdSe Quantum Dots2025.01.211. 양자점(Quantum Dot) 양자점은 입자의 지름이 나노미터 단위 이하의 크기를 가지는 반도체 나노 입자를 말한다. 양자점은 입자의 크기별로 다양한 색을 나타내며 독특한 특성을 보여 최근 바이오 센서, 디스플레이 등의 여러 첨단 분야에 사용되고 있다. 입자의 크기가 작아질수록 파장은 짧아지고 더 높은 에너지를 가지며 색깔은 초록색-노란색에서 주황색-빨간색으로, 형광은 파란색에서 노란색으로 변한다. 이는 band gap과 관련이 있다. 2. Band Gap Band gap (Eg)는 HOMO-LUMO energy gap으로 알...2025.01.21
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CdSe 양자점 합성2025.01.131. 양자점 양자점은 양자 현상을 입증하는 훌륭한 자원이다. 양자점을 합성하는 두 가지 새로운 방법이 제시되어 있다. 비교적 낮은 반응 온도에서 진행되는 이러한 반응은 안전하고 학부생 실험실에서 쉽게 수행할 수 있다. 양자점은 밝은 발광, 넓은 들뜸 프로파일, QD의 좁은 방출 스펙트럼 등 눈에 띄는 광학적 특성을 보이는 반도체 나노결정체이다. 이 나노구조들은 영상촬영용 광학 프로브와 같은 응용 프로그램, 대상 태양 전지를 위한 라벨링, 온도 갑지, 감작기와 같이 매우 다양한 방법으로 조사되어 왔다. 2. CdSe 양자점 합성 이 ...2025.01.13
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중국의 반도체 및 인공지능(AI) 개발 경쟁력이 최소 20년 이상 뒤처질 수 있는 이유2025.05.051. 중국의 대학교육 체계 부족 중국의 대학교육 체계가 아직 부족하다는 점이 있다. 대학교육의 수준이 낮아 기술력 있는 인재를 양성하기 어렵기 때문에 기술 개발에 한계가 있다. 2. 지식재산권 보호 및 기술 유출 문제 지식재산권 보호와 관련된 법적 인프라가 부족하여 기술 유출이 많다는 점도 문제이다. 3. 중국의 기술 인프라 구축 부족 중국의 인프라 구축이 미국과 일본에 비해 뒤쳐져 있어 기술 개발에 어려움을 겪고 있다. 특히, 중국의 반도체 산업은 고도의 기술력과 막대한 자본 투자가 필요하지만, 중국 정부의 지원이 부족해 기술적으...2025.05.05
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실험3광전 소자의 특성 실험2025.05.111. LED의 특성 LED는 자신의 단자에 전류나 전압이 인가 될 때 빛을 발생 시키는 반도체 소자로, 광전자 소자로 구분되기도 한다. LED는 백열전구에 비해서 긴 수명과 낮은 소비 전력을 갖기 때문에 전자 장비에서 가장 널리 사용되는 광원이다. LED는 다른 반도체 다이오드와 유사하게 기본적으로는 PN 접합형 다이오드와 같이 순 방향으로 바이어스 되거나 역방향으로 바이어스 된다. 순방향으로 바이어스 되면 순방향 전류에 대한 응답으로 빛을 발광 한다. 2. 7 세그먼트 LED 디스플레이 LED가 가장 널리 사용되는 응용 분야 중 ...2025.05.11
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대한민국의 과학 기술과 문화의 우수성2025.01.231. 반도체 산업의 선도적 위치 대한민국은 세계 반도체 시장에서 선도적인 위치를 차지하고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 메모리 반도체 분야에서 세계 최고 수준의 기술력을 보유하고 있으며, 이는 강력한 R&D 투자와 정부의 지원 정책 덕분이다. 또한 첨단 공정 기술에서의 경쟁력을 바탕으로 글로벌 시장에서 우위를 점하고 있다. 2. 정보통신 기술의 혁신과 초고속 인터넷 인프라 대한민국은 세계 최고 수준의 정보통신 기술(ICT)과 초고속 인터넷 인프라를 구축한 국가로 알려져 있다. 이를 바탕으로 5G 네트워크 상용화, 차세대 통신 기술...2025.01.23
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 9주차 예비레포트2025.05.101. Transformer Transformer는 서로 다른 두 개의 인덕터가 평행하지만 서로 연결되지 않은 구조로 이루어져 있다. 인덕터의 성질을 이용하여 전기 에너지를 한 쪽에서 반대쪽으로 전달하는 기능을 한다. 입력 전원에 의해 왼쪽 인덕터에 전류가 흐르면 그 전류로 인해 자기장이 발생하고, 이렇게 발생한 자기장으로 인해 반대편 인덕터에는 전자기 유도에 의한 유도 전류가 흐르게 된다. 이때 전달된 전압과 전류는 두 인덕터의 감은 수에 영향을 받는다. 2. Diode Diode는 P형 반도체와 N형 반도체가 PN접합을 이루고 있...2025.05.10
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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[세종대학교] [전자정보통신공학과] [기초반도체] 2022 HW012025.05.031. BCC 구조 결정의 원자 농도 BCC 구조 결정의 격자상수가 a라고 할 때, 원자 농도는 (8/a^3)개/단위 부피로 계산할 수 있다. 2. BCC 구조에서 FCC 구조로의 상전이 BCC 구조에서 FCC 구조로 상전이가 일어나면 원자 충진율과 격자상수는 거의 변화가 없지만, 최근접 이웃원자 간의 거리와 배위수는 동일하게 유지된다. 상전이 후 격자상수가 30% 증가하면 결정은 팽창된 것으로 볼 수 있다. 3. Vegard's Law를 이용한 삼원 화합물반도체 특성 분석 Vegard's Law에 따르면 삼원 화합물반도체의 격자상수...2025.05.03
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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