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반도체 물성과 소자2024.10.071. 반도체 물질의 종류와 특성 1.1. 불순물 반도체와 다수운반자, 소수운반자의 관계 n-형 반도체의 경우 전도띠의 전자가 주로 전류를 흐르게 하고, p-형 반도체는 원자가띠의 양공이 전류를 흐르게 하여 전자와 양공을 각각에 대해 다수운반자라 한다. n-형 도핑의 목적은 물질에 운반자 역할을 할 전자를 많이 만드는 것이다. 도펀트 원자가 전자를 하나 받으면, 주변의 원자가 가진 공유결합에서는 전자가 하나 부족해져서 "양공"이 생기게 된다. p-형 도핑의 목적은 양공을 많이 만드는 것이다. 이때 양공이 다수운반자, 전자가 소수운반...2024.10.07
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핵심이 보이는 전자회로실험 bjt2024.11.081. 트랜지스터와 반도체 소자의 발전 1.1. 진공관과 트랜지스터의 발명 진공관은 전자를 방출하고 흐르게 하는 기본적인 전자 소자였다. 1883년, 토마스 에디슨은 백열전구 내부에 전자가 이동하는 현상을 발견했는데, 이를 "에디슨 효과"라고 불렀다. 이후 1904년, 영국의 물리학자 존 앰브로스 플레밍은 에디슨 효과를 응용하여 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 2극관(다이오드)을 발명했다. 이로써 진공관 기술이 시작되었다. 1907년, 미국의 리처드 딕손 데포레스트는 플레밍의 2극관에 제3의 전극인 그리드를 추가하여 3극관(트라...2024.11.08
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hemt2024.11.131. HEMT(High Electron Mobility Transistor) 1.1. 용어 설명 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 전자의 이동도가 높은 트랜지스터를 뜻한다. 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)의 특징이라 볼 수 있는 입력과 출력의 양 전극간에 흐르는 전류를 제3의 게이트 전극의 전압으로 제어 방식을 따르므로 HEMT는 일종의 FET 소자라고 볼 수 있다. 연산속도는 피코초에 이르며, 초전도물질을 이용한 조셉슨소자와 함께 차기 슈퍼 컴퓨터 연산처리 장치 (CPU:Central...2024.11.13
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SiC, GaN2024.09.011. 화합물 반도체 개요 1.1. 화합물 반도체의 정의 및 종류 화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체이다. 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 황화카드뮴(CdS), 텔루르화 아연(ZnTe) 등의 Ⅱ-Ⅵ족, 황화연(PbS) 등의 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체가 있다. 실리콘이나 게르마늄 같은 단체(單體) 반도체와는 달리, 화합물 반도체는 발광소자(전류를 흘리면 빛이 나는 소자)를 만들 수 있으며, 레이저도 만들 수 있다. 또 전자 이동도가 커서, ...2024.09.01
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반도체물성과소자2024.11.241. 반도체 소자의 다수 운반자와 소수 운반자 1.1. 다수 운반자와 소수 운반자의 정의와 차이 불순물반도체에서 전도띠의 전자와 원자가띠의 양공은 각각 다수운반자와 소수운반자의 역할을 한다. n-형 반도체에서는 전자가 다수운반자이고 양공이 소수운반자이며, p-형 반도체에서는 양공이 다수운반자이고 전자가 소수운반자이다. 이는 도핑 과정에서 도펀트의 특성에 따라 결정된다. n-형 반도체의 경우 주개준위의 전자가 전도띠로 올라가 전자가 다수운반자가 되고, p-형 반도체에서는 받개준위에서 전자를 받아 들여 양공이 다수운반자가 된다. 따라...2024.11.24