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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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인하대 VLSI 설계 2주차 CMOS Process flow diagram 등 이론 수업 과제2025.05.031. CMOS Process flow diagram CMOS Process flow diagram을 다시 그려보고 설명하였습니다. CMOS 공정 흐름도를 통해 실리콘 칩 제조 과정을 자세히 살펴보았습니다. 모래에서 실리콘을 추출하고 잉곳을 만들어 웨이퍼를 제작하는 과정부터 포토리소그래피, 이온 주입, 에칭, 게이트 형성, 금속 증착 등 복잡한 공정 단계를 거쳐 최종적으로 완성된 프로세서를 만드는 과정을 이해할 수 있었습니다. 2. Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관 Intel 온라인 마이크로프로세서 박물관을 방문하여 실리콘 칩...2025.05.03
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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컴퓨터개론_컴퓨터 발전의 역사를 간략하게 기술하고 각 세대별 컴퓨터의 특성을 기술하시오2025.01.171. 기계식 계산기 파스칼, 라이프니츠, 베비지 등이 개발한 기계식 계산기는 1940년대 전자식 컴퓨터가 발명되기 전까지 다양한 분야에 활용되었으며, 특히 산업 발전과 군수 체계 등에 많은 기여를 하였다. 그러나 기계식 계산기는 계산만 수행할 수 있기 때문에 자료의 취급과 처리, 의사결정 등의 과정은 인간이 직접 수행해야 한다는 한계점이 있었다. 2. 1세대 컴퓨터: 진공관 1942년 ABC(어태너소프-베리 컴퓨터)가 세계 최초의 컴퓨터를 개발하였으며, 1944년에는 MARK-1이 제작되었다. 1946년에는 ENIAC이 개발되었다....2025.01.17
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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응용물리회로실험 - Transistor2025.05.071. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터에서 에미터와 베이스의 접합은 순방향 다이오드와 유사하고, 컬렉터와 베이스의 접합은 역방향 바이어스 다이오드와 유사하다. 이 트랜지스터에는 두 개의 바이어스 전압이 인가되어 다수 캐리어와 소수 캐리어가 특정 방향으로 흐른다. 많은 양의 다수 캐리어가 p-n 접합을 통해 n형 물질로 확산되고, 가운데 있는 n형 물질은 매우 얇고 전도성이 낮아서 매우 적은 양의 캐리어만이 저항이 큰 경로를 통해 베이스 단으로 흐르게 된다. 1. pnp 트랜지스터 pnp 트랜지스터는 전자 회로에서 매우 중요한 역할...2025.05.07
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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기초전자실험 - 23장 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스는 R_B * (beta_D * R_E)로 주어진다. 달링턴 이미터 폴로어의 출력 임피던스는 r_e이며, 전압 이득은 (R_E) / (R_E + r_e)와 같다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q_1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q...2025.04.30
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