총 40개
-
A+ 공학기초실험 표면장력의 측정 예비보고서2025.04.301. 표면장력 표면장력이란 단위 길이당 작용하는 응집력으로, 액체의 자유표면에서 액체가 수축하여 표면적을 작은 면적으로 취하기 위해 작용하는 장력이다. 이는 액체 내의 분자간 상호작용에 의해 생기며, 일반적으로 온도와 반비례 관계를 가진다. 표면장력은 잎에 맺힌 물방울, 물수제비 놀이, 물 위를 걸어다닐 수 있는 소금쟁이와 같은 현상에 영향을 미친다. 2. Du-Nouy 장력계 Du-Nouy 장력계는 표면장력을 측정하는 장치로, 액체의 표면에서 링을 떼어내기 위해 필요한 힘을 측정하여 표면장력을 구한다. 실험 과정은 장력계를 수평으...2025.04.30
-
11주차 예비보고서 8장 OP AMP를 활용한 미분기,적분기 예비 보고서2025.05.011. OP AMP를 활용한 미분기 미분기는 입력전압의 변화율에 비례하는 출력을 내며 V_out = -(Vc/t) R_f C로 표시할 수 있다. 램프파가 입력되면 램프파의 변화율인 기울기에 따른 값이 교차로 출력되어 구형파의 출력이 나올 것이다. 이때 수식에서 '-'로 인해 부호가 반대로 적용되어 나오게 된다. 2. OP AMP를 활용한 적분기 적분기는 펄스응답의 관점에서 해석해봤을 때 커패시터 양단에서 출력전압을 얻는 '직렬 RC회로'로 볼 수 있다. 이때, 커패시터의 충전과 방전속도는 시상수(τ = RC)에 의해 결정된다. 또한 ...2025.05.01
-
실험 16_전류원 및 전류 거울 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 특성 구하기 MOSFET의 특성을 구하기 위해 [그림 16-1]과 [그림 16-2]의 회로를 구성하여 실험을 진행한다. [그림 16-1]의 회로를 통해 문턱전압 |V_thp|를 구하고, [그림 16-2]의 회로를 통해 μ_p C_ox W/L를 구할 수 있다. 2. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 공통 소스 증폭기에서 부하로 트랜지스터를 사용하는 능동 부하 회로를 구성할 수 있다. [그림 16-3]과 [그림 16-4]는 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기의 개념도와 회로도를 보여준다. 3. 정전류원과 전류 거울을...2025.04.27
-
자연수 중 Ca2+와 Mg2+의 EDTA 적정 예비 보고서2025.01.041. EDTA 적정 EDTA(Ethylenediaminetetraacetic acid)는 Ca2+와 Mg2+와 같은 금속 이온과 강한 착물을 형성하는 킬레이팅 시약입니다. 이를 이용하여 자연수 중 Ca2+와 Mg2+의 농도를 정량적으로 측정할 수 있습니다. 이 실험에서는 EDTA 적정 방법을 통해 자연수 중 Ca2+와 Mg2+의 농도를 분석하고자 합니다. 2. Ca2+와 Mg2+ 정량 자연수 중 Ca2+와 Mg2+의 농도를 정량하기 위해서는 EDTA 적정 방법을 사용합니다. 이 방법은 EDTA가 Ca2+와 Mg2+와 1:1 비율로 ...2025.01.04
-
[전남대/일반물리실험2] 예비 레포트 / 실험9 기하광학 / 성적 1등 / A+2025.01.021. 굴절률 두 매질의 굴절률이 다르면 빛의 경로가 휘게 되는데, 이때 입사각과 굴절각의 관계를 나타내는 것이 스넬의 법칙입니다. 스넬의 법칙에 따르면 두 매질의 굴절률 비와 입사각, 굴절각의 관계가 정해집니다. 2. 전반사 빛이 광학적으로 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질로 입사할 때, 입사각이 임계각 이상이면 빛이 모두 반사되는 현상을 전반사라고 합니다. 전반사가 일어나려면 밀한 매질에서 소한 매질로 진행해야 하고, 입사각이 임계각보다 커야 합니다. 3. 렌즈 공식 렌즈 공식은 물체거리, 상거리, 초점거리 간의 관계를 나타내는 식...2025.01.02
-
회로이론및실험1 7장 중첩의 원리 A+ 예비보고서2025.01.131. 중첩의 원리 선형 시스템은 중첩의 원리를 따른다. 중첩의 원리는 선형 시스템이 하나 이상의 독립 전원에 의해 여기되거나 구동될 때마다 전체 응답은 개별 응답의 합이라는 것을 말한다. 개별 응답은 하나만 활동하는 독립 전원의 응답이다. 선형 회로 소자를 상호 연결하여 만든 회로를 다루기 때문에 그들이 하나 이상의 독립 에너지원에 의해 구동될 때 그런 회로의 해석에 대해 직접적으로 중첩의 원리를 적용할 수 있다. 2. 노드 전압 방법 노드 전압 방법을 사용하여 회로를 분석하였다. 왼쪽 essential node부터 각각 Va, V...2025.01.13
-
중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서32025.01.111. 정파정류회로 정파정류회로를 사용하여 교류전원으로부터 직류전압을 얻는 기본적인 직류전압 공급기(DC power Supply)를 설계, 구현, 측정, 평가하는 것이 이 실습의 목적입니다. 정파정류회로는 교류 전압을 직류 전압으로 변환하는 데 사용되며, 이를 통해 안정적인 직류 전압 공급기를 구현할 수 있습니다. 2. 전압 조절기 설계 이 실습에서는 5kΩ의 부하에 걸리는 직류 전압의 최대치가 4.4V이고, 리플(ripple)이 0.9V 이하가 되도록 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 C의 크기를 설계합니다. 다이오드의 저항은 0....2025.01.11
-
기체 확산 속도 실험 예비 보고서2025.01.171. 기체 분자 운동 기체는 분자 사이의 인력이 거의 작용하지 않기 때문에 고체나 액체에 비하면 매우 활발하게 움직인다. 기체 분자가 활발하고 자유롭게 운동하면서 용기의 벽에 부딪칠 때에 압력이 나타나므로 기체 분자운동이 활발해져 벽면에 충돌하는 횟수가 많을수록 압력이 커진다. 2. 확산 밀도 차이나 농도 차이에 의해 물질을 이루고 있는 입자들이 밀도나 농도가 높은 쪽에서 낮은 쪽으로 액체나 기체 속으로 분자가 퍼져 나가는 현상이다. 확산 속도는 분자의 무게가 가벼울수록, 온도가 높을수록 빠르며 물<공기<진공 순이다. 3. 분출 분...2025.01.17
-
회로이론및실험1 2장 옴의 법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 저항 저항은 전류의 흐름 또는 전하의 흐름을 방해하기 위한 물질의 특성이다. 전류가 상호작용하여 그들이 이동하는 동안 물질의 원자 구조에 의해 방해받기 때문에 이것을 모델링하여 회로 소자로 표현한다. 대부분의 물질은 전류에 대해 측정 가능한 저항을 나타낸다. 저항 값이 작은 구리와 같은 금속은 전류가 잘 통하는 물질이다. 2. 도전율 저항과 반대되는 개념인 도전율은 전류가 흐르기 쉬운 정도를 나타낸다. 기호로는 G를 쓰고, 단위로는 S(siemens, 지멘스)를 사용하며 저항의 역수로 정의된다. 3. 옴의 법칙 저항에 대한 전...2025.01.13
-
회로이론및실험1 4장 키르히호프의 전압/전류법칙 A+ 예비보고서2025.01.131. 키르히호프의 전압 법칙 실험 2-1에서는 키르히호프의 전압 법칙을 적용하여 회로의 전압을 계산하였습니다. 전압 법칙에 따르면 폐회로의 전압 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류와 저항값을 이용하여 전압을 계산할 수 있습니다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 1-2에서는 키르히호프의 전류 법칙을 적용하여 노드 전압을 계산하였습니다. 전류 법칙에 따르면 노드에 유입되는 전류와 유출되는 전류의 합은 0이 되어야 합니다. 따라서 각 저항에 흐르는 전류를 구하고 이를 이용하여 노드 전압을 계산할 수 있습니다. 3....2025.01.13
3 / 4
