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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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홍익대_디지털논리회로실험_2주차 예비보고서_A+2025.01.151. NAND 7400 게이트 NAND 게이트는 AND 게이트 값에 NOT 게이트를 한번 더 통과시킨 값이 아웃풋으로 나오기 때문에 A, B 모두 1일 때만 X가 0이고 그 이외의 경우에는 X는 1이다. 2. NOR 7402 게이트 NOR 게이트는 OR 게이트 값에 NOT 게이트를 한번 더 통과시킨 값이 아웃풋으로 나오기 때문에 A, B 모두 0일 때만 X가 1이고 그 이외의 경우에는 X는 0이다. 3. XOR 7486 게이트 XOR 게이트는 입력값이 같을 때는 아웃풋이 0이고 입력값이 다를 때는 아웃풋이 1이므로 A=B인 1번째,...2025.01.15
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논리회로와 부울대수, 카르노맵의 기본개념 및 상관관계2025.05.121. 논리회로 논리회로는 논리 게이트를 조합하여 논리식으로 표현한 것으로, 디지털 회로를 구성하는 기본적인 요소이다. 논리회로는 하나 이상의 이진 입력 값에 대해 논리 연산을 수행하여 논리적 출력 값을 얻도록 불 대수를 구현한 물리적 장치이다. 2. 부울대수 부울대수는 논리회로를 간단하게 하기 위한 수학적 도구이다. 부울대수에서는 참을 1, 거짓을 0으로 나타내고, NOT, AND, OR, XOR 등의 논리 연산자를 다룬다. 부울대수는 컴퓨터과학 분야에서 논리 연산을 수행하는데 중요한 역할을 한다. 3. 카르노맵 카르노맵은 임의의 ...2025.05.12
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오디오 전력 증폭기 설계 및 제작 결과보고서2025.04.261. 오디오 전력 증폭기 설계 전자회로실험 결과보고서10장. 오디오 전력 증폭기 설계 및 제작을 다루고 있습니다. 실험에 사용된 장비 및 부품, 실험 방법 및 결과, 브레드보드와 IC 기판을 이용한 회로 구현 과정, 그리고 실험 결과에 대한 검토 사항 등이 포함되어 있습니다. 2. 트랜지스터 동작 원리 이번 실험에서는 2N3904, 2N3906, TIP122, TIP127 트랜지스터의 동작과 연결 방법을 자세히 알게 되었습니다. 트랜지스터의 특성을 이해하고 회로 설계에 적용하는 방법을 배울 수 있었습니다. 3. 회로 설계 및 구현 ...2025.04.26
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홍익대학교 전자회로(2) H-SPICE 시뮬레이션 보고서2025.04.261. CS Amp 설계 CS Amp 설계 시 전압이득 20 정도를 얻기 위해 M2 NMOS TR의 W/L 크기와 Vb 바이어스 전압을 조절하였다. M2가 Current Source로 동작할 수 있도록 VDS에 따른 전류 변화가 작은 조건을 찾았으며, 전압이득을 높이기 위해 M1 PMOS TR의 W 크기를 조절하였다. 최종적으로 M2의 W/L을 0.6um, Vb를 0.62V로 설정하고 M1의 W를 0.4um로 설정하여 전압이득 22.4를 얻었다. 2. Transient 시뮬레이션 Vin에 1.86V DC 바이어스와 10mV Peak-...2025.04.26
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실험 21_차동 증폭기 심화 실험 결과보고서2025.04.281. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하였다. 차동 증폭기의 공통 모드 및 차동 모드 전압 이득을 이론적으로 구하고, 이를 바탕으로 CMRR을 구한 후에 실험을 통하여 이 값들을 직접 구해보고, 이론치와 차이가 발생하는 이유를 분석하였다. 또한 차동 모드 입력 주파수를 바꾸면서 출력 전압의 크기를 측정하여 보드 선도를 그린 뒤, 차동 모드 증폭기의 주파수 특성을 파악하였다. 2. 능동 부하 트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경...2025.04.28
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Semiconductor Device and Design - 32025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 게르마늄보다 밴드갭이 크고(1.12eV vs 0.66eV), 최대 동작 온도가 높아(~150°C vs ~100°C) 집적회로(IC) 제작에 더 적합합니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 산화막 형성이 쉽고 화학적으로 안정적이며, 실리콘이 더 풍부하고 가격도 10배 정도 저렴하기 때문에 실리콘이 IC 재료로 선호되게 되었습니다. 2. N Type and P Type 반도체 물질에 불순물을 첨가하면 n형과 p형 반도체가...2025.05.10
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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,논리설계실험,디지털 IC 개요, 조합논리회로,Combinational Logic Circuit2025.01.151. 디지털 IC 개요 디지털 IC는 0과 1을 나타내기 위해 이산적인 범위의 전압을 사용하는 회로이다. 디지털 회로는 조합회로와 순차회로로 분류되며, 조합회로는 현재의 입력 값에 의해서만 출력 값이 결정되는 회로이고 순차회로는 현재의 입력 값과 바로 전의 입력 값에 의해 출력 값이 결정되는 회로이다. 2. 조합논리회로 조합논리회로는 현재의 입력 값에 따른 출력 값을 표현하고 입력으로부터 출력까지의 지연시간으로 이루어진다. 기본적인 논리회로인 논리곱, 논리합, 논리부정 등의 기본적인 논리소자의 조합으로 만들어진다. 3. 부울 대수 ...2025.01.15
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푸리에 변환에 대한 주제 탐구 보고서2025.01.151. 푸리에 변환 이 보고서에서는 푸리에 변환의 개념과 원리, 라플라스 변환과의 관계, 그리고 전자공학 분야에서의 활용 사례 등을 자세히 다루고 있습니다. 푸리에 변환은 복잡한 함수를 사인파와 코사인파의 합으로 표현할 수 있게 해주는 수학적 도구로, 신호 처리, 이미지 압축, 노이즈 제거 등 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 이 보고서를 통해 푸리에 변환의 개념과 원리, 그리고 실제 응용 사례를 자세히 이해할 수 있습니다. 2. 푸리에 급수 푸리에 변환의 기반이 되는 푸리에 급수에 대해서도 자세히 다루고 있습니다. 푸리에 급수는 ...2025.01.15
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교류및전자회로실험 실험9-2 트랜지스터 기본회로 실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터의 운전상태 트랜지스터의 운전상태는 cutoff, saturation, active 상태로 나뉜다. cutoff 상태에서는 IB가 0이고 트랜지스터가 open되어 있다. saturation 상태에서는 IB가 충분히 커서 저항이 0에 가까운 short 상태이다. active 상태는 두 상태의 중간이며 IC와 IB에 비례한다. 2. 트랜지스터 스위치 트랜지스터를 스위치로 사용할 때는 cutoff 상태와 saturation 상태로 동작한다. 작은 신호로 큰 전류를 스위칭할 수 있다. LED 점멸 회로를 통해 트랜지스터 스위...2025.01.17
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