1. ALD를 통한 TiO2 박막 형성 실험에서는 ALD 공정을 통해 p-type Si 기판과 p++-type Si 기판에 TiO2 박막을 형성하였다. 기판의 도핑 농도에 따라 증착된 박막의 두께가 달랐는데, 도핑이 적은 p-Si 기판에 비해 도핑이 많은 p++-Si 기판에서 상대적으로 박막이 얇게 형성되었다. 이는 도핑이 TiO2의 확산을 방해하거나 충돌을 유발하기 때문인 것으로 분석된다. 2. TiO2 박막 두께 측정 TiO2 박막의 두께는 Ellipsometry와 XRF 장비를 사용하여 측정하였다. 두 장비의 측정 원리가 다르...