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광운대2024.09.211. 반도체 공정 1.1. Front End Process 1.1.1. 웨이퍼 및 재료 실리콘 웨이퍼 기판은 반도체 공정에서 가장 기본적이고 중요한 재료로, 트랜지스터와 메모리 소자 등을 제작하는 기반이 된다. 반도체 산업의 발전과 더불어 웨이퍼의 크기와 집적도가 지속적으로 증가해 왔다. 2000년대 초반까지는 200mm 웨이퍼가 주로 사용되었으나, 현재는 300mm 웨이퍼가 가장 보편적이며 450mm 웨이퍼 개발도 진행되고 있다. 웨이퍼의 기본 제조 방식은 Czochralski (CZ) 방법으로, 고순도 실리콘 잉곳을 성장...2024.09.21
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ICP 를 이용한 Cu Cd의 동시분석2024.10.071. 중금속 분석 실험 1.1. 실험 목적 ICP-AES(OES)를 이용한 중금속 분석 실험의 목적은 일반적인 원자흡수분광계와는 다르게 동시 다원소 분석이 가능한 ICP-AES(OES) 기기 특성을 활용하여 시료 중의 중금속을 동시에 분석하는 것이다."" 1.2. 실험 기구 및 시약 가. 실험 기구 1) 히터, Glass bead, 100 ㎖ 부피플라스크 2) Perkinelmer(OES)-Avio 500 ① 기기제조회사 : PerkinElmer ② 모델명 : Perkinelmer(OES)-Avio 500 나. 실험 시약 1) ...2024.10.07
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Cu 분석2024.11.231. ICP를 이용한 포도 중금속 분석 1.1. 실험 개요 포도 속 중금속 분석을 위한 ICP 실험의 개요는 다음과 같다. 이 실험에서는 ICP를 이용하여 포도 속에 포함된 납(Pb), 카드뮴(Cd), 비소(As), 구리(Cu), 아연(Zn) 등의 중금속 함량을 분석하고자 하였다. 식약처의 농산물 중 과일류의 납 기준은 0.1 mg/kg 이하, 카드뮴 기준은 0.05 mg/kg 이하이므로, 포도 시료를 ICP로 분석하여 이 기준을 만족하는지 확인하는 것이 본 실험의 목적이다. 실험에는 질산, 정제수, 포도 시료, 그리고 다양한 분...2024.11.23
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플라즈마2024.08.281. 플라즈마의 정의와 특성 1.1. 플라즈마의 개념 플라즈마의 개념은 고체, 액체, 기체와 함께 물질의 제4의 상태로 정의된다. 플라즈마는 고온 상태에서 이온화된 입자 상태로, 전자와 양이온, 즉 전기를 띈 하전 입자들로 구성되어 있으며 전기적으로는 중성인 하전 기체의 물질상태를 말한다. 플라즈마는 집단적 행동(collective behavior)으로 특징 지어지는, 중성입자와 전하를 띤 입자들의 준중성(quasi-neutral) 기체이다. 일반 기체에서는 기체 분자들 사이에 작용하는 힘이 거의 없어 직선 운동을 하지만, 플...2024.08.28
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탄소나노튜브 실험2025.02.091. 서론 1.1. 탄소나노튜브의 이론적 배경 및 기본 물성 탄소나노튜브(Carbon nanotube, CNT)는 나노크기의 흑연(탄소 동소체)면이 실린더 구조로 둥글게 말린 형태를 가지고 크기나 형태에 따라 독특한 물리적 성질을 가지는 거대분자(macromolecule)이다. 길이와 지름의 비가 132,000,000:1에 이르는 나노튜브도 만들어졌는데 이는 지금까지 알려진 물질 중 가장 높은 값이다. 탄소나노튜브는 특히 열전도율 및 기계적, 전기적 특성이 매우 특이하여 주로 탄소 섬유로 만들어지는 야구방망이나 골프채와 같은 다양...2025.02.09