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전기회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.201. RC회로의 시정수 측정 이번 실험을 통해 RC회로의 동작에 대하여 알아보았다. RC회로를 구성하여 커패시터가 전압을 충,방전 하는데 걸리는 시간을 알아보고 Function generator의 파형을 다르게 하여 커패시터와 저항에 걸리는 전압파형을 관찰하며 커패시터의 전압 충전과 방전 과정을 Oscilloscope를 통해 확인하였다. 이를 통해 커패시터의 역할, 원리, 주기에 따라 RC회로의 응답이 바뀌는 과정을 배웠다. 2. DMM의 내부저항 측정 DMM에 걸리는 전압 1.542V를 통해 계산했을 때, DMM의 내부저항은 10...2025.01.20
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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A+ 전자회로설계실습_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.211. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 다양한 조건에서의 출력 파형, 이득, 주파수 특성 등을 분석했습니다. 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성 변화를 확인했으며, 3dB 대역폭과 unity gain 주파수 등을 구했습니다. 또한 function generator 설정에 대해서도 설명했습니다. 1. Common Emitte...2025.01.21
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수동소자의 고주파 특성 측정 방법2025.01.211. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실습에서는 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통해 이들 소자의 등가회로와 넓은 주파수 영역에서의 동작을 이해하는 것이 목적입니다. 저항, 커패시터, 인덕터를 직렬로 연결한 회로에 주파수를 변화시키며 측정하여 공진 주파수와 인덕터의 영향이 나타나는 주파수 등을 확인합니다. 2. RC 직렬 회로의 주파수 응답 RC 직렬 회로에서 저항과 커패시터 사이의 연결 선에 인덕터 성분이 존재하게 되어, 주파수가 증가하면 값이 점점 작아지다가 어느 순간 증...2025.01.21
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숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
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전기회로설계실습 실습12 예비보고서2025.01.201. 저항의 고주파 특성 측정 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다. 위 3개의 회로에 각각 사인파를 입력하고, 주파수를 증가시키며 저항의 값을 확인한다. 그러면 3개의 회로 모두 저항의 값이 감소하는 모습으로 돌아서는 지점이 있다. 커패시터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 인덕터와 같이 행동하며, 반대로 인덕터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 커패시터와 같이 행동한다. 이것이 고주파 특성...2025.01.20
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커패시터 충방전 실험 보고서2024.12.311. 커패시터 충방전 실험 이 실험에서는 커패시터와 저항으로 이루어진 회로에서 커패시터의 충전 및 방전 과정을 관찰하고, 회로의 시간상수를 구하는 것이 목적입니다. 실험에서는 저항 값을 고정하고 커패시터 값을 변화시키면서 충전 및 방전 과정을 관찰하였습니다. 실험 결과, 커패시터 값이 클수록 실험값과 계산값의 오차가 작아지는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 커패시터 값이 클수록 실험 결과가 더 정확해짐을 알 수 있었습니다. 1. 커패시터 충방전 실험 커패시터 충방전 실험은 전기 회로의 기본 원리를 이해하는 데 매우 중요한 실...2024.12.31
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정류회로 실험2025.01.141. 정류회로 실험을 통해 220V의 교류전원을 16V의 직류전원으로 변환하는 과정을 확인하였다. 오실로스코프를 이용하여 전압진폭, 주기, 진동수 등을 측정하였고, 마지막 실험에서는 직류전압 15.7V, 멀티미터 측정값 15.76V로 0.38%의 오차율을 보였다. 실험을 통해 정류회로의 동작 원리와 오실로스코프 사용법을 익힐 수 있었다. 2. 다이오드 실험 과정에서 다이오드가 순방향 전류만 흐르는 것을 확인하였다. 이를 통해 다이오드의 특성을 이해할 수 있었다. 3. 커패시터 커패시터를 회로에 연결하여 교류전원을 직류전원으로 변환하...2025.01.14
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중앙대학교 전기회로설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)(예비) A+2025.01.271. RL 회로의 과도응답 RL 회로에서 time constant가 10 ㎲인 경우, 인덕터 10mH와 저항 1kΩ을 사용하여 회로를 구성할 수 있다. 함수발생기를 이용하여 1V의 사각파를 인가하고, 오실로스코프로 전압파형을 관측할 수 있다. 저항전압과 인덕터전압의 예상파형을 그래프로 나타내었다. 또한 회로와 오실로스코프의 연결 상태, Volts/DIV와 Time/DIV 설정 등을 제시하였다. 2. RC 회로의 과도응답 RL 회로와 유사하게, RC 회로에 1V의 사각파를 인가하면 저항전압과 커패시터전압의 과도응답 파형을 예상할 수 ...2025.01.27
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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