총 416개
-
트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
-
[A+]전자회로설계실습 실습 2 결과보고서2025.01.041. 센서의 구현 실험 결과 offset voltage가 증폭되어 4.23V가 출력되었습니다. Amplifier의 두 단자를 모두 접지하였지만, 입력단자의 미세한 신호가 매우 큰 open loop gain에 의해 증폭되었습니다. Open loop gain은 증폭비를 알 수 없기 때문에 offset voltage를 구할 수 없습니다. 2. Integrator의 동작 실험에서는 가변저항을 530Ω에 가까운 500Ω정도로 맞추어 입력저항으로 연결하였습니다. 이에 따라 Function generator는 2Vpp로 설정되어 있기 때문에 F...2025.01.04
-
[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
-
일반물리학실험 반도체정류회로 결과레포트2025.05.151. 다이오드 다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다. 접합 후 공핍층이 형성되며, 다이오드의 전류-전압 특성은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드의 가장 중요한 기능은 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류작용이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 중간 탭이 있는 변압기와 정류 소자를 조합하여 정류하는 회로 방식이다. 2개의 반도체를 사용하는 방식과 4개의...2025.05.15
-
전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 15 다단 증폭기)2025.01.291. 다단 증폭기의 이론적 해석 다단 증폭기는 여러 증폭 단을 직렬로 연결하여 신호를 순차적으로 증폭하는 방식으로, 각 증폭 단이 가진 장점을 결합해 더 높은 전압 이득과 신호 증폭을 달성할 수 있다. 다단 증폭기의 주요 이론적 해석으로는 전압 이득, 입출력 임피던스, 주파수 응답, 바이어스 설정, 잡음 및 왜곡 등이 있다. 2. 2단 증폭기 실험 결과 2단 증폭기 실험에서는 각 MOSFET의 전압과 전류를 측정하고, 포화 영역에서 동작하는지 확인했다. 또한 소신호 등가회로를 이용해 이론적인 전압 이득을 계산하고, 실험 결과와 비교...2025.01.29
-
Thevenin 등가회로 설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 RL이 부하인 브리지회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하는 내용을 다룹니다. 보고서에서는 브리지회로에서 RL에 걸리는 전압과 RL에 흐르는 전류를 계산하고, Thevenin 등가회로의 VTh와 RTh를 이론적으로 구하여 회로도를 제시합니다. 또한 Thevenin 등가회로를 실험적으로 구하는 방법과 절차를 설명하며, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 그리고 RL의 전압과 전류를 측정하는 회로를 제시합니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Theve...2025.04.25
-
[한양대 기계공학부] 동역학제어실험 실험9 비반전 증폭기의 주파수 응답특성 A+ 자료2025.04.261. 비반전 증폭기 비반전 증폭기는 출력전압의 일부를 반전 입력에 되돌려주는 형태를 가지고 있다. 이때, 입력단자 (+)와 (-)에 흘러들어가는 전류는 0이고 V+와 V-의 전압은 같다. 이를 통해 옴의 법칙을 이용하여 Vs와 VIN을 나타낼 수 있으며, 증폭이득 G는 1 + RF/R1로 계산된다. 2. Op-amp의 특성 Op-amp의 동작에서 고려해야할 가장 중요한 두 가지 특성은 GBW(Gain-BandWidth, 이득-대역폭 곱)와 SR(Slew Rate, 슬루 레이트)이다. GBW는 타당한 이득을 어느 주파수까지 보장하는지...2025.04.26
-
MOSFET 에너지 밴드2025.05.081. MOSFET 동작 모드 MOSFET은 Gate 전압에 따라 Accumulation, Depletion, Inversion 모드로 동작한다. Accumulation 모드에서는 전류가 흐르지 않고, Depletion 모드에서는 약간의 전류만 흐르며, Inversion 모드에서는 Source에서 Drain으로 전자가 이동하여 전류가 잘 흐른다. MOSFET의 동작 모드는 Gate 전압을 조절하여 변경할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET의 동작 영역은 Gate 전압과 Drain 전압의 조합에 따라 달라진다. Gate...2025.05.08
-
중앙대 전기회로설계실습 결과보고서4_Thevenin 등가회로 설계(보고서 1등)2025.05.101. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin의 정리를 이해하고 이를 이용하여 등가회로(equivalent circut)을 설계하고, 실습을 통해 이론적으로 구성한 회로와 비교했다. 본 실습에서는 총 세 가지 비교를 한다. (1)첫째는 책에 나온 브리지회로와 실제 실습에서 구성한 브리지 회로의 비교, (2)둘째는 실제 구성한 브리지 회로와 실제 구성한 Thevenin 등가회로의 비교이다. 일단 전자의 경우 같은 회로를 구성하였기 때문에 실제로 구성한 회로와 이론적인 회로의 차이를 알기 위해 비교실습을 진행해야 하고, 이는 2....2025.05.10
-
전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
14 / 42
