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금오공과대학교 일반물리학실험 커패시터 충방전 결과보고서2025.05.041. 커패시터 충방전 이 실험은 저항과 커패시터로 이루어진 회로에서 축전기에 인가되는 전압의 시간적 변화를 관측하여 회로의 용량 시간상수를 구하는 실험이였다. 이 실험으로 축전기의 용량이 클수록 충,방전 시간이 더 오래 걸린다는 사실을 그래프와 실험값으로 알 수 있었다. 오차율이 작은 것으로 보아서 성공한 실험이라고 말할 수 있는 것 같다. 오차의 원인으로는 커패시터 자체용량에서와 I-CA분석 프로그램의 미세한 측정 한계로 인해서 오차가 생긴 것 같다. 실험 횟수를 많이 했으면 오차율을 최대한 줄일 수 있었을 것이다. 1. 커패시터...2025.05.04
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
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전자회로실험_A+레포트_Diode Rectifier2025.01.131. 반파정류회로 반파정류회로는 다이오드와 저항을 직렬 연결한 회로에 교류전원을 연결한 회로이다. 다이오드가 있을 경우에는 양의 주기에서는 순방향 바이어스가 되고 음의 주기에서는 역방향 바이어스가 된다. 이러한 이유로 입력전원의 양의 값을 정류해서 직류로 변환시킨다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 중간탭이 있는 변압기를 이용하여 180° 위상차가 나는 두 교류신호를 생성한다. 다이오드의 정류 작용으로 (+), (-) 파형 모두 통과하여 한쪽 방향으로 흐르도록 구성한 회로이다. 변압기를 사용한 이유는 실험실 220V의 전원을 적절한...2025.01.13
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Semiconductor Device and Design - 42025.05.101. Diode's fabrication process Diode의 제조 공정에는 합금 방식과 확산 방식의 두 가지 일반적인 기술이 사용됩니다. 합금 방식은 n형 반도체 표면에 알루미늄 펠릿을 녹여 pn 접합을 형성하는 방식이며, 확산 방식은 n형 반도체를 수용체 불순물 증기가 있는 챔버에서 가열하여 수용체 원자가 n형 결정 내부로 확산되어 pn 접합을 형성하는 방식입니다. 확산 공정에서는 n형 물질의 일부만 노출되도록 하여 p 영역의 크기를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 2. Capacitor's fabrication proces...2025.05.10
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전자공학실험 11장 공통 소오스 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 NMOS에서 VGS>=Vth이면서 VD...2025.01.15
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.041. 수동소자 수동소자란 전자회로를 구성하는 소자 중 전기적 에너지를 소모, 저장 혹은 전달할 뿐 다른 역할을 하지 않는 소자를 말하며 수동적으로 작용할 뿐이며 외부 전원 없이 단독으로 동작하게 됩니다. 수동소자의 예시로는 저항, 캐패시터, 인덕터 등이 있습니다. 2. 능동소자 능동소자는 전자회로를 구성하는 소자 중 입력 신호의 증폭 또는 발진 등을 작용할 수 있는 소자를 말하며 에너지 보존 법칙이 성립해야 하므로 다른 전원 장치로부터 에너지를 얻어 작동하며 전압원, 전류원, 저항 또는 축전기와 같은 수동 소자로 구성된 등가회로로 ...2025.05.04
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전기전자공학실험-클리퍼 & 클램퍼 회로2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 교류 신호의 한 부분을 잘라내고 남은 부분을 왜곡 없이 나타내기 위해 다이오드를 사용한 회로입니다. 직렬 클리퍼와 병렬 클리퍼가 있으며, 각각 (+)전압 또는 (-)전압만 출력하도록 구성할 수 있습니다. 클리퍼 회로는 과도한 전압으로부터 부하를 보호하기 위해 자주 사용됩니다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼 회로는 교류 전압에 전압을 더하는 기능을 수행하기 위해 커패시터를 첨가한 다이오드 회로입니다. 커패시터가 충전되어 직류 전압원 역할을 하며, 입력 신호 파형을 일정 레벨로 고정시킬 수 있습니다. 양의 클...2025.04.30
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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