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전자회로실험 공통소오스 증폭기2024.09.121. 공통 소오스 증폭기 실험 1.1. 실험 목적 및 개요 이 실험의 목적은 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 측정하는 것이다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력 출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 즉, 공통 소오스 증...2024.09.12
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전자회로실험 실험112024.09.151. 공통 소오스 증폭기 1.1. 실험 절차 실험 절차는 다음과 같다. 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 결정해야 한다. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인해야 한다. 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 그려야 한다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, ...2024.09.15
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2N70002024.09.271. MOSFET 소자 특성 측정 1.1. 목적 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것이 이 실습의 목적이다. 1.2. 실습준비물 실습준비물은 DC Power Supply(2 channel) 1대, Digital Multimeter (이하 DMM) 1대, 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) 4개, 40cm 잭-집게 연결선 (검정) 4개, Br...2024.09.27
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SILVACO2024.10.121. 반도체 공정 설계 1.1. BJT 설계 1.1.1. 설계 주제 BJT 설계 주제는 Process Simulator ATHENA와 Device Simulator ATLAS를 이용하여 BJT 소자를 설계하고, BJT 소자에 대한 이해를 바탕으로 npn BJT 공정을 통해 CB 및 CE mode 출력 특성을 확인하는 것이다. BJT(Bipolar Junction Transistor)는 다수 캐리어와 소수캐리어가 공존하며 전자와 홀이 함께 전류를 만들기 때문에 Bipolar 트랜지스터라고 한다. 구조는 에미터, 베이스, 콜렉터...2024.10.12
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소신호 소스 공통2024.10.301. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험 1.1. 실험 개요 1.1.1. 실험 목적 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험의 목적은 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석하는 것이다. 구체적으로 이번 실험에서는 JFET이 아닌 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 알아보도록 하겠다. 1.1.2. 실험 원리 1.1.2.1. 소신호 소스 공통 교류 증폭기 소신호 소스 공통 교류 증폭...2024.10.30
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2단 공통 소스 증폭기 결과보고서2024.12.171. Common-Source Amplifier Common-Source Amplifier는 MOSFET 증폭기의 기본적인 구조로, 게이트와 소스가 공통 연결된 형태이다. 이 증폭기는 단일 단 증폭기로 사용되거나 다단 증폭기의 기본 블록으로 활용된다. Lab 1. CE Stage DC Transfer 특성 실험에서는 Tinkercad를 이용하여 CE Stage 회로를 설계하고, 입력 전압 Vgs를 0~5V 범위에서 변화시키며 Vds, Id 등의 변화를 관찰하였다. 그 결과, Vgs가 2.7V 부근에서 가장 큰 기울기를 가지는 것을...2024.12.17