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교류 회로 소자의 임피던스_결과레포트2024.12.311. 교류 회로 소자의 임피던스 이번 실험은 임피던스의 개념에 대해 이해할 수 있는 실험이었습니다. 임피던스는 직류 회로에서처럼 저항과 비슷한 개념이며, 임피던스를 구하는 방식도 저항과 유사한 방법으로 구할 수 있습니다. 저항과 다른 점은 위상이 더 있는 것입니다. 위상 차이가 있을 경우 저항과 리액턴스 값을 구하여 두 값을 제곱하여 더하여서 제곱근(√(R^2 + X^2))을 구하면 됩니다. 용량성 리액턴스와 유도성 리액턴스의 합성은 크기의 차를 구해야 하는데, 그 이유는 위상이 180° 차이 나므로 서로 반대 방향이라고 판단하면 ...2024.12.31
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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전기회로설계실습 결과보고서92025.05.151. 저역통과필터(LPF) 실험을 통해 설계한 LPF의 출력 전압과 저항 전압의 파형을 측정하고 입력과 출력 전압의 XY mode를 관찰하였다. 입력 정현파의 주파수를 100kHz까지 변화시키면서 LPF의 출력전압의 최대값을 측정하고 주파수에 따른 출력전압의 크기 그래프를 그렸다. 주파수가 작은 영역대에서는 비교적 정확한 결과가 측정되었지만 50kHz 이상의 범위에서 30% 정도의 오차가 발생하였다. 오차의 원인으로는 실험에 사용한 캐패시터의 실제 용량과 표기값의 차이, 측정 장비의 정밀성 문제, 계산 과정에서의 오차 등이 있었다....2025.05.15
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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회로를 구성하는 소자 중 수동소자(저항, 인덕터, 커패시터)들의 개념과 기능 및 용도들을 설명해보자2025.05.131. 저항 저항의 목적은 다양하게 있다. 첫 번째로 전압을 분배하는 것이다. 전력의 일부를 소비하지만 외부 회로 혹은 시스템이 정상적으로 작동할 수 있게 전위차를 발상시킨다. 두 번째로 바이어싱이다. BJT, FET, TR, 전자관에서는 바이어스가 한쪽 극 또는 접지 반대 부분 극에 의도하여 직류 전압을 가한다. 저항기 회로는 바이어스 기능을 수행할 수 있게 한다. 세 번째로 전류의 제한이다. 무선 신호를 수신하게 설계된 민감한 증폭기에 활용되거나 전원 공급기, 배터리 출력과 직렬로 연결이 이루어진 전류의 제한이다. 트랜지스터가 과...2025.05.13
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전기전자개론 실험보고서 직병렬회로 설계 및 휘스톤브릿지2025.05.041. 직렬저항 회로 직렬회로에서 전류 흐름 경로는 하나로 각 저항에 흐르는 전류는 같다. 합성저항은 RT = R1 + R2 + ... + RN이다. 키르히호프의 전압법칙을 이용하여 미지의 전압과 저항을 구할 수 있다. 2. 병렬저항 회로 병렬회로에서 각 저항에 걸리는 전압은 같고 전체전류는 각 저항에 흐르는 전류의 합과 같다. 합성저항은 1/Req = 1/R1 + 1/R2 + ... + 1/RN이다. 키르히호프의 전류법칙을 이용하여 분기점에서 전류의 합을 구할 수 있다. 3. 직병렬 회로 해석 직병렬회로는 직렬회로와 병렬회로의 조합...2025.05.04
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 4 옴의법칙2025.05.131. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전류의 세기가 두 점 사이의 전위차에 비례하고 전기저항에 반비례한다는 법칙입니다. 이 실험에서는 저항의 전압과 전류를 측정하고 이들 사이의 관계를 그래프로 그려 옴의 법칙을 확인하였습니다. 또한 전압과 전류를 이용하여 저항의 값을 구할 수 있었습니다. 2. 전류-전압 그래프 실험에서 측정한 전압과 전류 데이터를 이용하여 전류-전압 그래프를 그렸습니다. 그래프 결과 일차함수와 유사한 형태의 그래프가 나타났는데, 이는 옴의 법칙에 따라 전압과 전류가 비례관계를 가지기 때문입니다. 3. 저항 측정 실험에서는 ...2025.05.13
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고려대학교 디지털시스템실험 A+ 5주차 결과보고서2025.05.101. Binary to 7-SEGMENT 이번 실험을 통해 7-segment의 8자리가 어떻게 동시에 보여지는지 알 수 있었습니다. Binary to 7-segment를 구현할 때에 저번 시간에 만들었던 binary to BCD를 사용하였고, 이렇게 만든 Binary to 7-segment 함수를 이용해 7-segment 계산기를 만들 수 있었습니다. 이 과정에서 간단한 동작을 하는 함수 하나를 만드는 데에도 그 안에 많은 함수가 쓰인다는 것을 알 수 있었습니다. 2. Adder/Subtractor와 연결한 7-SEGMENT 만들기...2025.05.10
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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 소스 증폭기(Common Source Amplifier) 소스(Source)부분이 접지되어 입력전압과 출력전압의 기준이 되어 공통 소스 증폭기라고 불리며, 입력은 Gate, 출력은 Drain에 연결되어있다. BJT 공통 이미터 증폭기와 유사한데 게이트 방면을 통하여 들여다보는 쪽은 역방향 바이어스가 걸린 접합면이므로 입력 임피던스가 매우 크고 그로 인하여 높은 전류이득과 BJT에 비해 떨어지는 편이지만 전압이득 모두 가질 수 있다. JFET은 입력신호원의 출력 임피던스가 높은 경우에 높은 전류 이득을 얻기 위한 회로에 사...2025.04.30
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