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아날로그및디지털회로설계실습 (예비)설계실습 4. 신호발생기 A+2025.01.291. Wien bridge 회로 설계 주어진 Wien bridge 회로에서 V+와 V-의 관계식을 구하고, 1.63 kHz에서 발진하는 Wien bridge 회로를 설계하였습니다. 발진 조건을 만족하는 R1, R2 값을 계산하여 회로를 구현하였고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT plot을 확인하였습니다. 2. Wien bridge oscillator 안정화 다이오드를 사용하여 Wien bridge oscillator를 안정화하는 회로를 설계하였습니다. 대신호에서 다이오드 하나가 Forward bias되어 피드백 저항과 Op ...2025.01.29
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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실험3광전 소자의 특성 실험2025.05.111. LED의 특성 LED는 자신의 단자에 전류나 전압이 인가 될 때 빛을 발생 시키는 반도체 소자로, 광전자 소자로 구분되기도 한다. LED는 백열전구에 비해서 긴 수명과 낮은 소비 전력을 갖기 때문에 전자 장비에서 가장 널리 사용되는 광원이다. LED는 다른 반도체 다이오드와 유사하게 기본적으로는 PN 접합형 다이오드와 같이 순 방향으로 바이어스 되거나 역방향으로 바이어스 된다. 순방향으로 바이어스 되면 순방향 전류에 대한 응답으로 빛을 발광 한다. 2. 7 세그먼트 LED 디스플레이 LED가 가장 널리 사용되는 응용 분야 중 ...2025.05.11
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 3주차2025.05.041. 함수 발생기와 오실로스코프 실험의 목적은 함수 발생기와 오실로스코프를 사용할 줄 아는 것이다. 실험을 통해 커패시터, 인덕터, 다이오드를 포함한 회로의 파형이 어떻게 달라지는지 파악할 수 있었다. 2. 커패시터 커패시터는 회로에서 전기 용량을 전기적인 위치에너지로 저장하는 장치이다. 두 판의 표면과 유전체, 측 절연체가 맞닿은 부분에 전하가 저장되며, 두 개의 도체와 유전체의 표면에 모이는 전하량은 부호가 다른 같은 양의 전하이다. 이로 인해 전기적인 인력이 발생하고, 이 인력에 의해 전하들이 모이게 되어 에너지가 저장된다. ...2025.05.04
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A+받은 정류회로 예비레포트2025.05.101. 반파 정류회로 반파 정류회로의 출력파형을 측정하였습니다. 반파 정류회로는 정현파 교류의 한 반주기만 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.318배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)는 입력 전압의 최대값과 같습니다. 2. 전파 정류회로(중간탭) 전파 정류회로(중간탭)의 출력파형을 측정하였습니다. 전파 정류회로는 정현파 교류의 양의 반주기와 음의 반주기를 모두 직류로 변환하는 방식으로, 평균 직류 전압은 입력 전압의 최대값의 0.636배가 됩니다. 다이오드의 피크 역방향 전압(PIV)...2025.05.10
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A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
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전자공학실험 2장 PN 정류회로 A+ 결과보고서2025.01.151. 반파 정류회로 실험회로 1([그림 2-12])에서, v_s에 피크 값이 5V이고 주파수가 100Hz인 정현파를 인가한다. 부하 저항 R에 10kΩ을 연결하고, 입력 v_s와 출력 V_O의 파형을 측정해서 [그림 2-22]에 기록하였다. [그림 2-22]의 파형으로부터 출력 V_O의 평균값(root mean square)을 구하였다. 실험 중 오류를 발견했는데, 실험회로 1에 대해 사인파를 가해줄 때 waveform generator의 Amp를 10V가 아닌 5V로 설정해줬음을 깨닫게 되었다. 따라서 V_m값 또한 원래 나와야 ...2025.01.15
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물리화학실험 basic electronics 실험보고서2025.05.051. 다이오드 다이오드는 2개의 단자를 갖는 전자 부품으로 한쪽에는 낮은 저항을, 다른쪽에는 높은 저항을 둬 전류가 한쪽으로만 흐를 수 있게하는 물질이다. 오늘날 가장 많이 쓰는 다이오드는 반도체 다이오드로 P-N접합을 포함한 소재에 연결되어있다. 실험에서 사용한 다이오드도 pn접합 다이오드로 실리콘 다이오드가 가장많이 만들어진다고 한다. 실험 결과 게르마늄 다이오드는 0.3~0.4V에서, 실리콘 다이오드는 0.5~0.7V정도에서 전류값이 갑자기 증가하는 것을 보였는데, 이는 각자의 문턱저항을 의미한다. 문턱저항 이상에서는 전류가 ...2025.05.05
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 신호발생기2025.05.101. Wien bridge RC 발진기 Wien bridge RC 발진기를 이용하여 신호 발생기를 설계, 제작, 측정하고 그 동작을 확인하는 실습을 수행했습니다. 실습에서는 Wien bridge 회로의 관계식을 도출하고, 1.63 kHz에서 발진하는 회로를 설계했습니다. 또한 발진 조건을 만족하는 저항값을 찾고, 시뮬레이션을 통해 출력 파형과 FFT 분석을 수행했습니다. 마지막으로 다이오드를 사용하여 Wien bridge 발진기를 안정화하는 회로를 설계하고, 다이오드의 역할에 대해 설명했습니다. 1. Wien bridge RC 발진...2025.05.10
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