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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. NMOS 회로의 전류-전압 특성 NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다. 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다. 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다. 2. PMOS 회로의 전류-전압 특성 PMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, NMOS와는 반대로 동작한다. PMOS는 게이트 전압이 소스 전압보다 낮을 때 턴온된다. 게이트와 소스 간 전압 V...2025.01.29
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전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조2025.04.291. 다이오드와 문턱 전압 다이오드는 순방향 전압이 걸렸을 때 실리콘 다이오드는 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다. 다이오드는 역 전압을 막거나, 교류를 직류로 만들 때, 사용한다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 직렬 회로에서 전류는 하나의 통로만 가지며, 회로 내부에 소자(장치)로 인해 전류의 세기가 동일하다. 병렬 회로는 +극에서 받는 전압과 -극에서 받는 전압이 동일하기 때문에, 모든 전압이 ...2025.04.29
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PDLC 제조 실험 결과 레포트2025.01.191. PDLC 제조 실험 실험 결과에 따르면 PDLC 소자의 문턱전압(Vth)은 0.1366 V, 구동전압(Vsat)은 0.6702 V로 측정되었습니다. 이를 바탕으로 투과도와 인가 전압의 관계를 나타낸 그래프를 작성하였습니다. 또한 PDLC 소자의 작동 원리와 계면활성제 첨가에 따른 효과에 대해 고찰하였습니다. 2. 문턱전압(Threshold Voltage)과 구동전압(Saturation Voltage) PDLC 소자에서 빛의 투과도는 외부 인가 전압에 의해 결정됩니다. 문턱전압(Vth)은 투과도가 10%인 지점의 전압을 의미하며...2025.01.19
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