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전자기적특성평가_Hall effect 결과보고서2025.01.021. Hall effect Hall effect 측정 실험을 통해 Sample A와 B 각각의 면저항과 캐리어 농도로 홀 계수, 홀전압, 비저항, 전기전도도, 캐리어 이동도를 구하고, Sample A와 B가 각각 어떤 Type의 반도체인지 알아보았다. 홀 효과는 도체가 자기장 속에 놓여 있을 때 자기장에 직각방향으로 전류를 흘려주면 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차가 발생하는 현상이다. 이를 통해 재료의 전하 캐리어의 종류와 다수 캐리어의 농도 및 이동도를 측정할 수 있다. 실험 결과, Sample A는 n-type 반도...2025.01.02
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건국대학교 전기전자기초실험2 다이오드1 예비레포트+결과레포트2025.01.221. 다이오드 종류 다이오드에는 정류 다이오드, 스위칭 다이오드, 정전압 다이오드, 가변 용량 다이오드, 발광 다이오드, MES(쇼트키) 다이오드, 수광 다이오드, 브릿지 다이오드 등 다양한 종류가 있다. 각 다이오드는 고유한 특성을 가지고 있어 다양한 용도로 사용된다. 2. 다이오드 극성 판별 다이오드는 양극으로부터 음극으로 전류가 흐르며 그 반대로는 전류가 흐르지 않는다. 이를 이용하여 순방향과 역방향의 저항을 측정하면 다이오드의 이상 유무나 극성을 알 수 있다. 아날로그 테스터기와 디지털 테스터기의 측정 방법이 다르므로 이를 ...2025.01.22
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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삼성도 망할 수 있다2025.01.041. 삼성전자의 위기 삼성전자는 오랫동안 위기 의식을 가지고 있는 기업으로, 시장에서 좋은 평가를 받고 있을 때도 내부적으로 위기 상황이라고 인식하고 있다. 최근에도 반도체 부문의 어려움과 스마트폰 시장 포화로 인한 위기 상황에 직면해 있다. 특히 젊은 소비자들의 선호도가 낮아지고 중국 업체들의 성장으로 인해 어려움을 겪고 있다. 삼성전자는 프리미엄 제품 시장과 보급형 제품 시장에서 균형을 잡아야 할 것으로 보인다. 1. 삼성전자의 위기 삼성전자는 현재 다양한 도전에 직면해 있습니다. 첫째, 스마트폰 시장에서의 경쟁 심화로 인한 수...2025.01.04
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금오공대 신소재 반도체공정 시험 정리2025.01.271. 반도체 재료 Ge / Si Ge은 최초로 반도체에 사용한 물질로 Si보다 캐리어의 mobility가 높아 성질이 우수하지만, 성능이 금방 저하된다. Ge의 산화는 Si보다 빨라 산화로 인해 물질과 성질의 변형으로 오랜 사용이 불가능하므로 외부 요인에 의한 영향이 큰 Ge보다 Si을 사용하기 시작한 것이다. Si은 Ge보다 안정성이 좋아 표면에서 산소와 결합하여 SiO2층을 형성하여 성능이 꾸준히 유지 된다는 점과 흔하다는 장점이 있다. 또한, 전하 운반자 제어가 쉬워 도핑하기가 쉬우며 산소와 질소에 안정적이므로 기판 물질로 잘...2025.01.27
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삼성전자, LG생활건강, SKT 등 다각화된 기업의 사업부 분석2025.01.251. 삼성전자 사업부 분석 삼성전자는 다각화된 기업으로서 다양한 사업부를 운영하고 있다. 주요 사업부는 반도체, 디스플레이 패널, IT 및 모바일, 소비자가전, 네트워크 등으로 구성되어 있다. 각 사업부는 독립적으로 운영되면서도 상호 보완적으로 작용하여 삼성전자의 글로벌 경쟁력을 높이고 있다. 반도체 사업부는 메모리 반도체와 비메모리 반도체로 구성되어 있으며, 디스플레이 사업부는 OLED와 LCD 패널을 생산하고 있다. IT 및 모바일 사업부는 스마트폰, 태블릿, PC, 웨어러블 기기 등을 제조 및 판매하고 있으며, 소비자가전 사업...2025.01.25
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반도체에 대해서2025.01.281. 반도체의 개요 반도체는 도체와 절연체의 중간적인 성질을 가지고 있는 물질로, 전자의 이동이 자유롭지 않지만 외부 조건에 따라 전기 전도성이 변화할 수 있다. 반도체 물질에는 실리콘, 게르마늄 등이 있으며, 이들은 전자와 양공이라는 두 종류의 전하 운반자를 가지고 있다. 반도체의 전기적 특성은 이러한 전하 운반자의 움직임에 의해 결정된다. 2. 도체와 반도체의 구분 기준 도체와 반도체를 구분하는 주요 기준은 전도대와 가전자대 사이의 에너지 간격 크기이다. 에너지 간격이 넓은 물질은 절연체, 중간 정도인 물질은 반도체, 에너지 간...2025.01.28
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중견기업의 올해 수출 전망과 글로벌 공급망 인사이트2025.01.041. 중견기업의 올해 수출 전망 중견기업 74%가 올해 수출 실적이 지난해와 비슷하거나 다소 증가할 것으로 예상하고 있습니다. 중견기업들은 미국 시장 진출을 최우선으로 검토하고 있으며, 한미 정상회담을 통해 수출 경쟁력을 높일 수 있는 성과를 기대하고 있습니다. 수출 리스크로는 세계 경기 둔화, 환율 변동성 확대, 물류 비용 상승, 보호무역주의 확산 등이 지적되었으며, 수출국 다변화와 정부 지원 사업 활용이 주요 해소 방안으로 제시되었습니다. 2. 인력난 문제와 스마트물류 인구 절벽으로 인한 국내 물류 인력난 문제가 심각해지면서 스...2025.01.04
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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반도체 D램, 낸드플래시 등의 발전 현황2025.01.021. D램 발전 현황 D램은 CPU 성능 향상과 함께 발전해왔으며, 최근 DDR5 D램이 서버 시장을 중심으로 도입되고 있다. DDR5는 전력 관리 기능이 모듈로 올라오고 다양한 반도체가 탑재되는 등 큰 변화가 있다. 또한 CXL D램은 이기종 메모리 간 공유와 대용량 확장이 가능한 차세대 인터페이스로 주목받고 있다. 그래픽카드용 GDDR D램도 지속적으로 발전하고 있다. 2. 낸드플래시 발전 현황 낸드플래시 업체들은 단수 증가를 통한 고집적화에 주력하고 있다. 삼성전자는 128단 싱글 스택 식각 기술을 보유하고 있어 원가 경쟁력이...2025.01.02
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