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BJT 기본 특성 실험 결과 보고서2025.01.291. NPN형 BJT의 전류-전압 특성 NPN형 BJT는 베이스-에미터 전압 VBE가 약 0.7V 이상일 때 동작을 시작한다. 이때 베이스 전류 IB가 흐르며, 이 작은 전류로 큰 콜렉터 전류 IC를 제어할 수 있다. 콜렉터 전류는 베이스 전류의 증폭된 값으로, IC = βIB의 관계를 따른다. 출력 전압 VO는 공급 전압 VCC에서 콜렉터 저항 RC에 의해 결정되며, VO = VCC - ICRC로 계산된다. 콜렉터 전류가 커지면 출력 전압이 줄어들어 트랜지스터는 출력 전압을 제어할 수 있다. 2. PNP형 BJT의 전류-전압 특성...2025.01.29
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험]14주차_10차실험_실험28 아날로그-디지털 변환기_예비레포트_A+2025.01.291. 아날로그-디지털 변환기 이 실험에서는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환해주는 아날로그-디지털 변환기(analog-to-digital converter)의 기본 동작 원리 및 성능 파라미터를 이해하고, 실제 회로를 구성하여 이론적인 내용을 확인하고자 한다. 해상도, 동작 속도, 신호 대 잡음비, 비선형성 등의 개념을 이해하고, 회로를 구성하여 성능을 측정한다. 2. 아날로그-디지털 변환 과정에서 발생한 오차 아날로그 신호를 디지털로 변환 시 양자화 오차가 발생할 수밖에 없다. 이 양자화 오차 또는 양자화 잡음이 결국 출력 신호...2025.01.29
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[예비보고서] 10.7-segment, Decoder 회로설계2025.04.251. 7-segment 회로 설계 예비 보고서에서는 7-segment와 Decoder 회로 설계에 대해 다루고 있습니다. 먼저 7-segment/Decoder의 진리표를 작성하고, Karnaugh map을 이용하여 각 출력 신호의 불리언 식을 구했습니다. 그리고 이를 바탕으로 74LS47 Decoder를 이용한 7-segment 구동 회로를 설계하였습니다. 이를 통해 7-segment 디스플레이 구현을 위한 기본적인 회로 설계 방법을 확인할 수 있습니다. 1. 7-segment 회로 설계 7-segment 회로 설계는 디지털 전자 ...2025.04.25
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전기회로실험 A+ 6주차 결과보고서(전압분할 회로)2025.05.071. 무부하 고정저항 전압 분할기 무부하 고정저항 전압 분할기의 각 저항기에 걸리는 전압을 계산하기 위한 일반 규칙을 세우고, 그 규칙을 증명하였다. 가변저항 전압 분할기 각 단자의 접지에 대한 전압을 계산하고, 그 결과를 실험적으로 입증하였다. 2. 부하를 갖는 전압분할 회로 전압분할 회로에서 부하가 전압 관계에 미치는 영향을 알아보고 실험적으로 입증하였다. 부하저항의 변화가 부하전류와 분로전류에 미치는 영향을 설명하였다. 3. 전압분할 및 전류분할 회로 설계 지정된 전압, 전류 조건을 만족하는 전압 분할기와 전류 분할기를 설계하...2025.05.07
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실험 9. CE 회로의 특성 실험2025.05.111. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 베이스 전류가 일정하게 고정되는 특징을 가지고 있습니다. 하지만 컬렉터 전류값이 β값에 의존성이 크고 베이스 저항으로 값이 정해지므로 보통 스위칭 회로로써 사용됩니다. 2. 이미터 귀환 바이어스 회로 이미터 귀환 바이어스 회로는 베이스 바이어스 회로에 이미터 저항을 추가하여 안정도를 높인 회로입니다. 컬렉터 전류값에 이미터저항의 값이 크면 클수록 β값을 무시할 수 있다는 특징이 있습니다. 3. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 컬렉터의 전류값이 컬렉터 저항에 의...2025.05.11
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홍익대 디지털논리실험및설계 8주차 예비보고서 A+2025.05.161. Gated D Latch Latch는 Enable의 레벨(0 또는 1)에 따라 1비트의 정보를 보관하고 유지할 수 있는 회로이다. Gated D Latch는 Gated S-R Latch와 유사하게 구성되어있으며, S와 R에 동시에 1이 입력되면 invalid가 되는 부분을 보완하기 위하여 입력을 D 하나만 받는다. D의 입력값을 그대로 Q로 출력한다. 2. D Flip-flop Flip-flop은 CLK의 움직임에 따라 1비트의 정보를 보관하고 유지할 수 있는 회로이다. CLK가 Active HIGH이면 0->1인 순간에 D값...2025.05.16
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최대 전력 전달 실험2025.05.161. 최대 전력 전달 기초회로설계실험에서 최대 전력 전달 실험을 수행했습니다. 전원과 부하 사이의 관계를 이해하고, 테브난 등가회로를 활용하여 최대 전력 전달 조건을 확인했습니다. 실험을 통해 부하 저항이 전력 공급원의 내부 저항과 같을 때 최대 전력이 전달되는 것을 확인했습니다. 또한 이론값과 측정값을 비교하여 오차를 분석하고 개선 방안을 모색했습니다. 1. 최대 전력 전달 최대 전력 전달은 전력 시스템에서 매우 중요한 개념입니다. 전력 시스템의 효율성과 안정성을 높이기 위해서는 전력을 최대로 전달할 수 있어야 합니다. 이를 위해...2025.05.16
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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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NAND 게이트의 활용과 논리 회로 구성2025.01.021. NAND 게이트의 특성과 활용 NAND 게이트는 논리 게이트의 하나로, 두 개의 입력 중 하나 이상이 0일 때 출력이 1이 되는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 NAND 게이트는 다른 논리 게이트들을 구성하는 데에 매우 중요한 역할을 하며, 특히 다른 모든 논리 게이트를 구성할 수 있는 유일한 게이트로 알려져 있습니다. 이러한 이유로 많은 회로에서 NAND 게이트를 사용하는 것이 일반적이며, 두 개의 NAND 게이트를 사용하여 AND 게이트를 구성할 수 있습니다. 이는 더 복잡한 논리 회로를 구성하는 데에 필요한 기본적인 블록...2025.01.02
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