총 129개
-
[예비보고서] 5.전압 제어 발진기 (VCO)2025.04.251. 슈미츠 회로의 특성 본 실습에서 IC로 UA741 Op amp를 이용한다. 목적은 전압제어 발진기(VCO: Voltage Controlled Oscillator)를 설계하고 전압을 이용한 발진 주파수의 제어를 확인하는 것이다. 이 때 적분기 회로에 인가되는 전압의 크기에 따라 출력 전압이 일정한 값에 도달하는 시간이 변하는 것을 이용하여 주파수를 제어한다. Large signal voltage gain 로 주어진 UA741의 반전 및 비반전 입력 단자를 virtual short로 간주할 수 있어 일반적인 적분기 회로의 구성에 ...2025.04.25
-
중앙대 전자회로설계실습 결과1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계 A+2025.01.271. Op Amp를 이용한 Amplifier 설계 본 실험에서는 Op Amp를 이용하여 다양한 Amplifier 회로를 설계하고 분석하였다. 먼저 센서 구현을 위해 Function generator를 이용하여 정현파를 생성하고 오실로스코프로 측정하였다. 다음으로 Inverting Amplifier 회로를 설계하여 이득을 측정하고 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교하였다. 또한 입력 범위와 주파수 응답 특성을 분석하였으며, 입력 임피던스 변화에 따른 출력 전압 변화를 관찰하였다. 실험 결과를 토대로 설계 목표와의 오차 원인을 분석하고...2025.01.27
-
공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
-
아주대학교 A+전자회로실험 실험5 예비보고서2025.05.091. 능동 필터 회로 실험 목적은 능동 필터 회로를 사용하여 1차 저역 통과 필터, 2차 저역 통과 필터, 2차 고역 통과 필터를 구성하고 차단 주파수와 전압 이득, 데시벨 이득을 알아보는 것입니다. 수동 필터와 능동 저역 통과 필터, 2차 능동 저역 통과 필터, 2차 능동 고역 통과 필터에 대한 이론을 설명하고 있습니다. 실험 과정, 이론에 따른 파형 및 결과 예상, Pspice 시뮬레이션 결과, 이론과 시뮬레이션 결과 비교 및 오차 분석 등이 포함되어 있습니다. 1. 능동 필터 회로 능동 필터 회로는 수동 필터 회로에 비해 더 ...2025.05.09
-
중앙대학교 전자회로설계실습 Common Emitter Amplifier 설계2025.05.101. Common Emitter Amplifier 설계 전자회로 설계 및 실습 예비보고서에서 Common Emitter Amplifier 회로를 설계하는 과정이 설명되어 있습니다. 주요 내용으로는 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier 회로 설계, 이론부의 overall voltage gain 식을 이용한 부하저항 결정, 바이어스 전압 및 저항 값 계산, PSPICE 시뮬레이션을 통한 출력 파형 분석, 입력 신호 크기 조절을 위한 추가 저항 설계 등이 포함되어 있습니다. 1. Common Emitt...2025.05.10
-
A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
-
중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
-
[기초전자실험 with pspice] 13 커패시터 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 커패시터 커패시터는 전하를 저장(충전)하는 기능을 가진 부품이다. 커패시터는 유전체를 가운데 두고 양쪽에 전극(도체판)이 놓여 있는 구조로 만들어져 있다. 커패시터에 전압이 인가되면 [+]와 [-]의 전하들이 유전체를 사이에 두고 전극에 대전되어 충전이 이루어진다. 커패시터의 충전 용량을 커패시턴스라고 하며, [F]을 단위로 사용한다. 커패시터에는 전해 커패시터, 세라믹 커패시터, 탄탈 커패시터, 마일러 커패시터 등 다양한 종류가 있다. 커패시터를 직렬 또는 병렬로 연결하면 전체 커패시턴스가 변화하며, 커패시터에 교류전압을 인...2025.04.28
-
실험 18_증폭기의 주파수 응답 특성 예비보고서2025.04.281. 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험하여 대역폭의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 대역폭은 증폭기의 응용 범위를 결정하는 중요한 척도이다. 실험을 통해 증폭기의 전압 이득과 대역폭의 곱이 일정한 관계가 있음을 이해하고자 한다. 2. MOSFET의 고주파 모델 MOSFET의 고주파 대역에서의 소신호 등가회로는 게이트-소스 커패시턴스와 게이트...2025.04.28
-
(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 1. Op Amp를 이용한 다양한 Amplifier 설계2025.04.301. 센서 측정 및 등가회로 센서의 출력신호를 측정하고 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 설명하였습니다. 센서의 출력전압이 200mV이고 부하에 걸리는 전압이 100mV일 때, 센서의 Thevenin 등가회로를 구하였습니다. 또한 Function generator의 출력을 100mV로 설정하여 센서의 등가회로를 구현하는 방법을 제시하였습니다. 2. Inverting Amplifier 설계 및 시뮬레이션 센서의 출력을 증폭하기 위해 Inverting Amplifier를 설계하였습니다. 설계 과정과 PSPICE 시뮬레이션 결과를...2025.04.30
9 / 13
