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[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습12025.01.041. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 이번 실습에서는 바이폴라 트랜지스터의 특성을 관찰하였습니다. 회로를 브레드보드에 구성하고 오실로스코프를 사용하여 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압, 콜렉터 전류, 특성곡선을 관찰하였습니다. 바이폴라 트랜지스터의 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과 유사하지만, 포화영역이 존재한다는 차이점이 있습니다. 2. 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성 관찰 실습 6.2에서는 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성을 관찰하였습니다. 오실로스코프를 사용하여 베이스 전류와 콜렉터 전류를 관...2025.01.04
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10