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트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
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옴의 법칙 측정값 및 계산2025.04.261. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항과 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 탄소저항은 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 다이오드는 옴의 법칙을 만족하지 않는다는 것을 확인하였다. 특히 발광 다이오드에서는 빛이 나오는 현상을 관측할 수 있었고, 빛이 나오는 시간과 발광 조건에 대해서도 추정할 수 있었다. 2. 탄소저항 실험 1에서 33Ω와 100Ω의 탄소저항을 사용하여 옴의 법칙 만족 여부를 확인하였다. 실험 결과 33Ω의 경우 3.03%의 오차율을 보여 옴의 법칙을 잘 만족하였지만, 100Ω의 경우 5.5%의 오차율을 보여 ...2025.04.26
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태양광 예비보고서2025.01.051. 태양전지의 동작원리 태양전지는 실리콘 다이오드의 PN 접합과 유사한 구조를 가지고 있으며, N-type 반도체 표면에 빛이 조사되면 전류를 생산하게 된다. 태양전지의 개방전압은 실리콘 다이오드의 순방향 전압보다 약간 낮은 0.5V~0.6V 사이의 값을 가진다. 태양전지를 직렬로 연결하면 개방전압이 증가하고, 병렬로 연결하면 단락전류가 증가한다. 2. 태양전지의 전기적 특성 태양전지의 전압-전류 특성곡선은 전류원 영역과 전압원 영역으로 구분된다. 전류원 영역에서는 전압이 증가해도 전류가 일정하게 유지되며, 전압원 영역에서는 전압...2025.01.05
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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옴의 법칙 실험 결과보고서2024.12.311. 옴의 법칙 실험을 통해 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지, 다이오드가 옴의 법칙을 만족하는지를 확인하였다. 탄소저항의 경우 표시저항과 실험을 통해 얻은 저항 값의 오차율이 약 1.667%와 5.4%로 옴의 법칙을 만족하는 것으로 나타났다. 반면 다이오드의 경우 전압-전류 그래프가 직선이 아니며 역방향 전압에서 전류가 흐르지 않는 등 옴의 법칙을 만족하지 않는 것으로 확인되었다. 다이오드는 순방향 전압이 가해질 때 전류가 급격히 증가하며 각 다이오드마다 동작 전압이 다른 것으로 나타났다. 1. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전기 회로에...2024.12.31
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아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
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물리학실험- 옴의 법칙2025.05.011. 옴의 법칙 이번 실험을 통해, 전자회로에 쓰이는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는가를 확인하고 옴의 법칙의 의미를 이해할 수 있었다. 다이오드에 대하여 옴의 법칙이 성립하는가를 확인하고, 옴의 법칙을 확인하기 위한 측정조건을 검토하였다. 2. 탄소 저항 탄소 저항기에서 저항 값을 표시할 때는 색깔 코드를 사용한다. 네 줄로 이루어져 있는데, 왼쪽부터 A~D라 한다. A는 1째 자리에 올 유효숫자, B는 2째 자리에 올 유효숫자, C는 앞의 두 자리숫자 뒤에 붙일 0의 수이고, 마지막으로 D는 허용 오차를 의미한다. 3. 다이오드...2025.05.01
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교류및전자회로실험 실험 5-1 다이오드 특성실험 예비보고서2025.01.171. 다이오드의 기본특성 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어진 소자로서 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있다. 순방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지만 역방향 전압이 걸리면 거의 전류가 흐르지 않는다. 다이오드에 흐르는 전류와 전압의 관계는 비선형적이다. 2. 다이오드의 검사 디지털 멀티미터를 사용하여 다이오드의 순방향 전압과 역방향 전압을 측정할 수 있다. 순방향 전압은 0.5~0.9V 정도이고, 역방향 전압에서는 전류가 거의 흐르지 않아 0.L로 표시된다. 다이오드가 단락되면 순방향과 역방향 전...2025.01.17
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BJT 3-BJT Amplifier_예비레포트2025.01.121. BJT 증폭기 이 보고서는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기의 작동 원리와 특성을 다룹니다. Common Emitter 회로에서 BJT의 전압 및 전류 관계를 설명하고, 이를 바탕으로 Small Signal Parameters와 Gain을 계산하는 방법을 제시합니다. 또한 실험을 통해 이론적 예측과 실제 측정 결과를 비교하여 BJT 증폭기의 동작을 확인합니다. 1. BJT 증폭기 BJT(Bipolar Junction Transistor) 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 중요한 회로 구성 요...2025.01.12
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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