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저항의 직병렬회로 & 키르히호프 법칙 예비보고서2025.01.121. 직병렬저항 회로 실험을 통해 직병렬저항 회로의 기본 원리를 이해하고, 각 지로에 흐르는 전류와 합성저항의 크기를 측정하였습니다. 또한 직병렬저항 회로를 직렬저항 회로로 변환하는 방법을 살펴보았습니다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 전류법칙과 전압법칙을 이해하고, 실험을 통해 이를 증명하였습니다. 회로의 접속점에서 유입하는 전류의 합과 유출하는 전류의 합이 같다는 전류법칙과, 임의의 폐회로에서 전압의 합이 0이 된다는 전압법칙을 확인하였습니다. 1. 직병렬저항 회로 직병렬저항 회로는 전기 회로 설계에서 매우 중요한 개념입니...2025.01.12
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정전용량과 RC 회로2025.01.121. 정전용량 측정 축전기에 전압을 걸어주면 전하가 축전되는데, 이때의 정전용량은 전하량을 전압으로 나누어 구할 수 있다. 회로상의 임피던스는 저항성분과 리액턴스 성분으로 구성되며, 정전용량에 해당되는 용량성 리액턴스는 주파수에 반비례한다. 2. RC 회로 분석 RC 직렬회로에 교류 신호를 인가하면 미분방정식을 통해 전류와 전압의 관계를 구할 수 있다. 또한 페이저법을 이용하여 전압, 전류, 임피던스 간의 관계를 분석할 수 있다. 3. 정전용량 측정 실험 LCR 계측기를 이용하여 정전용량을 측정하고, 교류 전압과 전류를 측정하여 정...2025.01.12
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미분, 적분 회로 예비보고서2025.01.121. 미분회로 RC 직렬회로에 페이저법을 사용하여 KVL을 적용하면 입력전압 대 저항에 전달되는 출력전압의 비가 RC 시정수가 작을 경우 주파수에 비례하여 증가하는 것을 확인할 수 있다. 입력 구형파, 정현파, 삼각파를 인가했을 때 각각의 출력 파형을 관찰하여 미분회로의 특성을 이해할 수 있다. 2. 적분회로 RC 직렬회로에서 RC 시정수가 클 경우 입력전압 대 커패시터에 걸린 출력전압의 비가 주파수에 반비례하여 감소하는 것을 확인할 수 있다. 입력 구형파, 정현파, 삼각파를 인가했을 때 각각의 출력 파형을 관찰하여 적분회로의 특성...2025.01.12
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[알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 02. 테스터기 사용법 결과보고서2025.01.121. 테스터기 사용법 이번 실험은 테스터기의 원리를 이해하고 이를 사용하여 저항, 전압 및 전류 등을 측정함으로써 이 계기의 사용법을 익히는 것이 목적이었다. 실험 과정에서는 단자봉 연결, 영점 조정, 저항 측정 등의 방법을 익혔으며, 저항 측정 시 발생할 수 있는 오차에 대해서도 고찰해 보았다. 이번 실험을 통해 테스터기 사용법을 더 잘 익히고 정확하고 빠르게 사용할 수 있게 되었다. 2. 저항 측정 이번 실험에서는 회로에 다양한 저항값을 연결하고 테스터기로 이를 측정하는 실험을 진행했다. 저항값이 큰 경우에는 선택 스위치를 R ...2025.01.12
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중첩의 원리 & 테브낭, 노튼 정리 결과보고서2025.01.121. 중첩의 원리 실험을 통해 중첩의 원리가 적용되는지 확인하였다. 전압원의 위치가 다른 두 가지 회로에서 각각의 전압원을 하나씩 제거하여 구한 값과 모든 전압원을 연결한 값을 비교한 결과, 1% 정도의 오차율만 발생하여 중첩의 원리가 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다. 오차가 발생한 이유로는 실험에 사용된 전선 내 작은 저항, 회로 구성 및 연결 문제, 저항값의 변동 등이 고려되었다. 2. 테브낭 정리 책에 제시된 복잡한 저항회로를 실험을 통해 구현하고, 양단의 전압을 측정하여 테브낭 등가회로와 비교하였다. 실험값과 이론값...2025.01.12
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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정전용량과 RC 회로 결과보고서2025.01.121. 정전용량 측정 실험을 통해 커패시터의 용량성 리액턴스를 측정하는 방법을 이해하였다. 커패시터의 크기가 클수록 리액턴스 값이 작아지는 것을 확인하였으며, 옴의 법칙을 이용하여 리액턴스 값을 계산할 수 있었다. 실험 결과와 이론값 사이에 약 5% 미만의 오차가 있었지만, 전반적으로 성공적인 실험이었다고 볼 수 있다. 2. RC 회로의 위상차 측정 RC 직렬 회로에 교류 신호를 인가하여 주파수에 따른 진폭 응답 특성과 위상 특성을 측정하였다. 이론적으로 계산한 위상값과 실험에서 측정한 위상차 사이에 차이가 있었는데, 이는 낮은 주파...2025.01.12
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[부산대 응용전기전자실험2] MOSFET 예비보고서2025.01.121. MOSFET buck chopper MOSFET buck chopper는 DC/DC 컨버터의 한 종류로, 입력 전압에 비해 출력 전압을 낮추는 회로입니다. 스위칭 소자가 ON 상태일 때는 전류가 흐르게 되며, LC 회로에 의해 고주파 부분은 GND로 빠져나가고 저주파 부분만 통과하게 됩니다. 스위칭 소자가 OFF 상태일 때는 LC 회로에 의해 전류가 더디게 감소하여, 결과적으로 전류의 리플은 약간 존재하지만 구형파를 DC 전압으로 출력할 수 있게 합니다. 2. MOSFET boost chopper MOSFET boost cho...2025.01.12
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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울산대학교 전기전자실험 11. LC 회로의 리액턴스 측정 및 RLC 직병렬 회로의 임피던스 측정2025.01.121. RC 회로의 리액턴스 측정 및 전압 위상 변화 RC 회로에 5Vpp 1kHZ의 정현파를 인가했을 때 리액턴스 측정과 전압의 위상 변화를 확인하는 것이 목적이다. 리액턴스는 Xc = 1/(2πfC)를 통해 구했을 때 1591.55Ω의 값을 구할 수 있었고 1434의 측정값을 얻을 수 있었다. 전압의 위상을 관찰하기 위해 θ = tan^-1((Xc)/R)를 통해 구했을 때 -35.88의 값을 구할 수 있었고, 측정값을 통해 구했을 때는 -33.10의 값을 구했다. 리액턴스값이 약 10% 차이가 나는 것은 커패시터 용량 측정값 또한...2025.01.12
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