총 50개
-
전기회로설계실습 결과보고서92025.05.151. 저역통과필터(LPF) 실험을 통해 설계한 LPF의 출력 전압과 저항 전압의 파형을 측정하고 입력과 출력 전압의 XY mode를 관찰하였다. 입력 정현파의 주파수를 100kHz까지 변화시키면서 LPF의 출력전압의 최대값을 측정하고 주파수에 따른 출력전압의 크기 그래프를 그렸다. 주파수가 작은 영역대에서는 비교적 정확한 결과가 측정되었지만 50kHz 이상의 범위에서 30% 정도의 오차가 발생하였다. 오차의 원인으로는 실험에 사용한 캐패시터의 실제 용량과 표기값의 차이, 측정 장비의 정밀성 문제, 계산 과정에서의 오차 등이 있었다....2025.05.15
-
전기전자공학실험-BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스2025.04.301. 쌍극성 트랜지스터(BJT) 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 차단, 포화, 선형 세 가지 모드에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동작점이 유일하게 결정된다. 차단 모드에서 트랜지스터는 거의 개방 스위치로 동작하며 이미터에서 컬렉터로 작은 양의 역방향 전류만이 존재한다. 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터로 최대 전류가 흐르며, 단란 스위치와 유사하게 동작한다. 흐르는 전류량은 트랜지스터에 연결된 외부 회로에 의해서 제한된다. 이들 두 동작 모드가 디지털 회로에 사용된다. 최...2025.04.30
-
전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
-
전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
-
전기전자개론 실험보고서 - 회로망정리(중첩, 데브닌, 노턴)2025.05.041. 중첩의 정리 중첩의 정리는 전류원이나 전압원에 관계없이 1개 이상의 전원을 가진 회로에서 어떤 요소의 전압 전류는 각각의 전원이 작용할 때의 전압 전류의 대수 합과 같다는 것을 설명합니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있습니다. 2. 데브닌 정리 데브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로망을 데브닌 전압원 VTH와 내부저항 RTH의 직렬 연결된 등가회로로 대체할 수 있다는 것을 설명합니다. VTH와 RTH를 구하는 방법이 제시되어 있습니다. 3. 노턴의 정리 노턴의 정리는 임의의 선형 2단자 회로망을 하나...2025.05.04
-
전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
-
전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
-
전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
-
전기전자개론 실험보고서 직병렬회로 설계 및 휘스톤브릿지2025.05.041. 직렬저항 회로 직렬회로에서 전류 흐름 경로는 하나로 각 저항에 흐르는 전류는 같다. 합성저항은 RT = R1 + R2 + ... + RN이다. 키르히호프의 전압법칙을 이용하여 미지의 전압과 저항을 구할 수 있다. 2. 병렬저항 회로 병렬회로에서 각 저항에 걸리는 전압은 같고 전체전류는 각 저항에 흐르는 전류의 합과 같다. 합성저항은 1/Req = 1/R1 + 1/R2 + ... + 1/RN이다. 키르히호프의 전류법칙을 이용하여 분기점에서 전류의 합을 구할 수 있다. 3. 직병렬 회로 해석 직병렬회로는 직렬회로와 병렬회로의 조합...2025.05.04
-
고려대학교 디지털시스템실험 A+ 5주차 결과보고서2025.05.101. Binary to 7-SEGMENT 이번 실험을 통해 7-segment의 8자리가 어떻게 동시에 보여지는지 알 수 있었습니다. Binary to 7-segment를 구현할 때에 저번 시간에 만들었던 binary to BCD를 사용하였고, 이렇게 만든 Binary to 7-segment 함수를 이용해 7-segment 계산기를 만들 수 있었습니다. 이 과정에서 간단한 동작을 하는 함수 하나를 만드는 데에도 그 안에 많은 함수가 쓰인다는 것을 알 수 있었습니다. 2. Adder/Subtractor와 연결한 7-SEGMENT 만들기...2025.05.10
3 / 5
