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반도체공정설계
2024.10.08
1. MOSFET 설계 1.1. 개요 본 설계의 중점은 공정변수에 따라 소자의 특성변화를 확인하는 것이 아닌 공정변수를 바꿈으로써 소자의 특성을 최적화 하는 것을 중점으로 하였다. 이때 기준으로 잡은 소자의 특성은 수업시간에 했던 LDD 구조를 갖는 n-채널 MOSFET이다. MOSFET의 특성을 비교할 수 있는 대표적인 것은 드레인 전류와 문턱전압으로 드레인 전류가 높아질수록, 문턱전압이 낮아질수록 소자특성이 좋아짐을 의미한다. 그에 따라 드레인 전류를 높이기 위해 채널길이와 high doping 양을 공정변수로 잡았고 문턱전압...
2024.10.08
# MOSFET
# 채널길이
# High doping
# 게이트 산화막
# Low doping
# 확산시간
# 공정변수
# 드레인 전류
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# 포화특성
AI 챗봇
2025년 02월 23일 일요일
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