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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서42025.05.141. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서에서는 Thevenin 등가회로를 설계, 제작, 측정하여 원본 회로 및 이론값과 비교하는 것을 목적으로 합니다. 브리지 회로에서 부하 저항 RL에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 계산하고, Thevenin 등가회로의 Vth와 Rth를 구합니다. 또한 실험적으로 Vth와 Rth를 측정하는 방법을 설명하며, 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 그리고 RL의 전압과 전류를 측정하는 회로를 제시합니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있...2025.05.14
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서7 (보고서 1등)2025.05.101. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 다음과 같다. 1) DMM을 직류전압 측정모드(DCV)로 설정한다. 2) 매우 큰 저항(20MΩ)을 DMM과 연결한다. 3) DMM에 표시된 값을 기록한다. 4) DMM의 내부저항이 10MΩ정도이므로 매우 큰 저항이 연결될 경우 DMM의 저항이 연결된 저항의 전압에 영향을 주어 Voltage Divider 현상이 발생한다. 이를 통해 DMM의 내부저항을 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 RC time constant를 측정하는 방법은 다음과 같...2025.05.10
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기초회로실험 중첩의 정리와 가역정리 실험 예비보고서2025.04.291. 중첩의 원리 다수의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로 내에서 임의 점에 흐르는 전류 또는 두 점간의 전압은 각각의 전원이 개별적으로 적용될 때의 전류와 두 점간의 전압을 합한 것과 같다는 정리를 중첩의 정리라고 한다. 여기서 각 전원의 개별 적용이라는 것은 다른 전원을 제거한다는 것을 의미한다. 2. 가역정리 선형 수동 회로망에서 순방향 입출력비와 역방향 입출력비가 같음을 의미한다. 이는 입력과 출력을 전압과 전류의 관계로 교환할 수 있으며 이러한 관계를 전달저항(transfer resistance)라고 하며 순방향의 비를...2025.04.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 회로 제작 및 측정 설계실습 4 결과보고서. MOSFET 소자 특성 측정4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, =1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 =0V, =5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다. 실제 실험사진구현회로(B) 를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이...2025.01.11
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기초전자공학실험(서강대) - 1. 멀티미터에 의한 측정 결과 보고서2025.01.151. 저항 측정 실험을 통해 저항 값을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 오차의 원인으로는 멀티미터 내부 건전지 소모에 따른 전압 감소로 인한 것으로 분석되었다. 0옴 조정을 통해 이러한 오차를 줄일 수 있음을 확인하였다. 2. 전압 측정 직렬 연결된 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 측정하였으며, 이론치와 측정치 간에 약간의 오차가 발생하였음을 확인하였다. 이는 전압계의 내부 저항과 측정 저항의 병렬 연결로 인한 것으로 분석되었다. 전압 측정 시 전압계와 전압원을 병렬로 연결해야 함을 확인...2025.01.15
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키르히호프의 전압 법칙 실험하기2025.05.091. 키르히호프의 전압 법칙 키르히호프의 전압 법칙(KVL, Kirchhoff's Voltage Law)은 다음의 명제를 만족한다. '닫힌 하나의 루프안의 전압(또는 전위차)의 합은 0이다.' 이는 전자기학 전체에 널리 통용되는 옴의 법칙인 V = IR과 관련이 있다. 키르히호프의 전압 법칙은 전기회로에서 전하량과 에너지 보존을 다루는 이론식 중 하나이다. 2. 저항 측정 실험에서는 디지털 멀티미터(DMM)을 사용하여 저항을 측정하였다. 저항 측정 시 발생할 수 있는 오차 요인으로는 DMM 내부의 저항, 접촉 저항, 도선의 저항, ...2025.05.09
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서4 (보고서 1등)2025.05.101. Thevenin 등가회로 설계 이 보고서는 Thevenin 등가회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에서는 브리지 회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하는 과정을 설명하고 있습니다. 구체적으로 브리지 회로에서 전압과 전류를 계산하고, Thevenin 등가회로를 이론적으로 구하는 방법, 실험적으로 구하는 방법, 그리고 부하가 포함된 Thevenin 등가회로를 구하는 방법 등을 다루고 있습니다. 1. Thevenin 등가회로 설계 Thevenin 등가회로 설계는 전기 회로 분석에 있어 매우 중...2025.05.10
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전자회로설계 및 실습5_BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch)회로_결과보고서2025.01.221. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 이 보고서에서는 BJT와 MOSFET을 사용하여 TTL 레벨의 전압(5V)으로 동작하는 RTL 스위치 회로를 설계하고 구현하였습니다. 회로를 구현하고 LED 구동 및 측정을 통해 전압, 전류, 소비전력 등을 분석하였습니다. BJT 회로에서는 약 15%의 오차가 발생했지만, MOSFET 회로에서는 오차가 더 작은 측정값을 얻을 수 있었습니다. 전반적으로 실습이 잘 진행되었다고 볼 수 있습니다. 1. BJT와 MOSFET을 이용한 스위치 회로 설계 및 구현 BJT(Bipol...2025.01.22
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전자회로설계실습 5번 결과보고서2025.01.201. BJT와 MOSFET을 사용한 구동회로 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로, 부하가 BJTd 인버터에 연결된 LED구동회로, MOSFET를 이용한 LED구동회로 등 3가지 회로를 구현하고 각 회로의 동작을 분석하였습니다. 회로 구현 과정에서 발생한 오차와 그 원인을 분석하였으며, MOSFET의 동작 원리와 RG의 역할 등을...2025.01.20
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옴의 법칙과 키르히호프 전압 및 전류 법칙2024.12.311. 옴의 법칙 옴의 법칙은 도체에 일정한 전압을 가하면 도체에 일정한 전류가 흐르게 되며, 전압과 전류 사이에 일정한 비례 관계가 있다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 V = IR로 표현할 수 있습니다. 여기서 V는 전압, I는 전류, R은 저항을 나타냅니다. 2. 키르히호프 전압 법칙 키르히호프 전압 법칙은 임의의 폐회로에서 한 점에서 일정한 방향으로 일주하면서 시작점에 다시 도달한 경우 전압 강하량의 합은 항상 0이 된다는 것을 설명합니다. 이를 수식으로 나타내면 ∑V = 0으로 표현할 수 있습니다. 3. 키르히호프...2024.12.31
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