총 179개
-
[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
-
전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계2025.05.131. 건전지 내부저항 측정 건전지의 전압 측정값은 6.479V가 나왔고 10Ω 저항값은 11.086Ω, 저항 10Ω에 걸리는 전압은 6.422V가 나왔다. 건전지의 내부저항이 1Ω을 넘지 않을것이라고 생각했는데 R_a = {RV} over {V_0} -R을 이용하여 건전지의 내부저항이 1.184Ω임을 알 수 있었다. 건전지의 경우 사용할수록 전압은 낮아지고 내부저항은 높아지는 특성을 갖고 있고, 온도에 따라 저항값의 영향을 끼치기 때문이다. 이에 이번 내부저항의 실험값은 실제보다 커졌을 가능성이 높다고 판단된다. 2. DC Powe...2025.05.13
-
중앙대 전기회로설계실습 예비보고서42025.05.141. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서에서는 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것을 목적으로 합니다. 브리지 회로에서 부하 저항 RL에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 계산하고, Thevenin 등가회로의 Vth와 Rth를 구합니다. 또한 실험적으로 Vth와 Rth를 측정하는 방법을 설명하며, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 그리고 RL의 전압과 전류를 측정하는 회로를 제시합니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있...2025.05.14
-
전기회로설계실습 예비보고서62025.05.151. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 저항 측정 모드로 설정하고 DMM의 한 단자를 110V 교류전원 접지에, 다른 단자를 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 저항을 측정할 수 있다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력 저항은 50Ω이며, DMM의 입력 저항은 수백Ω~수백kΩ, 오실로스코프의 입력 저항은 1MΩ이다. DMM은 교류전압의 실효치를 표시하고, 오실로스코프는 전압의 피크값을 표시하므로 Vs=1/Vm의 관계가 있다. 3. 직렬 저항 회로 분석 Funct...2025.05.15
-
중앙대 전기회로설계실습 6차 예비보고서2025.04.271. DMM을 이용한 접지 전압 측정 DMM을 교류전압측정모드(ACV)로 세팅하고, DMM의 한 단자를 220V 교류전원 power outlet(소켓) 접지에, 나머지 단자를 또 다른 220V 교류전원 접지에 연결하여 두 콘센트 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계하였습니다. 2. 계측기의 입력 저항 및 주파수 특성 Function Generator의 출력저항은 50Ω이며, DMM의 입력저항은 보통 10MΩ, 오실로스코프의 입력저항은 보통 1MΩ입니다. 주파수에 따른 DMM의 측정값과 오실로스코프의 최대전압 측정값의 관계를 그래프로 ...2025.04.27
-
테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
-
경북대학교 기초전기전자실험 오실로스코프 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 오실로스코프 실험을 통해 오실로스코프의 사용법 및 동작원리를 이해하고, 함수 발생기의 사용법 및 동작원리를 이해하였다. 파형 관측, 전압, 주파수 및 위상 측정 방법을 익혔다. 2. 신호발생기 함수 발생기를 사용하여 여러 가지 신호 파형을 발생시키고, 발생된 파형의 측정법을 익혔다. 3. 직류 전압 측정 건전지와 DC 전원공급장치를 사용하여 오실로스코프로 직류 전압을 측정하였다. 수직 감도 설정에 따라 측정 가능한 전압 범위가 달라지며, 장비의 내부 임피던스로 인해 실제 전압과 측정값에 차이가 있음을 확인하였다. 4. 교류 전...2025.05.09
-
중앙대 전기회로설계실습 예비보고서7 (보고서 1등)2025.05.101. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 다음과 같다. 1) DMM을 직류전압 측정모드(DCV)로 설정한다. 2) 매우 큰 저항(20MΩ)을 DMM과 연결한다. 3) DMM에 표시된 값을 기록한다. 4) DMM의 내부저항이 10MΩ정도이므로 매우 큰 저항이 연결될 경우 DMM의 저항이 연결된 저항의 전압에 영향을 주어 Voltage Divider 현상이 발생한다. 이를 통해 DMM의 내부저항을 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 RC time constant를 측정하는 방법은 다음과 같...2025.05.10
-
전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 / 전기회로설계실습 예비보고서 중앙대 22025.05.021. 건전지의 내부 저항 측정 실험 목적은 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익히는 것입니다. 부하효과(Loading Effect)를 이해하기 위해 건전지의 내부 저항 R1과 외부 부하 저항 R2를 이용한 회로를 구성하여 측정합니다. 이상적인 측정을 위해서는 R1이 0에 가까워야 하며, 좋은 건전지일수록 내부 저항이 0에 가깝게 측정될 것입니다. 2. DMM의 입력 저항 측정 DMM의 측정 단위를 V에 맞추고 저항 양단에 DMM을 연결하여 전압과 전...2025.05.02
-
[중앙대학교 전기회로설계실습] A+ 예비보고서 6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법2025.05.031. DMM을 사용한 실험실 교류전원 접지 전압 측정 이 실험은 DMM, Oscilloscope, Function Generator의 접지 상태와 내부 연결 상태, 입력 저항을 유추하는 방법을 설계하고 계측 장비의 정확한 사용법을 익히는 것이 목적입니다. DMM의 측정 단위를 Ω으로 설정하고 최대 측정 범위로 설정한 후, 실험실 교류 전원 2개의 power outlet 접지 부분에 연결하여 두 접지 사이의 전압을 측정하는 방법을 설계했습니다. 1. DMM을 사용한 실험실 교류전원 접지 전압 측정 DMM(Digital Multimet...2025.05.03
10 / 18
