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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기2025.04.301. A급 증폭기 A급 증폭기는 정해진 작동 영역 내에서 교류 파형 전체를 증폭해야 하므로 효율이 30%이하이다. 입력신호가 증가하면, 입력전력은 변함없고, 출력전력은 증가한다. A급 증폭기는 인가된 신호와 무관하게 전압원으로부터 동일한 전력을 끌어 쓴다. 입력전력은 다음 식으로부터 계산된다. 증폭기가 공급하는 신호전력은 다음 식으로 계산 할 수 있으며, 증폭기의 효율은 이다. 전력 효율이 낮은 이유는 입력전류에 무관하게 A급 증폭기는 항상 가 항상 흐르므로 전력소비가 커 효율이 떨어지게 된다. 출력신호가 주기의 360º 전체에 걸...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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전기전자공학실험-달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로2025.04.301. 달링턴 회로 달링턴 회로는 두 개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로의 베타 실효값(beta_D)은 각 트랜지스터 베타 값의 곱과 같다. 달링턴 이미터 폴로어는 일반 이미터 폴로어에 비해 높은 입력 임피던스를 가지고 있다. 달링턴 이미터 폴로어의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전압 이득 등을 계산하고 측정하였다. 2. 캐스코드 회로 캐스코드 회로는 Q1을 이용한 공통 이미터 증폭기가 Q2를 이용한 공통 베이스 증폭기에 직접 연결되어 있다. Q1단의 전압이득은 약 1이며, Q2단의 전압 이득은...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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전기전자공학실험-A급 및 B급 전력 증폭기 (2)2025.04.301. pnp형 트랜지스터 pnp형 트랜지스터는 npn형 트랜지스터와 방향이 반대이므로 회로를 구성할 때 주의해야 한다. 2. B급 증폭기 설계 B급 증폭기를 설계할 때 피크전압이 앞의 것과 똑같이 나타나 회로의 효율이 완벽하게 실험이 가능했다. 3. 출력 전력 계산 책에 나온 출력 전력을 사용할 때는 rms값인지, peak값인지, p-p값인지 주의하여 값을 계산해야 한다. 4. A급 증폭기 효율 A급 증폭기의 최대 효율 25%는 초과할 수 없다는 것을 확인했다. 5. B급 증폭기 다이오드 B급 증폭기의 다이오드 2개는 파형이 0.7...2025.04.30
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BJT 바이어스 회로 설계2025.04.301. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 바이어스 회로는 베이스 저항을 전압원에 직접 연결하지 않고 컬렉터로 피드백을 시킨 구조입니다. 이를 통해 베이스 전압에 대한 영향을 줄여 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있습니다. 이미터 전류가 증가하면 컬렉터 전압이 증가하고 베이스 전류가 감소하며, 베이스 전류가 증가하면 안정도가 감소하게 됩니다. 2. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 양과 음의 두 전압원을 이용하여 트랜지스터가 활성 영역에 동작하도록 하는 방법입니다. 이미터 바이어스 회로는 이미터에 저항을 사용하기 때문에 ...2025.04.30
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전기전자공학실험-클리퍼 & 클램퍼 회로2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 교류 신호의 한 부분을 잘라내고 남은 부분을 왜곡 없이 나타내기 위해 다이오드를 사용한 회로입니다. 직렬 클리퍼와 병렬 클리퍼가 있으며, 각각 (+)전압 또는 (-)전압만 출력하도록 구성할 수 있습니다. 클리퍼 회로는 과도한 전압으로부터 부하를 보호하기 위해 자주 사용됩니다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼 회로는 교류 전압에 전압을 더하는 기능을 수행하기 위해 커패시터를 첨가한 다이오드 회로입니다. 커패시터가 충전되어 직류 전압원 역할을 하며, 입력 신호 파형을 일정 레벨로 고정시킬 수 있습니다. 양의 클...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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전기전자개론 실험보고서- 교류신호와 캐패시터 및 RC회로특성2025.05.041. 캐패시터의 구조와 정전용량 캐패시터는 두 개의 전극판 사이에 유전체를 넣고 전압을 가하면 전극에 전하가 축적되는 원리로 작동합니다. 캐패시터의 정전용량 C는 전극의 면적 A와 유전체의 유전율 ε에 비례하고 전극 사이의 거리 l에 반비례합니다. 캐패시터의 단위는 패럿(F)이며, 일반적으로 마이크로패럿(㎌), 나노패럿(㎊), 피코패럿(㎊) 단위로 표시됩니다. 2. 캐패시터의 종류와 표시방법 캐패시터는 유극성과 무극성으로 분류되며, 대표적인 종류로는 알루미늄 전해 캐패시터, 탄탈 전해 캐패시터, 세라믹 캐패시터, 필름 캐패시터 등이...2025.05.04
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