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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 결과레포트2025.05.101. Half wave rectifier 실험 결과 Half wave rectifier 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 다이오드의 Threshold 전압으로 인해 출력 전압이 입력 전압보다 감소하는 것을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 실험 결과와 이론값을 비교하였고, 약간의 오차가 있음을 확인하였다. 2. Voltage clipper 실험 결과 Voltage clipper 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 두 개의 다이오드가 서로 반대 방향으로 연결되어 있어 Thresho...2025.05.10
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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디지털집적회로설계 실습 3주차 보고서2025.05.161. NMOS 단과 GND n-diff, ndc, poly를 이용해 NMOS를 그리며, n-diff는 실리콘 웨이퍼에 n-type 도펀트를 도입하고, ndc는 n-diff와 poly를 연결하는 역할을 한다. poly는 gate 역할을 하며, pwc는 GND와 p-substate 사이의 연결 역할을 한다. metal은 wire 역할을 한다. NMOS 단은 Boolean Equation에 따라 직렬로 연결되어야 한다. 2. PMOS 단과 VDD n-well, p-diffusion, pdc와 poly를 이용해 PMOS를 그리며, meta...2025.05.16
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