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전자공학실험 5장 BJT 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. BJT 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC바이어스가 인가되어야 하며, 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. 실험 절차 및 결과 실험회로 1에서 VBB 값이 1.5V, RBB 저항값이 4kΩ, RC는 vo의 DC 값이 6V가 되도록 하는 저항값으로 둔다. 컬렉터 전압이 ...2025.01.15
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였고, 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로의 동작 특성 실험회로 1에서 주어진 바이어스 조건은 능동 영역으로 동작함을 알...2025.01.15
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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전자공학실험 13장 공통 게이트 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 실험 결과 공통 게이트 증폭기의 실제 실험을 통해 측정한 전압 이득은 90으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득에 뒤지지 않고 1보다 크기 때문에 증폭의 역할도 가능하지만, 전압 버퍼의 역할도 수행할 수 없고 입력 임피던스가 작아 전압을 받아들이기 보다는 전류를 받아들이는 용도로 많이 사용되어 증폭기로는 적합하지 ...2025.01.15
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전자공학실험 15장 다단 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였습니다. 실험회로 1에서는 공통 소오스 증폭기로 구성된 2단 증폭기 회로를 구성하고, 실험회로 2에서는 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기 회로를 구성하였습니다. 각 회로에서 MOSFET의 동작 영역을 확인하고, 소신호 파라미터를 구하여 이론적인 전압 이득을 계산하였습니다. 또한 실험을 통해 실제 전압 이득을 측정하고, 부하 저항 RL을 변경하여 그 영향을 확인하였습니다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는...2025.01.15
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전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 결과보고서2025.01.151. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로써 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 한다. 실험 절차에 따라 RREF 값을 조정하면서 Vpbias 전압과 IREF 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 고찰 사항에서는 전류 거울의 전류 오차 발생 원인, 전류원의 출력 저항과 전류 정확도 관계, MOSFET 소자 선택...2025.01.15
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