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MOSFET 증폭기 회로 예비보고서2025.01.021. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET를 사용한 소스 접지 증폭기의 바이어스 방법과 기본적인 특성을 이해하도록 한다. n 채널 MOSFET의 구조와 동작 원리, 동작 영역에 따른 드레인 전류 특성, 소스 공통 증폭기의 구조와 특성 등을 설명하고 있다. 실험을 통해 MOSFET의 특성과 소스 공통 증폭기의 동작을 확인하고자 한다. 1. MOSFET 증폭기 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 증폭기 회로는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. MOS...2025.01.02
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MOSFET 기본특성 실험 결과보고서2025.11.171. MOSFET 동작 영역 MOSFET은 세 가지 동작 영역으로 구분된다. 차단 영역은 VGS가 문턱 전압보다 낮을 때 발생하며 전류가 흐르지 않는다. 트라이오드 영역은 VGD가 문턱 전압보다 클 때 나타나며 드레인 전류가 VDS에 따라 변한다. 포화 영역은 VGD가 문턱 전압보다 작을 때 발생하며 VDS가 증가해도 드레인 전류는 일정하게 유지된다. 본 실험에서 5.5V 이상의 VDS에서 포화 영역 특성을 확인했다. 2. NMOS와 PMOS의 특성 비교 NMOS는 게이트에 양의 전압을 인가하면 p형 기판이 n형으로 반전되어 채널이...2025.11.17
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JFET 바이어스 회로 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정되며, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만난다. 실험에서 IDSS=9.4854mA, Vp=-2.9520V를 측정하였고, VGS=-1V일 때 IDQ(계산값)=4.147mA, IDQ(측정값)=4.4893mA로 나타났다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의되며, 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류...2025.11.17
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MOSFET의 특성 분석 및 실험2025.11.181. MOSFET의 구조 및 동작 원리 MOSFET은 Source, Gate, Drain 세 개의 단자로 구성되며, Gate-Source 간 전압(V_GS)과 Drain-Source 간 전압(V_DS)에 의해 동작한다. V_GS가 임계전압(V_TN)보다 클 때 inversion layer가 생성되어 드레인 전류(i_D)가 흐른다. MOSFET은 BJT에 비해 면적이 작고 제조공정이 간단하며, majority carrier에 의해 동작하므로 on-off 전환이 빠르다. 2. MOSFET의 동작 영역 MOSFET은 세 가지 동작 영역으...2025.11.18