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다이오드의 응용 실험 보고서2025.01.021. 정류회로 정류회로는 다이오드 응용의 가장 간단한 예이다. 다이오드의 전류-전압 특성곡선을 이상화하면 다이오드는 양단에 걸리는 전압의 극성에 따라 단락이 되기도 하고 개방이 되기도 한다. 반파 정류회로는 입력신호가 양인 경우만 취하고 음일 때는 버린다. 그러나 출력 전압 V_L도 입력 전압 v_i와 마찬가지로 주기함수이므로 푸리에 급수로 전개할 수 있다. 1. 정류회로 정류회로는 교류(AC) 전압을 직류(DC) 전압으로 변환하는 중요한 전자 회로입니다. 이를 통해 다양한 전자 기기와 시스템에서 안정적인 전원 공급이 가능해집니다....2025.01.02
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 1 pn 접합 다이오드 및 제너 다이오드)2025.01.291. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 형성되며, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 역할을 한다. 순방향 전압이 가해지면 다이오드가 켜지며 저항이 작아지지만, 역방향 전압이 가해지면 꺼지면서 저항이 매우 커진다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 전압과 전류의 특성을 확인하고자 한다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 PN 접합 다이오드와 달리 항복 영역을 활용하는 소자로, 양단 사이의 전압이 -V_ZK보다 작을 때 역방향으로 많은 전류가 흐르는 특성을 보인다. 이 실...2025.01.29
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 예비보고서2025.01.071. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 전자 소자의 기본 구성 요소 중 하나입니다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 PN 접합 다이오드의 동작 영역, 등가 회로 파라미터 등을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 PN 접합 다이오드의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 상태에서 일정 전압 이상이 가해지면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가진 전자 소자입니다. 이 실험에서는 제너 다이오드의 전류-전압 ...2025.01.07
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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