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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Thevenin의 정리2025.01.151. Thevenin의 정리 Thevenin의 정리는 DC 전원들과 저항들로 구성된 임의의 회로를 직렬 연결한 한 개의 저항과 한 개의 전원으로 대체할 수 있다. 이를 통해 혼잡한 선형 회로도를 단순화시킨 등가 회로로 대신 가능하게 만들어 회로 해석을 사용자가 편리하게 다가갈 수 있도록 해주는 유용한 정리이다. Thevenin 등가 회로를 이용하기 위해서는 등가 저항과 등가 전압을 알아야 하며, 등가 저항은 전원으로부터 공급받고 있는 전류의 저항을 제거한 회로 상태에서 내부에 있는 독립 전원들의 값을 0으로 하고 부하에 걸리는 저항...2025.01.15
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[기초전자실험 with pspice] 08 테브난의 정리 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 테브난의 정리 테브난의 정리는 '전원이 포함된 회로망은 하나의 등가전압 및 직렬로 연결된 등가저항으로 바꿀 수 있다'로 정의된다. 이렇게 만들어진 회로를 테브난 등가회로라 한다. 테브난 등가회로를 만들 때 전압원과 저항이 직렬로 연결되게 만드는데, 이는 전압분배법칙은 직렬연결에서 사용되기 때문에 직렬로 등가회로를 만들면 외부에 연결되는 저항에 걸리는 전압의 크기를 구할 수 있기 때문이다. 2. 테브난 등가회로 구하는 과정 테브난 등가회로를 구하는 과정은 다음과 같다: 1. 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단...2025.04.28
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 4장 연습문제 풀이2025.01.021. 바이폴라 접합 트랜지스터의 포화 및 차단 특성 1. 트랜지스터가 포화되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 일정 값 이상이 되어야 한다. 포화가 되기 위한 베이스-에미터 전압의 최소값은 약 0.7V이다. 2. 트랜지스터가 차단되기 위해서는 베이스-에미터 전압이 0.7V 미만이 되어야 한다. 3. 트랜지스터의 포화 및 차단 특성을 분석하기 위해 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)을 적용하여 관련 수식을 도출할 수 있다. 2. 트랜지스터의 등가 회로 및 파라미터 계산 4. 트랜지스터의 등가 회로를 이용하여 컬렉터-에미...2025.01.02
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기초회로실험 테브닌노턴정리실험 예비보고서2025.04.291. Thevenin 정리 Thevenin 정리는 모든 선형회로망은 한 개의 등가전압원 V(TH)와 한 개의 등가저항 R(TH)의 직렬 연결로 대치할 수 있다는 내용이다. 등가저항과 등가전압을 계산하는 공식을 제공하고 있으며, 부하단자 R(L)에 흐르는 전류를 구하는 공식도 설명하고 있다. 2. Norton 정리 Norton 정리는 회로망을 임의의 두 단자를 기준으로 관찰할 때 등가전류 전원과 한 개의 등가저항을 병렬로 연결된 등가회로로 바꾸어 놓을 수 있다는 내용이다. 등가전류전원 I(N)과 등가저항 R(TN)을 계산하는 공식을 ...2025.04.29
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중첩의 원리와 테브난/노턴 정리 예비보고서2025.01.131. 중첩의 원리 중첩의 원리란 다중 전원이 있는 선형 회로 소자만으로 구성된 선형 회로망에서 모든 전원이 동시에 인가 될 경우 회로망에서의 전류 및 전압의 반응은 각 전원이 개별적으로 작용할 경우의 반응의 합과 같다는 것이다. 중첩의 원리를 사용하면 다중 전원을 가진 선형 회로에서 쉽게 전압 및 전류를 구할 수 있다. 2. 테브난 정리 테브난 등가 회로는 전원을 포함한 선형 회로를 하나의 비종속 전압 전원과 이와 직렬로 연결된 하나의 저항으로 구성된 회로로 표현한 것이다. 테브난 등가 회로로 표현하기 위해서는 내부에 비종속 전원이...2025.01.13
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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전기회로설계실습 12장 결과보고서2025.01.201. 수동소자의 고주파 특성 측정 이번 실험은 RC 직렬, RL 직렬 회로를 설계하여, 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것이 목적이다. 실험 결과, 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터로 작동하는 것을 확인했으며, 약 50kHz 부터 인덕터가 커패시터로 작동하는 것을 알 수 있었다. 전체적으로 수동소자들의 고주파 특성을 잘 확인할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성 측정은 전자 회로 설계 및 분석에 매우 중...2025.01.20
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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중첩의 원리 & 테브낭 노튼 정리 예비보고서2025.01.121. 중첩의 원리 중첩의 원리는 선형미분방정식으로 표현되는 모든 물리계에 대하여 성립하며, 특히 전기회로망에 대해서는 '다수의 전원을 포함하는 선형회로망에 있어서 임의의 점에 전류 및 전압은 개개의 전원이 독단적으로 작용할 때에 그 점의 전류 및 전압을 합한 것과 같다'라고 할 수 있다. 이를 실험적으로 증명하고, 전압원과 전류원을 이해하며 중첩의 원리에 대한 응용력을 키운다. 2. 테브낭 정리 테브낭의 정리는 어떠한 구조를 갖는 회로망도 그 임의의 두 단자 A-B 외측에 대해서 하나의 전원전압과 하나의 임피던스가 직렬연결된 것으로...2025.01.12
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델타와이 변환 및 회로해석 결과보고서2025.01.121. 델타-와이 변환 이번 실험은 복잡한 회로, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해보고 두 값의 오차를 살펴보는 실험입니다. 실험에서는 주어진 저항값보다 10배 높은 값들을 이용하였고, 가변저항기 대신 델타 형 회로에 해당하는 값들을 직접 계산해 고정저항기를 사용하였습니다. 실험 결과, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해도 오차가 6% 정도로 크지 않아 두 회로를 등가회로라 볼 수 있습니다. 신호 회로망에 대한 델타-와이 변환은 효과적인 방법 중 하나이며, 복잡한 델타 형 회로가 제시된다면 와이 형 회로로 변환해 합성저항과 ...2025.01.12
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