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[전자공학응용실험]3주차_2차실험_공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이번 실험을 통하여 공통 소오스 증폭기의 VTC와 소신호 등가회로 및 파라미터들을 알아보았으며 전압이득이 위상이 반대로 나와 (-) 부호가 붙게 된다는 것을 실험으로 알게 되었다. 실험회로 1에서 입력 전압(VGG)에 따른 출력 전압(VO)의 변화를 측정하여 공통 소오스 증폭기의 동작 영역을 확인하였고, 소신호 파라미터인 전압이득(AV), 트랜스컨덕턴스(gm), 출력 저항(ro) 등을 계산하였다. 실험회로 2에서는 입력-출력 전압 파형을 관찰하여 전압이득을 측정하였다. 실험 과정에서 전압 강하 문제로 인해 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험] MOSFET 다단 증폭기 예비레포트2025.04.261. MOSFET 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하고자 한다. 다단 증폭기는 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에 사용된다. 실험에서는 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워 증폭기를 연결한 2단 증폭기와 공통 소오스 증폭기 2단과 소오스 팔로워로 구성된 3단 증폭기를 구현하고 특성을 분석한다. 임피던스 매칭이 중요하며, 부하 저항이 작은 경우 출력 임피던스가 작은 소오스 팔로워를 사용하는 것이 유...2025.04.26
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